某學(xué)生查得以下資料：在稀H
2SO
4溶液中，H
2SO
4產(chǎn)生了能夠自由移動的H
+和SO
42-，這樣的過程稱為電離，HCl、NaOH、KNO
3在水溶液中均發(fā)生電離．鋅與稀H
2SO
4、稀HCl反應(yīng)的實質(zhì)是：稀H
2SO
4、稀HCl電離出H
+，H
+與Al發(fā)生置換反應(yīng)而生成H
2．研究表明，在其他條件相同時，同樣的鋁片與濃度相等的稀硫酸、稀鹽酸反應(yīng)生成H
2的反應(yīng)劇烈程度相等．濃度增大，則反應(yīng)更劇烈．該學(xué)生在一次實驗中用鋁片分別跟H
+濃度相等的稀鹽酸、稀硫酸反應(yīng)，結(jié)果發(fā)現(xiàn)鋁片跟稀鹽酸反應(yīng)現(xiàn)象非常明顯，而跟稀硫酸卻幾乎不反應(yīng)．這一結(jié)果和上述資料的記載不一致，是什么原因呢？為了尋找原因，該學(xué)生在教師指導(dǎo)下重新用純度極高的濃硫酸和濃鹽酸配制了一定濃度的稀溶液，然后加入規(guī)格（0.1×10×25mm）相同、純度≥99.5%的鋁片，驗證是否確實存在上述現(xiàn)象，實驗結(jié)果如下表：
| 酸及反應(yīng)進程 |
1min |
2min |
5min |
15min |
20min |
| a% HCl |
少量氣泡 |
較多氣泡 |
大量氣泡 |
反應(yīng)劇烈 |
鋁片耗盡 |
| b% H2SO4 |
均無明顯現(xiàn)象（無氣泡） |
| c% H2SO4 |
均無明顯現(xiàn)象（無氣泡） |
注：a% HCl 與b% H
2SO
4中H
+濃度相同，c% H
2SO
4中H
+濃度大于a% HCl中H
+濃度．
（1）為了探究“鋁跟稀鹽酸、稀硫酸反應(yīng)存在差異的原因”，你能對該原因作出哪些假設(shè)（或猜想）？
假設(shè)一：
Cl-促進金屬鋁表面的氧化膜與H+反應(yīng)
Cl-促進金屬鋁表面的氧化膜與H+反應(yīng)
；
假設(shè)二：
SO42-對金屬鋁表面的氧化膜與H+反應(yīng)對起阻礙作用
SO42-對金屬鋁表面的氧化膜與H+反應(yīng)對起阻礙作用
．
（2）請你設(shè)計一個實驗方案來驗證你的假設(shè)，寫出你的設(shè)計思路（或設(shè)計原理）．
①向3支試管中分別加入5mL5%H2SO4溶液和已給鋁片，向其中一支加入少量的Na2SO4晶體，無明顯想象（同未加的對比）；向另一支試管中加入少量的NaCl晶體，有氣泡產(chǎn)生（同未加的對比）；②向2支試管中分別加入5mL10%HCl溶液和已給鋁片，向其中一支試管中加入少量的Na2SO4晶體，氣泡立即明顯減少（和另一支未加相比）．
①向3支試管中分別加入5mL5%H2SO4溶液和已給鋁片，向其中一支加入少量的Na2SO4晶體，無明顯想象（同未加的對比）；向另一支試管中加入少量的NaCl晶體，有氣泡產(chǎn)生（同未加的對比）；②向2支試管中分別加入5mL10%HCl溶液和已給鋁片，向其中一支試管中加入少量的Na2SO4晶體，氣泡立即明顯減少（和另一支未加相比）．
．
