Question

（8分）下表是元素周期表的一部分。表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素。

a

b

c

d

e

f

g

h

i

j

k

l

m

n

o

試回答下列問(wèn)題：
（1）請(qǐng)寫出元素O的基態(tài)原子電子排布式
                                   。
（2）第三周期8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)高低的順序如右圖，其中序號(hào)“8”代表  
（填元素符號(hào)）；其中電負(fù)性最大的是          （填右圖中的序號(hào)）。

（3）由j原子跟c原子以1 : 1相互交替結(jié)合而形成的晶體，晶型與晶體j相同。兩者相比熔點(diǎn)更高的是       （填化學(xué)式），試從結(jié)構(gòu)角度加以解釋：                    
                                                                                                                                          。

Answer 1

（1）1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁶4s²（2分）   （2） Si；    2 （2分）   
（3）SiC；（1分）；因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C－Si鍵鍵長(zhǎng)比晶體Si中Si－Si鍵長(zhǎng)短，鍵能大，因而熔沸點(diǎn)高。（3分）

（1）根據(jù)元素的位置可判斷，O是鐵元素。因此根據(jù)構(gòu)造原理可知，核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁶4s²。
（2）第三周期中，熔點(diǎn)最高的是原子晶體硅，即8號(hào)是Si。非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，所以。所以電負(fù)性最大的是Cl，Cl的熔點(diǎn)僅比Ar的高，所以應(yīng)該是2號(hào)。
（3）兩種元素分別是C和Si，形成的SiC是原子晶體。因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C－Si鍵鍵長(zhǎng)比晶體Si中Si－Si鍵長(zhǎng)短，鍵能大，因而熔沸點(diǎn)高。