根據(jù)下列幾種物質(zhì)的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)數(shù)據(jù),判斷下列有關(guān)說(shuō)法中,錯(cuò)誤的是 | |
[ ] | |
A. |
SiCl4是分子晶體 |
B. |
單質(zhì)B是原子晶體 |
C. |
AlCl3加熱能升華 |
D. |
MgCl2所含離子鍵的強(qiáng)度比NaCl大 |
三類(lèi)不同的晶體由于形成晶體的粒子和粒子間的作用力不同,因而表現(xiàn)出不同的性質(zhì).原子晶體具有高的熔、沸點(diǎn),硬度大,不能導(dǎo)電.而離子晶體也具有較高的熔沸點(diǎn)、較大的硬度,在溶液中或熔化狀態(tài)下能導(dǎo)電.分子晶體熔、沸點(diǎn)低,硬度小,不導(dǎo)電,熔化時(shí)無(wú)化學(xué)鍵斷裂,據(jù)這些性質(zhì)可確定晶體類(lèi)型.根據(jù)上述性質(zhì)特點(diǎn)及表中數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,NaCl的熔、沸點(diǎn)均比MgCl2高,所以NaCl晶體中的離子鍵應(yīng)比MgCl2強(qiáng),故D不正確. |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
| NaCl | MgCl2 | AlCl3 | SiCl4 | 單質(zhì)B |
熔點(diǎn) | 810 ℃ | 710 ℃ | 180 ℃ | -68 ℃ | 2300 ℃ |
沸點(diǎn) | 1465 ℃ | 1418 ℃ | 160 ℃ | 57 ℃ | 2500 ℃ |
A.SiCl4是分子晶體
B.單質(zhì)B可能是原子晶體
C.AlCl3加熱能升華
D.NaCl的鍵的強(qiáng)度比MgCl2的小
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
| NaCl | MgCl2 | AlCl3 | SiCl4 | 單質(zhì)B |
熔點(diǎn)/℃ | 810 | 710 | 180 | 68 | 2300 |
沸點(diǎn)/℃ | 1 465 | 1 418 | 160 | 57 | 2 500 |
A.SiCl4是分子晶體
B.單質(zhì)B可能是原子晶體
C.AlCl3加熱不能升華
D.NaCl的鍵的強(qiáng)度比MgCl2大
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
| NaCl | MgCl2 | AlCl3 | SiCl4 | 單質(zhì)硼 |
熔點(diǎn)/℃ | 810 | 710 | 180 | -68 | 2 300 |
沸點(diǎn)/℃ | 1 465 | 1 418 | 160 | 57 | 2 500 |
A.SiCl4是分子晶體 B.單質(zhì)硼可能是原子晶體
C.AlCl3加熱能升華 D.NaCl的鍵的強(qiáng)度比MgCl2的小
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
根據(jù)下表給出的幾種物質(zhì)的熔沸點(diǎn)數(shù)據(jù),判斷下列有關(guān)說(shuō)法中錯(cuò)誤的是( 。
NaCl | MgCl2 | AlCl3 | SiCl4 | 單質(zhì)B | |
熔點(diǎn)/℃ | 810 | 710 | 180 | -68 | 2300 |
沸點(diǎn)/℃ | 1465 | 1418 | 160 | 57 | 2500 |
A.SiCl4是分子晶體
B.單質(zhì)B可能是原子晶體
C.AlCl3加熱能升華
D.NaCl的鍵的強(qiáng)度比MgCl2的小
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2011-2012學(xué)年福建省晉江市四校高三第二次聯(lián)合考試化學(xué)試卷 題型:選擇題
根據(jù)表中給出的幾種物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)數(shù)據(jù),判斷下列有關(guān)說(shuō)法中錯(cuò)誤的是( )
|
NaCl |
MgCl2 |
AlCl3 |
SiCl4 |
單質(zhì)B |
熔點(diǎn) |
810 ℃ |
710℃ |
190℃ |
—68℃ |
2 300℃ |
沸點(diǎn) |
1465℃ |
1 418℃ |
182℃ |
57℃ |
2 500℃ |
A.SiCl4是分子晶體 B.單質(zhì)B可能是原子晶體
C.AlCl3加熱能升華 D.NaCl中鍵的強(qiáng)度比MgCl2的小
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