一種離子晶體的晶胞如右圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。

（1）每個晶胞種含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。

（2）若A的核外電子排布與Ar相同，B的電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；

（3）陽離子的配位數(shù)為_________，陰離子的配位數(shù)為________。

（4）已知A的離子半徑為0.99×10－10m，則該晶胞的體積是_______________m3。

（每空2分，共12分）

 

（1）4、8

（2）CaF2

（3）8、4

（4）16r3

解析:

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

一種離子晶體的晶胞如圖其中陽離子A以表示，陰離子B以表示．
（1）每個晶胞中含A離子的數(shù)目為
4
4
，含B離子數(shù)目為
8
8
．
（2）若A的核外電子排布與Ar相同，B的電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是
CaF2
CaF2
；
（3）陽離子周圍距離最近的陰離子數(shù)為
8
8
，陰離子周圍距離最近的陽離子數(shù)
4
4
．
（4）已知A的離子半徑為r m，則該晶胞的體積是
16
2
r3
16
2
r3
m3．

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科目：高中化學(xué) 來源：2010-2011學(xué)年湖北省孝感高中高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型：填空題

（13分）（1）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是__    ___(請用相應(yīng)的編號填寫)

（2）一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。則每個晶胞中含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。若A的核外電子排布與Ar相同，B的核外電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；

（3）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請在立方體的頂點用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

（4）通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵
Si—Cl
H—H
H—Cl
Si—Si
鍵能/kJ·mol—1
360
436
431
176
已知:工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取：
SiCl4(g) + 2H2(g) 高溫 Si(s) + 4 HCl(g)
則該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H =              kJ/mol.

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科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013年湖北省仙桃市毛嘴高中高二上學(xué)期學(xué)業(yè)水平監(jiān)測試化學(xué)卷（帶解析） 題型：填空題

（6分）一種離子晶體的晶胞如右圖其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。

（1）每個晶胞中含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。
（2）若A的核外電子排布與Ar相同，B的電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；
（3）陽離子周圍距離最近的陰離子數(shù)為_____，陰離子周圍距離最近的陽離子數(shù)_____。
（4）已知A的離子半徑為r m，則該晶胞的體積是 ___________m3。

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科目：高中化學(xué) 來源：2010年鄭州市高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試題 題型：填空題

一種離子晶體的晶胞如右圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。

（1）每個晶胞種含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。

（2）若A的核外電子排布與Ar相同，B的電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；

（3）陽離子的配位數(shù)為_________，陰離子的配位數(shù)為________。

（4）已知A的離子半徑為0.99×10－10m，則該晶胞的體積是_______________m3。

（每空2分，共12分）

 

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