【題目】已知晶體硼的基本結構單元是由硼原子組成的正二十面體(如圖所示)。其中有二十個等邊三角形的面和一定數(shù)目的頂點,每個頂點各有一個硼原子,則這個基本結構單元由個硼原子構成,共含有個B—B鍵。
【答案】12;30
【解析】觀察圖示可知每個頂點被5個等邊三角形所共有,則每個頂點的硼原子的 屬于一個等邊三角形,可知一個等邊三角形實際占有的頂點數(shù)為3× = 個,所以二十個等邊三角形總共占有的頂點數(shù)為20× =12個。基本結構單元中的B—B鍵的鍵數(shù)即為二十面體的棱邊數(shù),計算方法有以下2種,方法一:每個硼原子核外有5個電子,12個硼原子所含電子數(shù)為5×12=60個,每2個電子形成共用電子對,共用電子對數(shù)目即為B—B鍵數(shù)目,則B—B鍵數(shù)目為60× =30個。方法二:二十面體有20個等邊三角形,而等邊三角形的每條邊均被2個三角形所共用,所以二十面體棱邊數(shù)為20×3× =30個。
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【題目】關于2H2S + SO2 = 3S + 2H2O下列敘述正確的是( )
A. 該反應中氧化產物與還原產物的物質的量之比為2:1
B. H2S是還原劑被還原生成還原產物S
C. H2O是氧化產物
D. 此反應為非氧化還原反應
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【題目】下列各組表述中,兩種微粒不屬于同種元素原子的是( )
A.3p能級有一個空軌道的基態(tài)原子和核外電子排布式為1s22s22p63s23p2的原子
B.2p能級無空軌道,且有一個未成對電子的基態(tài)原子和最外層電子排布式為2s22p5的原子
C.M層全充滿而N層為4s2的原子和核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2的原子
D.最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的1/5的原子和最外層電子排布式為4s24p5的原子
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【題目】氮化硅硬度大、熔點高、不溶于酸(氫氟酸除外),是一種重要的結構陶瓷材料.一種用工業(yè)硅(含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物),已知硅的熔點是1420℃,高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅.一種合成氮化硅的工藝主要流程如下:
(1)凈化N2和H2時,銅屑的作用是:;硅膠的作用是 .
(2)在氮化爐中3SiO2(s)+2N2(g)=Si3N4(s)△H=﹣727.5kJ/mol,開始時為什么要嚴格控制氮氣的流速以控制溫度:;體系中要通入適量的氫氣是為了 .
(3)X可能是(選填:“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”).
(4)如何說明氮化硅產品已用水洗干凈? .
(5)用硅粉作硅源、疊氮化鈉(NaN3)作氮源,直接燃燒生成氮化硅(發(fā)生置換反應),該反應的化學方程式為: .
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【題目】下列說法不符合ⅦA族元素性質特征的是
A.易形成-1價離子B.從上到下非金屬性逐漸減弱
C.從上到下原子半徑逐漸減小D.從上到下氫化物的穩(wěn)定性依次減弱
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【題目】
(1)兩個試劑瓶各盛裝質量相同的濃硫酸和濃硝酸,分別敞口放置一段時間后,兩溶液質量關系為m(硫酸) m(硝酸)(填“>”、“<”或“=”),由于濃硫酸和濃硝酸都具有強氧化性,所以冷的濃硫酸和濃硝酸都可以用(寫金屬名稱)制容器盛放。
(2)制備CuSO4和Cu(NO3)2
①下列有四種制備Cu(NO3)2的途徑,其中最佳途徑是(選填字母)
a. Cu Cu(NO3)2
b. Cu Cu(NO3)2
c. Cu CuO Cu(NO3)2
d. Cu CuSO4 Cu(NO3)2
② 向稀硫酸溶液中加入銅粉,然后通入熱空氣,可制得硫酸銅溶液,則發(fā)生反應的離子方程式為。
(3)向200mL2mol/LHNO3溶液中加入足量銅粉,充分作用后,有m1g固體不溶物,繼續(xù) 加入100mL 1mol/L硫酸溶液,充分作用后,還有m2g固體不溶物,則 m1 m2(填“>”、“<”或“=”),兩者質量相差g(若兩者相等,則此問不答)
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【題目】可逆反應:aA(g)+bB(g) cC(g)+dD(g);根據(jù)圖回答:
①壓強 P1P2;(a+b)(c+d)(填“>”或“<”下同).
②溫度t1℃t2℃;△H0.
③保持體積和溫度不變,通入He,平衡會移動(填“正向”、“逆向”或“不”).
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