砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體,它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽埽榛墴襞輭勖瞧胀襞莸?00倍,而耗能只有其10%,推廣砷化鎵等發(fā)光二極管(LED)照明,是節(jié)能減排的有效舉措,已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。試回答下列問題
(1)下列說法正確的是 (選填序號)。
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B.第一電離能:As>Ga
C.電負性:As>Ga
D.砷和鎵都屬于p區(qū)元素
E.半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
(2)砷化鎵是將(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制備得到, 該反應(yīng)在700℃進行,反應(yīng)的方程式為: 。
AsH3空間形狀為: (CH3)3Ga中鎵原子雜化方式為: 。
(3)Ga的核外電子排布式為: 。
(4)AsH3沸點比NH3低,其原因是: 。
科目:高中化學 來源: 題型:
700℃ |
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科目:高中化學 來源:2010-2011學年廣東省高三下學期二輪復(fù)習綜合測試(4)理綜化學部分 題型:填空題
砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體,它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽埽榛墴襞輭勖瞧胀襞莸?00倍,而耗能只有其10%,推廣砷化鎵等發(fā)光二極管(LED)照明,是節(jié)能減排的有效舉措,已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。試回答下列問題
(1)下列說法正確的是 (選填序號)。
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B.第一電離能:As>Ga
C.電負性:As>Ga
D.砷和鎵都屬于p區(qū)元素
E.半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
(2)砷化鎵是將(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制備得到, 該反應(yīng)在700℃進行,反應(yīng)的方程式為: 。
AsH3空間形狀為: (CH3)3Ga中鎵原子雜化方式為: 。
(3)Ga的核外電子排布式為: 。
(4)AsH3沸點比NH3低,其原因是: 。
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