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一種離子晶體的晶胞如右圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。

（1）每個晶胞種含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。

（2）若A的核外電子排布與Ar相同，B的電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學式是___________________；

（3）陽離子的配位數(shù)為_________，陰離子的配位數(shù)為________。

（4）已知A的離子半徑為0.99×10－10m，則該晶胞的體積是_______________m3。

（每空2分，共12分）

 

（1）4、8

（2）CaF2

（3）8、4

（4）16r3

解析:

 

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

一種離子晶體的晶胞如圖其中陽離子A以表示，陰離子B以表示．
（1）每個晶胞中含A離子的數(shù)目為
4
4
，含B離子數(shù)目為
8
8
．
（2）若A的核外電子排布與Ar相同，B的電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學式是
CaF2
CaF2
；
（3）陽離子周圍距離最近的陰離子數(shù)為
8
8
，陰離子周圍距離最近的陽離子數(shù)
4
4
．
（4）已知A的離子半徑為r m，則該晶胞的體積是
16
2
r3
16
2
r3
m3．

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科目：高中化學 來源：2010-2011學年湖北省孝感高中高二下學期期中考試化學試卷 題型：填空題

（13分）（1）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是__    ___(請用相應的編號填寫)

（2）一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。則每個晶胞中含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。若A的核外電子排布與Ar相同，B的核外電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學式是___________________；

（3）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請在立方體的頂點用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

（4）通常人們把拆開1 mol某化學鍵所吸收的能量看成該化學鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學鍵的強弱，也可用于估算化學反應的反應熱（△H），化學反應的△H等于反應中斷裂舊化學鍵的鍵能之和與反應中形成新化學鍵的鍵能之和的差。

化學鍵
Si—Cl
H—H
H—Cl
Si—Si
鍵能/kJ·mol—1
360
436
431
176
已知:工業(yè)上高純硅可通過下列反應制取：
SiCl4(g) + 2H2(g) 高溫 Si(s) + 4 HCl(g)
則該反應的反應熱△H =              kJ/mol.

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科目：高中化學 來源：2012-2013年湖北省仙桃市毛嘴高中高二上學期學業(yè)水平監(jiān)測試化學卷（帶解析） 題型：填空題

（6分）一種離子晶體的晶胞如右圖其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。

（1）每個晶胞中含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。
（2）若A的核外電子排布與Ar相同，B的電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學式是___________________；
（3）陽離子周圍距離最近的陰離子數(shù)為_____，陰離子周圍距離最近的陽離子數(shù)_____。
（4）已知A的離子半徑為r m，則該晶胞的體積是 ___________m3。

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科目：高中化學 來源：2010年鄭州市高二下學期期末考試化學試題 題型：填空題

一種離子晶體的晶胞如右圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。

（1）每個晶胞種含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。

（2）若A的核外電子排布與Ar相同，B的電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學式是___________________；

（3）陽離子的配位數(shù)為_________，陰離子的配位數(shù)為________。

（4）已知A的離子半徑為0.99×10－10m，則該晶胞的體積是_______________m3。

（每空2分，共12分）

 

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