用價層電子對互斥理論判斷下列物質(zhì)的空間構(gòu)型:
NH
+
4
正四面體
正四面體

②NH3
三角錐形
三角錐形
                
③SO3
平面三角形
平面三角形
分析:根據(jù)價層電子對互斥理論確定其空間構(gòu)型,價層電子對個數(shù)=σ鍵個數(shù)+孤電子對個數(shù),據(jù)此分析解答.
解答:解:①銨根離子中價層電子對個數(shù)=σ鍵個數(shù)+孤電子對個數(shù)=4+
1
2
(5-1-4×1)
=4,且不含孤電子對,所以銨根離子為正四面體結(jié)構(gòu);
故答案為:正四面體;
②氨氣分子中價層電子對個數(shù)=σ鍵個數(shù)+孤電子對個數(shù)=3+
1
2
(5-3×1)=4,且含有一個孤電子對,所以其空間構(gòu)型為三角錐形,
故答案為:三角錐形;
③三氧化硫分子中價層電子對個數(shù)=σ鍵個數(shù)+孤電子對個數(shù)=3+
1
2
(6-3×2)=3,且不含孤電子對,所以為平面三角形結(jié)構(gòu),
故答案為:平面三角形.
點評:本題考查了粒子空間構(gòu)型的判斷,根據(jù)價層電子對互斥理論來分析解答即可,注意孤電子對個數(shù)的計算方法,為易錯點.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2009??谀M)用價層電子對互斥理論預(yù)測H2S和BF3的立體結(jié)構(gòu),兩個結(jié)論都正確的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2010?山東)碳族元素包括C、Si、Ge、Sn、Pb.
(1)碳納米管由單層或多層石墨層卷曲而成,其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體,每個碳原子通過
SP2
SP2
雜化與周圍碳原子成鍵,多層碳納米管的層與層之間靠
范德華力
范德華力
結(jié)合在一起.
(2)CH4中共用電子對偏向C,SiH4中共用電子對偏向H,則C、Si、H的電負性由大到小的順序為
C>H>Si
C>H>Si

(3)用價層電子對互斥理論推斷SnBr2分子中Sn-Br鍵的鍵角
120°(填“>”“<”或“=”)
(4)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是:Pb4+處于立方晶胞頂點,Ba2+處于晶胞中心,O2-處于晶胞棱邊中心.該化合物化學(xué)式為
PbBaO3
PbBaO3
,每個Ba2+
12
12
個O2-配位.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

現(xiàn)有七種元素,其中A、B、C、D、E為短周期主族元素,F(xiàn)、G為第四周期元素,它們的原子序數(shù)依次增大.請根據(jù)下列相關(guān)信息,回答問題.
A元素的核外電子數(shù)和電子層數(shù)相等,也是宇宙中最豐富的元素
B元素原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1
C原子的第一至第四電離能分別是:
I1=738kJ/mol  I2=1451kJ/mol  I3=7733kJ/mol  I4=10540kJ/mol
D原子核外所有p軌道全滿或半滿
E元素的主族序數(shù)與周期數(shù)的差為4
F是前四周期中電負性最小的元素
G在周期表的第七列
(1)已知BA5為離子化合物,寫出其電子式
;
(2)B基態(tài)原子中能量最高的電子,其電子云在空間有
3
3
個方向,原子軌道呈
紡錘
紡錘
形;
(3)某同學(xué)根據(jù)上述信息,推斷C基態(tài)原子的核外電子排布為該同學(xué)所畫的電子排布圖違背了
泡利原理
泡利原理

(4)G位于
ⅦB
ⅦB
d
d
區(qū),價電子排布式為
3d54s2
3d54s2

(5)DE3中心原子的雜化方式為
sp3
sp3
,用價層電子對互斥理論推測其空間構(gòu)型為
三角錐
三角錐

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

元素周期表中第四周期元素由于受3d電子的影響,性質(zhì)的遞變規(guī)律與短周期元素略有不同.
(1)第四周期過渡元素的明顯特征是形成多種多樣的配合物.
①CO可以和很多過渡金屬形成配合物,如羰基鐵[Fe(CO)5]、羰基鎳[Ni(CO)4].CO分子中C原子上有一對孤對電子,C、O原子都符合8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),CO的結(jié)構(gòu)式為
 
,與CO互為等電子體的離子為
 
(填化學(xué)式).
②金屬鎳粉在CO氣流中輕微加熱,生成液態(tài)Ni(CO)4分子.423K時,Ni(CO)4分解為Ni和CO,從而制得高純度的Ni粉.試推測Ni(CO)4易溶于下列
 

a.水       b.四氯化碳       c.苯       d.硫酸鎳溶液
(2)第四周期元素的第一電離能隨原子序數(shù)的增大,總趨勢是逐漸增大的.鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
 
,Ga的第一電離能卻明顯低于Zn,原因是
 

(3)用價層電子對互斥理論預(yù)測H2Se和BBr3的立體結(jié)構(gòu),兩個結(jié)論都正確的是
 

a.直線形;三角錐形        b.V形;三角錐形
c.直線形;平面三角形      d.V形;平面三角形.

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