X、Y、Z、Q、W為按原子序數(shù)由小到大排列的五種短周期元素,已知:

①x元素與Q處于同一主族,其原子價(jià)電子排布式都為ns2np2,且x原子半徑小于Q的原子半徑;

②Y元素是地殼中含量最多的元素;w元素的電負(fù)性略小于Y元素;在w原子的電子排布中,P軌道上只有1個(gè)未成對(duì)電子;

③Z元素的電離能數(shù)據(jù)見(jiàn)下表(kJ·mol-1)

I1

I2

I3

I4

496

4562

6912

9540

 

(1)XY2分子空間構(gòu)型為_(kāi)___________________________。QX的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石的相似,其中X原子的雜化方式為_(kāi)______________,微粒間存在的作用力是____________。

(2)晶體ZW的熔點(diǎn)比晶體XW4明顯高的原因是______________。

(3)氧化物MO的電子總數(shù)與QX的相等,則M為_(kāi)____(填元素符號(hào))。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與ZW晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是___________________________________。

 

【答案】

(8分)(1)直線型(1分);sp3(1分);共價(jià)鍵(1分)

(2)氯化鈉為離子晶體而四氯化碳為分子晶體(2分)

(3)Mg(1);Mg2半徑比Ca2小,氧化鎂晶格能大(2分)

【解析】

試題分析:X、Y、Z、Q、W為按原子序數(shù)由小到大排列的五種短周期元素,X元素與Q處于同一主族,其原子價(jià)電子排布式都為ns2np2,且x原子半徑小于Q的原子半徑,則X和Q屬于第IVA族元素,所以X是C元素,Q是Si元素;Y元素是地殼中含量最多的元素,所以Y是O元素;W元素的電負(fù)性略小于Y元素,在W原子的電子排布中,p軌道上只有1個(gè)未成對(duì)電子,所以W是Cl元素。根據(jù)Z的電離能知,Z的第二電離能遠(yuǎn)大于第一電離能,所以Z是第IA族元素,且Z的原子序數(shù)大于Y,因此Z是Na元素。

(1)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知,CO2分子中中心碳原子含有的孤對(duì)電子對(duì)數(shù)=(4-2×2)÷2=0。由于分子中碳原子的價(jià)層電子數(shù)是2,所以二氧化碳的分子空間構(gòu)型為直線型,SiC的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石的相似,每個(gè)碳原子含有4個(gè)C-Si鍵,所以C原子的雜化方式為SP3,碳原子和硅原子之間以共價(jià)鍵相結(jié)合。

(2)一般來(lái)說(shuō),離子晶體熔點(diǎn)高于分子晶體,氯化鈉是離子晶體,四氯化碳是分子晶體,所以晶體NaCl的熔點(diǎn)比晶體CCl4明顯高。

(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,均為為20,則M是Mg元素,MgO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似,相同類(lèi)型的離子晶體中,晶格能與離子半徑成反比,晶格能越大其熔點(diǎn)越高,鎂離子半徑小于鈣離子半徑,所以氧化鎂的晶格能大,則MgO的熔點(diǎn)比CaO的高。

考點(diǎn):考查元素推斷、分子空間構(gòu)型、雜化軌道類(lèi)型、化學(xué)鍵、晶體熔點(diǎn)比較等

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2013?泰安二模)【化學(xué)一物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
X、Y、Z、Q、W為按原子序數(shù)由小到大排列的五種短周期元素,已知:
①x元素與Q處于同一主族,其原子價(jià)電子排布式都為ns2np2,且x原子半徑小于Q的原子半徑;
②Y元素是地殼中含量最多的元素;w元素的電負(fù)性略小于Y元素;在w原子的電子排布中,P軌道上只有1個(gè)未成對(duì)電子;
③Z元素的電離能數(shù)據(jù)見(jiàn)下表(kJ?mol-1
I1 I2 I3 I4
496 4562 6912 9540
(1)XY2分子空間構(gòu)型為
直線型
直線型
.QX的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石的相似,其中X原子的雜化方式為
SP3
SP3
,微粒間存在的作用力是
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵

(2)晶體ZW的熔點(diǎn)比晶體XW4明顯高的原因是
氯化鈉為離子晶體而四氯化碳是分子晶體
氯化鈉為離子晶體而四氯化碳是分子晶體

(3)氧化物MO的電子總數(shù)與QX的相等,則M為
Mg
Mg
(填元素符號(hào)).MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與ZW晶體相似.MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是
鎂離子半徑比鈣離子小,氧化鎂晶格能大
鎂離子半徑比鈣離子小,氧化鎂晶格能大

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2010-2011學(xué)年江西省吉安市高三第三次模擬考試(理綜)化學(xué)部分 題型:填空題

X、Y、Z、Q、W為按原予序數(shù)由小到大排列的五種短周期元素。已知:①X與Q處于同一主族,其原子價(jià)電子排布式都為ns2np2,且X原子半徑小于Q;②Y元素是地殼中含量最多的元素;W元素的電負(fù)性路小于Y元素,在W原子的價(jià)電子排布式中,p軌道上只有1個(gè)未成對(duì)電子;③Z元素的電離能數(shù)據(jù)見(jiàn)下表(kJ·mol-1

I1

I2

I3

I4

496

4562

6912

9540

請(qǐng)回答:

   (1)XY2分子的空間構(gòu)型為               

   (2)QX的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石的相似,微粒間存在的作用力是                 

   (3)晶體ZW的熔點(diǎn)比晶體XW4明顯高的原因是              。

   (4)XY2在高溫高壓下所形成的晶胞如圖所示。該晶體的類(lèi)型屬于     (選填“分子”、“原子”、“離子”或“金屬”)漏體,該晶體中X原子的雜化形式為_(kāi)__     。

   (5)氧化物MO的電子總數(shù)與QX的相等,則M為     。(填元素符號(hào));MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與ZW晶體結(jié)構(gòu)相似,MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是         。

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013年山東省泰安市高考化學(xué)二模試卷(解析版) 題型:解答題

【化學(xué)一物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
X、Y、Z、Q、W為按原子序數(shù)由小到大排列的五種短周期元素,已知:
①x元素與Q處于同一主族,其原子價(jià)電子排布式都為ns2np2,且x原子半徑小于Q的原子半徑;
②Y元素是地殼中含量最多的元素;w元素的電負(fù)性略小于Y元素;在w原子的電子排布中,P軌道上只有1個(gè)未成對(duì)電子;
③Z元素的電離能數(shù)據(jù)見(jiàn)下表
I1I2I3I4
496456269129540
(1)XY2分子空間構(gòu)型為_(kāi)_____.QX的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石的相似,其中X原子的雜化方式為_(kāi)_____,微粒間存在的作用力是______.
(2)晶體ZW的熔點(diǎn)比晶體XW4明顯高的原因是______.
(3)氧化物MO的電子總數(shù)與QX的相等,則M為_(kāi)_____(填元素符號(hào)).MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與ZW晶體相似.MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是______.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2011屆江西省吉安市高三第三次模擬考試(理綜)化學(xué)部分 題型:填空題

X、Y、Z、Q、W為按原予序數(shù)由小到大排列的五種短周期元素。已知:①X與Q處于同一主族,其原子價(jià)電子排布式都為ns2np2,且X原子半徑小于Q;②Y元素是地殼中含量最多的元素;W元素的電負(fù)性路小于Y元素,在W原子的價(jià)電子排布式中,p軌道上只有1個(gè)未成對(duì)電子;③Z元素的電離能數(shù)據(jù)見(jiàn)下表(kJ·mol-1

I1
I2
I3
I4

496
4562
6912
9540

請(qǐng)回答:
(1)XY2分子的空間構(gòu)型為               
(2)QX的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石的相似,微粒間存在的作用力是                 。
(3)晶體ZW的熔點(diǎn)比晶體XW4明顯高的原因是             。
(4)XY2在高溫高壓下所形成的晶胞如圖所示。該晶體的類(lèi)型屬于    (選填“分子”、“原子”、“離子”或“金屬”)漏體,該晶體中X原子的雜化形式為_(kāi)__    。

(5)氧化物MO的電子總數(shù)與QX的相等,則M為    。(填元素符號(hào));MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與ZW晶體結(jié)構(gòu)相似,MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是        。

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