極X和陰極Y電解Z的水溶液，電解一段時(shí)間后，再加入W，能使溶液恢復(fù)到電解前的狀態(tài)，則下表符合題意的一組是（　�。�
組號(hào) X Y Z W
A C Fe NaCl H2O
B Pt Cu CuSO4 CuSO4溶液
C C C H2SO4 H2O
D Ag Fe AgNO3 AgNO3溶液
分析：電解質(zhì)在通電一段時(shí)間，再加入W，能使溶液恢復(fù)到電解前的狀態(tài)，說(shuō)明依據(jù)電解原理分析電解了什么物質(zhì)，要想讓電解質(zhì)復(fù)原，就要加入溶液中減少的物質(zhì)．
解答：解：A、以Fe和C為電極，電解氯化鈉，陽(yáng)極氯離子放電，陰極氫離子放電，通電一段時(shí)間后為氫氧化鈉溶液，電解的是氯化鉀和水，故A錯(cuò)誤；
B、以Pt和Cu為電極，電解硫酸銅，陽(yáng)極氫氧根離子放電，陰極銅離子放電，通電一段時(shí)間后為硫酸溶液，需要加入氧化銅或碳酸銅恢復(fù)難度，故B錯(cuò)誤；
C、以C為電極，電解硫酸，陽(yáng)極氫氧根離子放電，陰極氫離子放電，相當(dāng)于電解水，通電一段時(shí)間后仍為硫酸溶液，可以加水讓溶液復(fù)原，故C正確；
D、以Ag和Fe為電極，電解AgNO3，陽(yáng)極銀離子放電，陰極銀離子放電，相當(dāng)于電鍍，通電一段時(shí)間后仍為AgNO3溶液，且濃度不變，不需要加AgNO3固體恢復(fù)原樣，故D錯(cuò)誤．
故選C．
點(diǎn)評(píng)：本題考查學(xué)生電解原理的知識(shí)，理解電解過(guò)程的物質(zhì)變化和被電解的物質(zhì)是解題關(guān)鍵，可以根據(jù)所學(xué)知識(shí)來(lái)回答，難度中等．
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相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2012-2013學(xué)年河南省原名校高三下學(xué)期第二次聯(lián)考理綜化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

氮化硅（ Si3N4）是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途．

I．工業(yè)上有多種方法來(lái)制備氮化硅，常見(jiàn)的方法有：

方法一：直接氮化法：在1300℃－1400℃時(shí)，高純粉狀硅與純氮?dú)饣�，其反�?yīng)方程式為

                                                                   。

方法二：化學(xué)氣相沉積法：在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮?dú)�、氫氣反�?yīng)生成氮化硅和HC1，與方法一相比，用此法制得的氮化硅純度較高，其原因是                   ．

方法三：Si（NH2）4熱分解法：先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si（NH2）4和一種氣體（填分子式）________；然后使Si（NH2）4受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為               。

II．工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下：

已知：X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng)，Y與X在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng)，Z的焰色呈黃色．

（1）原料B的主要成分是（寫(xiě)名稱(chēng)）                                  。

（2）寫(xiě)出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式：                            。

（3）上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時(shí)，陽(yáng)極材料能否用Cu                （填“能”或“不能”），寫(xiě)出Cu為陽(yáng)極電解A的水溶液開(kāi)始一段時(shí)間陰陽(yáng)極的電極方程式：

陽(yáng)極：                             ；陰極：                            。

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2010-2011學(xué)年安徽知名省高三第一次聯(lián)合統(tǒng)考（理綜）化學(xué)部分 題型：填空題

氮化硅（Si3N4）是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。

I．工業(yè)上有多種方法來(lái)制備氮氦化硅，常見(jiàn)的方法有：

方法一  直接氦化法：在1300~1400℃時(shí)，高純粉狀硅與純氦氣化合，其反應(yīng)方程式為

                                                                           

方法二  化學(xué)氣相沉積法：在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氦氣、氫氣反應(yīng)生成氦化硅和HCl，與方法一相比，用此法制得的氦化硅純度較高，其原因是             。

方法三  Si（NH­2）4熱分解法：先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si（NH­2）4和一種氣體

          （填分子式）；然后使Si（NH2）4受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為              。

II．（1）氨化硅抗腐蝕能力很強(qiáng)，但易被氫氟酸腐蝕，氨化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽，此鹽中存在的化學(xué)鍵類(lèi)型有                  。

   （2）已知：25℃，101kPa條件下的熱化學(xué)方程式：

        3Si（s）+2N2（g）==Si3N4（s）   △H=—750.2kJ/mol

        Si（s）+2Cl2（g）==SiCl4（g）   △H=—609.6kJ/mol

        H2（g）+Cl2（g）==HCl（g） △H=—92.3kJ/mol

        請(qǐng)寫(xiě)出四氯化硅氣體與氮?dú)�、氫氣反�?yīng)的熱化學(xué)方程式：

                                                                             。

III．工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下：

 

    已知：X，高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng)，Y與X在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng)，Z的焰色呈黃色。

   （1）原料B的主要成分是               。

   （2）寫(xiě)出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式：                  。

   （3）上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時(shí)，陽(yáng)極材料能否用Cu？   （填“能”或“不能”）。

        寫(xiě)出Cu為陽(yáng)極電解A的水溶液開(kāi)始一段時(shí)間陰陽(yáng)極的電極方程式：

        陽(yáng)極：                      ；陰極：                    。

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

極X和陰極Y電解Z的水溶液，電解一段時(shí)間后，再加入W，能使溶液恢復(fù)到電解前的狀態(tài)，則下表符合題意的一組是（　�。�
組號(hào) X Y Z W
A C Fe NaCl H2O
B Pt Cu CuSO4 CuSO4溶液
C C C H2SO4 H2O
D Ag Fe AgNO3 AgNO3溶液
A．AB．BC．CD．D

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2012-2013學(xué)年貴州省遵義市湄潭中學(xué)高三（上）期末化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

極X和陰極Y電解Z的水溶液，電解一段時(shí)間后，再加入W，能使溶液恢復(fù)到電解前的狀態(tài)，則下表符合題意的一組是（ ）
組號(hào)XYZW
ACFeNaClH2O
BPtCuCuSO4CuSO4溶液
CCCH2SO4H2O
DAgFeAgNO3AgNO3溶液

A．A
B．B
C．C
D．D

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