(1)得到高純度的固體燒堿,含雜質(zhì)NaCl 0.1% 以下,NaClO3極微量,隔膜法產(chǎn)品含上述雜質(zhì)分別為:0.1%~1.2%和0.1%~0.3%。
(2)得產(chǎn)品濃度:燒堿液(含NaOH 35%~48%;隔膜法產(chǎn)品含NaOH約10%),大大降低用于蒸發(fā)濃縮的能量消耗。
(3)要求高濃度的原料食鹽水中所含鈣、鎂等金屬離子的總量控制在0.1 ppm以下。
請(qǐng)根據(jù)食鹽水電解的兩極反應(yīng)和副反應(yīng),離子遷移和放電及上述兩種膜(交換膜和隔膜)的性能,簡(jiǎn)單說(shuō)明離子交換膜電解槽具有上述特點(diǎn)的原因。
解析:本題以電解食鹽水制取燒堿為題材(中學(xué)學(xué)習(xí)過(guò)隔膜法電解食鹽水制燒堿的原理),介紹了離子交換膜的性能,簡(jiǎn)述離子交換膜電解槽的特點(diǎn),要求根據(jù)兩極反應(yīng)、副反應(yīng)、離子遷移,膜的性能對(duì)具有這些特點(diǎn)的原因進(jìn)行解釋,這為我們分析問(wèn)題提出了思路。
(1)對(duì)產(chǎn)品純度的分析。離子膜法和隔膜法比較,其相同點(diǎn)有:
①原料食鹽水都從陽(yáng)極區(qū)加入。
②兩極反應(yīng)相同。
陽(yáng)極:2Cl--2e-====Cl2↑陰極:2H++2e-====H2↑
③NaOH都由陰極區(qū)生成(這是因?yàn)镠+在陰極上獲得電子,放出H2,破壞陰極附近水的電離平衡,促進(jìn)水不斷電離出H+和OH-,結(jié)果溶液中OH-數(shù)目不斷增多)。離子膜法和隔膜法的不同點(diǎn)是:膜的性能不同。隔膜雖能阻止氣體分子通過(guò),但不能阻止離子穿過(guò),因此,陽(yáng)極原料食鹽水中的Cl-可穿過(guò)膜進(jìn)入陰極區(qū),故產(chǎn)品中NaCl含量高,陰極區(qū)生成的OH-也可穿過(guò)隔膜進(jìn)入陽(yáng)極區(qū),與陽(yáng)極生產(chǎn)的Cl2發(fā)生下列反應(yīng):
3Cl2+6NaOH(熱)====5NaCl+NaClO3+3H2O
(2)對(duì)產(chǎn)品濃度的分析。電解時(shí),陽(yáng)極上發(fā)生的副反應(yīng)主要是:4OH--4e-====O2↑+2H2O,OH-離子失電子傾向隨OH-離子濃度的增大而增大,由于OH-能透過(guò)隔膜從陰極區(qū)順利到達(dá)陽(yáng)極區(qū),為了減少副反應(yīng),因此隔膜法產(chǎn)品中NaOH的質(zhì)量分?jǐn)?shù)控制在1%左右;因?yàn)镺H-很難穿過(guò)離子膜,因此用離子膜法生產(chǎn)燒堿不必控制OH-的離子濃度,可以得到高濃度的NaOH產(chǎn)品。
(3)對(duì)控制原料食鹽水中Ca2+、Mg2+總量分析。兩種膜都能允許陽(yáng)離子穿過(guò),由于離子膜法陰極區(qū)NaOH的濃度較高,更容易與微量的Mg2+、Ca2+發(fā)生離子反應(yīng)而生成沉淀物,造成膜的堵塞,因此離子膜法對(duì)原料食鹽水中Ca2+、Mg2+總含量要求控制得更小。
答案:(1)①NaCl雜質(zhì):陰極區(qū)原料食鹽水中的Cl-較難通過(guò)離子交換膜,因此燒堿產(chǎn)品中NaCl雜質(zhì)少,隔膜法中未反應(yīng)的Cl-可順利通過(guò)膜到達(dá)陽(yáng)極室,所以燒堿產(chǎn)品中含NaCl較多。②NaClO3雜質(zhì):隔膜法陽(yáng)極室中生成的Cl2與陰極室透過(guò)膜到達(dá)陽(yáng)極室的OH-發(fā)生下列反應(yīng):3Cl2+6OH-====ClO+5Cl-+3H2O,而離子膜法中OH-很難透過(guò)膜。
(2)在離子膜法中,從陽(yáng)極室取出的燒堿液濃度隨電解進(jìn)行而增大,并加水調(diào)節(jié)濃度;隔膜法中陰極液是NaOH和NaCl混合液,過(guò)度電解會(huì)使副反應(yīng)加劇,因此電解到含NaOH約10%(此時(shí)含NaCl 15%),取出蒸發(fā)濃縮。
(3)不僅Na+能通過(guò)陽(yáng)離子交換膜,Ca2+、Mg2+等金屬離子也能通過(guò),當(dāng)Ca2+、Mg2+通過(guò)膜到達(dá)陰極室時(shí),與OH-形成難溶化合物,造成堵塞,影響膜性能的發(fā)揮。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、高純度的硅單質(zhì)廣泛用于制作光導(dǎo)纖維 | B、向煤中加入適量石灰石,在煤燃燒時(shí)SO2最終生成CaSO4,可減少對(duì)大氣的污染 | C、將盛滿二氧化氮?dú)怏w的試管倒立在水中,可觀察到溶液充滿試管 | D、為測(cè)定熔融氫氧化鈉的導(dǎo)電性,可將氫氧化鈉固體放在石英坩堝中加熱熔化 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013-2014學(xué)年河北省高三12月調(diào)研考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
化學(xué)在生產(chǎn)和日常生活中有著重要的應(yīng)用。下列說(shuō)法正確是( )
A.高純度的硅單質(zhì)廣泛用于制作光導(dǎo)纖維
B.向煤中加入適量石灰石,在煤燃燒時(shí)SO2最終生成CaSO4,可減少對(duì)大氣的污染
C.將盛滿二氧化氮?dú)怏w的試管倒立在水中,可觀察到溶液充滿試管
D.為測(cè)定熔融氫氧化鈉的導(dǎo)電性,可將氫氧化鈉固體放在石英坩堝中加熱熔化
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
(8分)有科學(xué)家提出硅是“21世紀(jì)的能源”、“未來(lái)的石油”,硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣,制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下:
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)寫(xiě)出第①步的化學(xué)反應(yīng)方程式___________________________;
(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是________________(填字母):
A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B.硅可做“未來(lái)的石油”,可能的原因之一是燃燒放出的熱量多,且燃燒產(chǎn)物對(duì)環(huán)境污染程度低,容易有效控制
C.普通玻璃是由燒堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高
D.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
E.高純度硅可直接用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維
F. 氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
(3)SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫(xiě)出該反應(yīng)的化學(xué)方程式_______________________________________;
(4)單質(zhì)硅遇到氫氧化鈉溶液會(huì)完全溶解得到無(wú)色溶液并放出無(wú)色氣體,請(qǐng)寫(xiě)出該反應(yīng)的離子方程式________________________________________。
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