芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的。制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2CSi(粗)+2CO↑  ②Si(粗)+3HClSiHCl3+H2 

③SiHCl3+H2 Si(純)+3HCl。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是

A．反應(yīng)①中，CO是還原劑          B．①②③屬于同一反應(yīng)類(lèi)型

C．②③的目的是將粗硅提純        D．上述反應(yīng)進(jìn)行中不能有O2存在

 

【答案】

A

【解析】從題意中可知，以上三個(gè)反應(yīng)屬于氧化還原反應(yīng)，基本反應(yīng)類(lèi)型為置換反應(yīng)，故B、C說(shuō)法正確；O2在高溫下很容易與反應(yīng)產(chǎn)物CO、H2反應(yīng)，故D說(shuō)法也正確；在反應(yīng)①中，CO為反應(yīng)產(chǎn)物，不是還原劑，故A說(shuō)法錯(cuò)誤。答案為A。

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：初中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl
 加熱 
.
 
SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si（純）+3HCl．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　�。�
A、①②③屬于同一基本反應(yīng)類(lèi)型
B、②③的目的是將粗硅提純
C、生產(chǎn)過(guò)程中HCl可以循環(huán)使用
D、上述反應(yīng)只需在干燥的設(shè)備中進(jìn)行

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科目：初中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（2012?玄武區(qū)一模）芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C=Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si（純）+3HCl．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　�。�

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科目：初中化學(xué) 來(lái)源：玄武區(qū)一模 題型：單選題

芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C=Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si（純）+3HCl．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　�。�
A．反應(yīng)①中，CO是還原劑
B．①②③屬于同一反應(yīng)類(lèi)型
C．②③的目的是將粗硅提純
D．上述反應(yīng)進(jìn)行中不能有O2存在

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科目：初中化學(xué) 來(lái)源：2012年江蘇省南京市玄武區(qū)中考化學(xué)一模試卷（解析版） 題型：選擇題

芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C=Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si（純）+3HCl．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ）
A．反應(yīng)①中，CO是還原劑
B．①②③屬于同一反應(yīng)類(lèi)型
C．②③的目的是將粗硅提純
D．上述反應(yīng)進(jìn)行中不能有O2存在

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科目：初中化學(xué) 來(lái)源：2011年山東省濟(jì)南市中考化學(xué)模擬試卷（四）（解析版） 題型：選擇題

（2011?西城區(qū)一模）芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2CSi（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HClSiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2Si（純）+3HCl．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ）

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