Question

A、B、C、D、E、F是原子序數(shù)依次增大的六種短周期元素．A和E、D和F分別同主族，D的最外層電子數(shù)是E的最外層電子數(shù)的6倍，B是形成化合物種類最多的元素．
（1）能表示F元素中質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)相等的同位素符號是

 

；
（2）D在周期表中的位置是

 

；
（3）在一定條件下E和F可以形成化合物E₂F₂，其電子式為

 

；該物質(zhì)在固態(tài)時的晶體類型是

 

；
（4）B、C、D的氫化物的穩(wěn)定性由大到小的順序為

 

（用化學(xué)式表示）；C的氫化物和它的最高價氧化物對應(yīng)的水化物反應(yīng)生成Z，Z的水溶液呈

 

（填“酸”“堿”或“中”）性，用離子方程式表示其原因為

 

；
（5）元素A、D組成的單質(zhì)A₂、D₂在以CH₃COONa溶液為電解液，多孔碳棒為兩極時可構(gòu)成原電池．
①負極的電極反應(yīng)為

 

；
②隨電池放電，溶液中的c（Na⁺）

 

（填“增大”、“減小”或“不變”）．

Answer 1

考點：位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用

專題：元素周期律與元素周期表專題

分析：A、B、C、D、E、F是原子序數(shù)依次增大的六種短周期元素，B是形成化合物種類最多的元素，則B是C元素，
D的最外層電子數(shù)是E的最外層電子數(shù)的6倍，原子最外層電子數(shù)不超過8個，所以E的最外層電子數(shù)是1、D的最外層電子數(shù)是6，D的原子序數(shù)小于E，所以D是O元素、E是Na元素，D和F是同主族元素，所以F是S元素，A和E是同主族元素，A的原子序數(shù)小于B，所以A是H或Li元素，C的原子序數(shù)大于B而小于D，所以C是N元素，再結(jié)合原子、物質(zhì)結(jié)構(gòu)來分析解答．

解答： 解：A、B、C、D、E、F是原子序數(shù)依次增大的六種短周期元素，B是形成化合物種類最多的元素，則B是C元素，
D的最外層電子數(shù)是E的最外層電子數(shù)的6倍，原子最外層電子數(shù)不超過8個，所以E的最外層電子數(shù)是1、D的最外層電子數(shù)是6，D的原子序數(shù)小于E，所以D是O元素、E是Na元素，D和F是同主族元素，所以F是S元素，A和E是同主族元素，A的原子序數(shù)小于B，所以A是H或Li元素，C的原子序數(shù)大于B而小于D，所以C是N元素，
（1）F是S元素，F(xiàn)元素中其質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)相等的核素為

32 16

U，故答案為：

32 16

U；
（2）D是O元素，O原子核外有2個電子層，其最外層電子數(shù)是6，所以O(shè)元素位于第二周期第VIA族，故答案為：第2周期VIA族；
（3）在一定條件下E和F可以形成化合物Na₂S₂，Na₂S₂電子式為，該化合物中含有離子鍵，所以為離子晶體，故答案為：；離子晶體；
（4）同一周期元素中，元素的非金屬性隨著原子序數(shù)的增大而增強，元素的非金屬性越強，其氫化物越穩(wěn)定，非金屬性O(shè)＞N＞H，所以氫化物的穩(wěn)定性為H₂O＞NH₃＞CH₄，N的氫化物和它的最高價氧化物對應(yīng)的水化物反應(yīng)生成NH₄NO₃，硝酸銨為強酸弱堿鹽，銨根離子水解而使其溶液呈酸性，水解離子方程式為NH₄⁺+H₂O?NH₃?H₂O+H⁺，故答案為：H₂O＞NH₃＞CH₄；酸；NH₄⁺+H₂O?NH₃?H₂O+H⁺；
（5）①元素A、D組成的單質(zhì)A₂、D₂在以CH₃COONa溶液為電解液，則A是H元素，則H₂、O₂在以CH₃COONa溶液為電解液形成燃料電池，氫氣易失電子發(fā)生氧化反應(yīng)，和醋酸根離子反應(yīng)生成醋酸，負極反應(yīng)式為H₂-2e^-+2CH₃COO^-=2CH₃COOH，故答案為：H₂-2e^-+2CH₃COO^-=2CH₃COOH；
②隨著反應(yīng)的進行，陽極上氧氣得電子和氫離子反應(yīng)生成水，導(dǎo)致溶液體積增大，所以鈉離子濃度減小，故答案為：減�。�

點評：本題考查了位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系及應(yīng)用，熟悉元素周期表及原子結(jié)構(gòu)是解本題關(guān)鍵，根據(jù)元素之間的關(guān)系確定元素，再結(jié)合元素周期律、物質(zhì)結(jié)構(gòu)、原電池原理等知識點來分析解答，易錯點是（5）②，溶液中鈉離子個數(shù)不變，但因為有水生成導(dǎo)致溶液體積增大，則鈉離子濃度減小，為易錯點．