現(xiàn)有氯化鈉樣品(混有少量雜質(zhì)離子:Mg2+、Ca2+、SO42-),某同學(xué)設(shè)計了以下實驗方案對該樣品進行提純.

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(1)所加物質(zhì)化學(xué)式A______;B______;C______.
(2)沉淀物的化學(xué)式M______;N______;P______.
(3)加入過量A溶液的目的是______,加入過量C溶液的目的______,加入過量的C溶液后要得到NaCl晶體的操作是______.
(1)加入過量BaCl2溶液,與MgSO4發(fā)生反應(yīng),生成BaSO4沉淀和MgCl2,故A溶液為BaCl2溶液,沉淀物M為BaSO4沉淀,濾液為溶MgCl2溶液;加過量Na2CO3溶液,與CaCl2、BaCl2發(fā)生反應(yīng),生成CaCO3、BaCO3沉淀和氯化鈉;故沉淀物P為CaCO3、BaCO3沉淀,濾液為氯化鈉溶液,溶液B為Na2CO3溶液;加適量鹽酸,與③中過量NaOH溶液和②中過量Na2CO3溶液發(fā)生反應(yīng),生成氯化鈉、水和二氧化碳氣體,故溶液C為HCl溶液,
故答案為:BaCl2;Na2CO3;稀HCl溶液;
(2)A溶液為BaCl2溶液,沉淀物M為BaSO4沉淀,濾液為溶MgCl2溶液,加氫氧化鈉得到的沉淀N為氫氧化鎂,加過量Na2CO3溶液,與CaCl2、BaCl2發(fā)生反應(yīng),生成CaCO3、BaCO3沉淀和氯化鈉,故沉淀物P為CaCO3、BaCO3沉淀,
故答案為:BaSO4;Mg(OH)2;BaCO3、CaCO3
(3)加入過量BaCl2溶液,目的是將硫酸根全部轉(zhuǎn)化為沉淀,加入過量稀鹽酸是為了將多余的碳酸根和氫離子除去,有氯化鈉的水溶液獲得食鹽晶體的操作是加熱、蒸發(fā)、結(jié)晶,
故答案為:除SO42-;除過量的CO32-和OH-;加熱、蒸發(fā)、結(jié)晶.
練習(xí)冊系列答案
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

現(xiàn)有氯化鈉樣品(混有少量雜質(zhì)離子:Mg2+、Ca2+、SO42-),某同學(xué)設(shè)計了以下實驗方案對該樣品進行提純.

(1)所加物質(zhì)化學(xué)式A
BaCl2
BaCl2
;B
Na2CO3
Na2CO3
;C
稀HCl溶液
稀HCl溶液

(2)沉淀物的化學(xué)式M
BaSO4
BaSO4
;N
Mg(OH)2
Mg(OH)2
;P
BaCO3、CaCO3
BaCO3、CaCO3

(3)加入過量A溶液的目的是
除SO42-
除SO42-
,加入過量C溶液的目的
除過量的CO32-和OH-
除過量的CO32-和OH-
,加入過量的C溶液后要得到NaCl晶體的操作是
加熱、蒸發(fā)、結(jié)晶
加熱、蒸發(fā)、結(jié)晶

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

現(xiàn)有氯化鈉樣品(混有少量雜質(zhì)離子:Mg2+、Ca2+、SO42-),某同學(xué)設(shè)計了以下實驗方案對該樣品進行提純.

(1)所加物質(zhì)化學(xué)式A______;B______;C______.
(2)沉淀物的化學(xué)式M______;N______;P______.
(3)加入過量A溶液的目的是______,加入過量C溶液的目的______,加入過量的C溶液后要得到NaCl晶體的操作是______.

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科目:高中化學(xué) 來源:0123 期中題 題型:實驗題

現(xiàn)有氯化鈉樣品(混有少量雜質(zhì)離子:Mg2+、Ca2+、SO42-),某同學(xué)設(shè)計了以下實驗方案對該樣品進行提純。
(1)所加物質(zhì)化學(xué)式A________B________C________。
(2)沉淀物的化學(xué)式M________N________P________
(3)加入過量A溶液的目的是________,加入過量C溶液的目的是________,加入過量的C溶液后要得到NaCl晶體的操作是________。

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科目:高中化學(xué) 來源:2010-2011學(xué)年四川省成都市雙流縣棠湖中學(xué)高一(上)期中化學(xué)試卷(解析版) 題型:解答題

現(xiàn)有氯化鈉樣品(混有少量雜質(zhì)離子:Mg2+、Ca2+、SO42-),某同學(xué)設(shè)計了以下實驗方案對該樣品進行提純.

(1)所加物質(zhì)化學(xué)式A______;B______;C______.
(2)沉淀物的化學(xué)式M______;N______;P______.
(3)加入過量A溶液的目的是______,加入過量C溶液的目的______,加入過量的C溶液后要得到NaCl晶體的操作是______.

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