美國等國家發(fā)射的航空器將我國的磁譜儀帶入太空，其目的是探索反物質(zhì)．反物質(zhì)的主要特征是電子帶正電荷，質(zhì)子帶負電荷，下列表示反物質(zhì)酸堿中和的離子方程式正確的是（　�。�
A、H-+OH+═H2O
B、H++OH+═H2O
C、H-+OH-═H2O
D、H++OH-═H2O
考點：離子方程式的書寫
專題：信息給予題
分析：主要是結(jié)合題目所給的信息進行分析，中和反應(yīng)的實質(zhì)是氫離子與氫氧根離子的結(jié)合，然后結(jié)合反物質(zhì)”的主要特征是電子帶正電荷，質(zhì)子帶負電荷判斷即可．
解答： 解：中和反應(yīng)的通式是氫離子與氫氧根離子結(jié)合成水，所以結(jié)合氫離子實際上是質(zhì)子，反物質(zhì)帶負電，氫氧根離子多余一個電子帶正電，從而可判斷A正確．
故選A．
點評：此題是一道信息給予題，解題的關(guān)鍵是抽取題干中的有效信息““反物質(zhì)”的主要特征是電子帶正電荷，質(zhì)子帶負電荷”．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列關(guān)于碳族元素的說法正確的是（　�。�
A、單質(zhì)都是無色晶體
B、單質(zhì)中硅單質(zhì)熔點最高
C、碳族元素形成的化合物種類最多
D、在化合物中最穩(wěn)定的化合價都是+4價

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

在同一溫度下，弱電解質(zhì)溶液a，強電解質(zhì)溶液b，金屬導(dǎo)體c的導(dǎo)電能力相同，若升高溫度后，它們的導(dǎo)電能力是（　�。�
A、a＞b＞c
B、a=b=c
C、c＞a＞b
D、b＞c＞a

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

在不同條件下分別測得反應(yīng)2SO2+O2?2SO3的化學(xué)反應(yīng)速率，其中表示該反應(yīng)進行的最快的是（　�。�
A、v（SO2）=4mol/（L?min）
B、v（O2）=3mol/（L?min）
C、v（SO2）=0.1mol/（L?s）
D、v（O2）=0.1mol/（L?s）

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列所述變化規(guī)律正確的是（　�。�
A、Na、Mg、Al還原性依次增強
B、HCl、PH3、H2S穩(wěn)定性依次減弱
C、NaOH、KOH、CsOH堿性依次增強
D、S2-、Cl-、K+、Ca2+離子半徑依次增大

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

X，Y，Z都是金屬，在X與稀H2SO4反應(yīng)中，加入少量Z的硫酸鹽溶液時能使反應(yīng)加快；X與Y組成原電池時，Y電極質(zhì)量減少，X，Y，Z三種金屬的活動性順序為（　　）
A、X＞Y＞Z
B、X＞Z＞Y
C、Y＞X＞Z
D、Y＞Z＞X

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列各組物質(zhì)中，互為同素異形體的是（　�。�
A、T2O與D2O
B、
 
40
19
K
 
40
20
Ca
C、O2和O3
D、
 
2
1
H和
 
3
1
H

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．科學(xué)家預(yù)計，到2010年一個電腦芯片上將會集成10億個晶體管，其功能遠比我們想象的要大的多，這對硅的純度要求很高．用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：
①SiO2+2C 
 高溫 
.
 
Si+2CO↑ ②Si+2Cl2
 點燃 
.
 
SiCl4 ③SiCl4+2H2=Si+4HCl，其中反應(yīng)①和③屬于（　�。�
A、化合反應(yīng)B、分解反應(yīng)
C、置換反應(yīng)D、復(fù)分解反應(yīng)

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

高分子化合物是由下列哪些有機物加聚生成（　�。�
A、126B、135
C、125D、235

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同步練習(xí)冊答案