Question

下表（圖1）為長(zhǎng)式周期表的一部分，其中的編號(hào)代表對(duì)應(yīng)的元素．

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）寫出上表中屬于ds區(qū)元素原子的電子排布式是

 

．
（2）比較下列數(shù)值的大�。ㄟx填“＜”、“＞”或“=”）：
第一電離能：③

 

⑤；電負(fù)性：④

 

⑤．
（3）上表中元素①的6個(gè)原子與元素③的6個(gè)原子形成的某種環(huán)狀分子中，元素③的原子軌道的雜化方式為

 

．根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論，預(yù)測(cè)②和⑦形成的簡(jiǎn)單分子空間構(gòu)型：

 

．
（4）溫度在1183K以下時(shí)，元素⑨形成的晶體的基本結(jié)構(gòu)單元如圖2A所示，1183K以上轉(zhuǎn)變?yōu)閳D2B所示結(jié)構(gòu)，在兩種晶體中最鄰近的原子間距離相同．
A、B兩種晶體中原子的配位數(shù)（與原子等距離且距離最近的原子數(shù)）分別為

 

、

 

個(gè)．

Answer 1

考點(diǎn)：晶胞的計(jì)算,元素周期律和元素周期表的綜合應(yīng)用,元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用,判斷簡(jiǎn)單分子或離子的構(gòu)型,原子軌道雜化方式及雜化類型判斷

專題：元素周期律與元素周期表專題,化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)

分析：（1）元素周期表中位于ds區(qū)的元素為第ⅠB、ⅡB族，故符合的為⑩元素銅；
（2）元素③為碳元素，④為Al，⑤為Si，非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，第一電離能越大；
（3）元素①的6個(gè)原子與元素③的6個(gè)原子形成的某種環(huán)狀分子中為苯，為平面結(jié)構(gòu)，存在C-H和C-C；
（4）計(jì)算晶胞中原子個(gè)數(shù)，晶體中晶胞重復(fù)出現(xiàn)，推算到晶體中的原子個(gè)數(shù)．

解答： 解：（1）處于ds區(qū)的元素為第ⅠB和ⅡB，其中⑩位于第ⅠB，故屬于ds區(qū)的元素為⑩，為Cu，電子排布式是[Ar]3d¹⁰4s¹，故答案為：[Ar]3d¹⁰4s¹；
（2）元素③為碳元素，④為Al，⑤為Si，非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，第一電離能越大，非金屬性C＞Si＞Al，則第一電離能③＞⑤，電負(fù)性④＜⑤，
故答案為：＞；＜；
（3）元素①的6個(gè)原子與元素③的6個(gè)原子形成的某種環(huán)狀分子中為苯，為平面結(jié)構(gòu)，存在C-H和2個(gè)C-C，則C原子為sp²雜化，②和⑦形成的簡(jiǎn)單分子空間構(gòu)型為BeCl₂，為sp雜化，為直線形結(jié)構(gòu)，故答案為：sp²；直線形；
（4）在1183K以下，為左圖所示，可知體心中有一個(gè)原子周圍有八個(gè)原子，故每個(gè)晶胞中有8個(gè)原子與中心原子等距離且最近，在晶體中依然為8個(gè)，在1183K以上時(shí)為右圖所示，以最上面中間原子為為例，同一個(gè)平面上有4個(gè)原子距離相等且距離最小，在豎直方向的四個(gè)面上，中間原子與所選定原子等距離且距離最小，在晶體中晶胞重復(fù)出現(xiàn)，故對(duì)面會(huì)有對(duì)稱的四個(gè)豎直面上的點(diǎn)，一共12個(gè)，故答案為：8；12．

點(diǎn)評(píng)：本題考查位置、結(jié)構(gòu)、性質(zhì)的應(yīng)用，涉及元素周期表中元素的分區(qū)、元素周期表中元素的位置、根據(jù)價(jià)電子數(shù)判斷單電子個(gè)數(shù)、晶胞及晶體中原子個(gè)數(shù)的計(jì)算等，綜合性較強(qiáng)，題目難度較大．