芯片是以高純度的單質(zhì)硅為材料制成的.用化學(xué)方法制得高純硅的反應(yīng)原理為:①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑,②Si+2Cl2
 高溫 
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SiCl4,③SiCl4+2H2
 高溫 
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Si+4HCl,下列說法正確的是(  )
分析:A、根據(jù)反應(yīng)物及生成物的特點(diǎn)判斷反應(yīng)類型;
B、分析硅元素的化合價;
C、根據(jù)化合物中正負(fù)化合價的代數(shù)和為零,分析硅元素的化合價;
D、根據(jù)硅的屬類分析.
解答:解:A、①是單質(zhì)和化合物反應(yīng)生成單質(zhì)和化合物的置換反應(yīng),②是化合反應(yīng),③是置換反應(yīng);其中①③相同,故選項(xiàng)錯誤;
B、①②③中的硅元素都有單質(zhì)的反應(yīng)或生成,單質(zhì)中元素的化合價為零,故都有化合價的改變; 選項(xiàng)正確;
C、SiO2和SiCl4中硅的化合價相同,都是+4價;故選項(xiàng)正確;
D、制得的高純硅屬于固態(tài)非金屬材料,故選項(xiàng)錯誤;
故選項(xiàng)為:BC.
點(diǎn)評:本題考查的知識點(diǎn)較多,可以從化學(xué)方程式中的反應(yīng)物和生成物的種類、條件方面進(jìn)行分析、判斷,從而得出正確的結(jié)論.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:初中化學(xué) 來源:江蘇省張家港市2012年中考網(wǎng)上閱卷適應(yīng)性考試化學(xué)試題 題型:013

芯片是以高純度的單質(zhì)硅為材料制成的.用化學(xué)方法制得高純硅的反應(yīng)原理為:①SiO2+2CSi+2CO↑,②Si+2Cl2SiCl4,③SiCl4+2H2Si+4HCl,下列說法正確的是

[  ]

A.①②③分別屬于不同類型的反應(yīng)

B.①②③中硅的化合價都發(fā)生了變化

C.SiO2和SiCl4中硅的化合價相同

D.制得的高純硅屬于金屬材料

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科目:初中化學(xué) 來源: 題型:多選題

芯片是以高純度的單質(zhì)硅為材料制成的.用化學(xué)方法制得高純硅的反應(yīng)原理為:

①SiO2+2C數(shù)學(xué)公式Si+2CO↑,②Si+2Cl2數(shù)學(xué)公式SiCl4,③SiCl4+2H2數(shù)學(xué)公式Si+4HCl,

下列說法正確的是


  1. A.
    ①②③分別屬于不同類型的反應(yīng)
  2. B.
    ①②③中硅的化合價都發(fā)生了變化
  3. C.
    SiO2和SiCl4中硅的化合價相同
  4. D.
    制得的高純硅屬于金屬材料

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科目:初中化學(xué) 來源:不詳 題型:多選題

芯片是以高純度的單質(zhì)硅為材料制成的.用化學(xué)方法制得高純硅的反應(yīng)原理為:①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑,②Si+2Cl2
 高溫 
.
 
SiCl4,③SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
Si+4HCl,下列說法正確的是( 。
A.①②③分別屬于不同類型的反應(yīng)
B.①②③中硅的化合價都發(fā)生了變化
C.SiO2和SiCl4中硅的化合價相同
D.制得的高純硅屬于金屬材料

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科目:初中化學(xué) 來源:2012年江蘇省蘇州市張家港市中考網(wǎng)上閱卷適應(yīng)性考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

芯片是以高純度的單質(zhì)硅為材料制成的.用化學(xué)方法制得高純硅的反應(yīng)原理為:①SiO2+2CSi+2CO↑,②Si+2Cl2SiCl4,③SiCl4+2H2Si+4HCl,下列說法正確的是( )
A.①②③分別屬于不同類型的反應(yīng)
B.①②③中硅的化合價都發(fā)生了變化
C.SiO2和SiCl4中硅的化合價相同
D.制得的高純硅屬于金屬材料

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