Question

（2008?廣東）硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅．三氯甲硅烷（SiHCl₃）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

①寫(xiě)出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式

SiHCl₃+H₂

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Si+3HCl

．
②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧．SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式

3SiHCl₃+3H₂O═H₂SiO₃+H₂↑+3HCl

；H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混O₂，可能引起的后果是

高溫下，H₂遇O₂發(fā)生爆炸

．
（2）下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是

ABCD

（填字母）．
A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水混
B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
C．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂的，其熔點(diǎn)很高
D．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
（3）硅酸鈉水溶液俗稱(chēng)水玻璃．取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩．寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋

生成白色絮狀沉淀，又刺激性氣味的氣體生成，SiO₃^2-與NH₄⁺發(fā)生雙水解反應(yīng)，SiO₃^2-+2NH₄⁺+2H₂O═2NH₃?H₂O+H₂SiO₃↓

．

Answer 1

分析：（1）①氫氣和純SiHCl₃反應(yīng)生成高純硅；
②SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和氫氣，氫氣易爆炸；
（2）A．原子晶體化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定；
B．原子晶體熔點(diǎn)高硬度大；
C．鹽熔點(diǎn)較高；
D．硅與鹽酸不反應(yīng)．
（3）SiO₃^2-與NH₄⁺發(fā)生雙水解反應(yīng)．

解答：解：（1）①氫氣和純SiHCl₃反應(yīng)生成高純硅和氯化氫：SiHCl₃+H₂

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Si+3HCl，故答案為：SiHCl₃+H₂

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Si+3HCl；
②SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和氫氣：3SiHCl₃+3H₂O═H₂SiO₃+H₂↑+3HCl，氫氣遇氧氣易爆炸，故答案為：3SiHCl₃+3H₂O═H₂SiO₃+H₂↑+3HCl；高溫下，H₂遇O₂發(fā)生爆炸；
（2）A．SiC和Si₃N₄均為原子晶體，熔點(diǎn)高，性質(zhì)穩(wěn)定，故A正確；
B．SiC和Si₃N₄均為原子晶體，硬度大，熔點(diǎn)高，性質(zhì)穩(wěn)定，故B正確；
C．普通玻璃的主要成分為Na₂SiO₃和CaSiO₃，它是以石英砂（SiO₂）、石灰石（CaCO₃）和純堿（Na₂CO₃）為主要原料反應(yīng)制成的，熔點(diǎn)很高，故C正確；
D．常溫下，Si只能與唯一一種酸HF反應(yīng)不與HCl反應(yīng)，故D正確．
故答案為：ABCD；
（3）SiO₃^2-與NH₄⁺發(fā)生雙水解反應(yīng)生成白色絮狀沉淀，又刺激性氣味的氣體生成，方程式：SiO₃^2-+2NH₄⁺+2H₂O═2NH₃?H₂O+H₂SiO₃↓，
故答案為：生成白色絮狀沉淀，又刺激性氣味的氣體生成，SiO₃^2-與NH₄⁺發(fā)生雙水解反應(yīng)，SiO₃^2-+2NH₄⁺+2H₂O═2NH₃?H₂O+H₂SiO₃↓．

點(diǎn)評(píng)：本題考查硅和二氧化硅的性質(zhì)，題目難度中等，注意雙水解時(shí)，可生成沉淀和氣體．