【題目】（多選）在t℃時(shí)，Ag2CrO4（橘紅色）在水中的沉淀溶解平衡曲線如圖所示．又知t℃時(shí)AgBr的Ksp=5.0×10﹣13 ， 下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ）

A.t℃時(shí)，Ag2CrO4的Ksp為1×10﹣8
B.在飽和Ag2CrO4溶液中加入K2CrO4不能使溶液由Y點(diǎn)變?yōu)閄點(diǎn)
C.一定溫度下Y點(diǎn)和Z點(diǎn)時(shí)Ag2CrO4的Ksp相等
D.在t℃時(shí)，Ag2CrO4（s）+2Br﹣（aq）2AgBr（s）+CrO42﹣（aq）平衡常數(shù)K=4.0×1010

【答案】AD
【解析】解：A．Ksp（Ag2CrO4）=c（CrO42﹣）c2（Ag+）=（1×10﹣5）×（1×10﹣3）2=1×10﹣11 ， 故A錯(cuò)誤；B．飽和Ag2CrO4溶液中加入K2CrO4 ， c（CrO42﹣）增大，平衡逆向移動(dòng)，則c（Ag+）減小，而Y點(diǎn)變?yōu)閄點(diǎn)c（Ag+）不變，不能使溶液由Y點(diǎn)變?yōu)閄點(diǎn)，故B正確；
C．沉淀溶解平衡曲線上的點(diǎn)均為平衡點(diǎn)，Ksp只與溫度有關(guān)，則一定溫度下Y點(diǎn)和Z點(diǎn)時(shí)Ag2CrO4的Ksp相等，故C正確；
D．在t℃時(shí)，Ag2CrO4（s）+2Br﹣（aq）2AgBr（s）+CrO42﹣（aq）平衡常數(shù)K= = = =2.0×1014 ， 故D錯(cuò)誤；
故選AD．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】聚乳酸(PLA)是以有機(jī)酸——乳酸為原料生產(chǎn)的新型聚酯材料，性能勝于現(xiàn)有塑料聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯等材料，是新世紀(jì)最具發(fā)展前途的新型包裝材料，是環(huán)保包裝材料中的一顆明星。日本鐘紡公司以玉米為原料發(fā)酵生產(chǎn)聚乳酸，利用聚乳酸制成生物降解性發(fā)泡材料。該材料的強(qiáng)度、緩沖性、耐藥性等與聚苯乙烯塑料相同，經(jīng)焚燒后不污染環(huán)境，還可肥田。下列說(shuō)法不正確的是( )
A.聚乳酸使用后能被自然界中微生物完全降解，最終生成二氧化碳和水，不污染環(huán)境
B.聚乳酸適用于吹塑、熱塑等各種加工方法，加工方便，應(yīng)用十分廣泛
C.聚乳酸(PLA)是一種天然高分子、對(duì)環(huán)境友好的聚酯材料
D.聚乳酸是以淀粉發(fā)酵(或化學(xué)合成)得到的，以乳酸為基本原料制備的一種聚酯材料

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】下圖是傳統(tǒng)的工業(yè)生產(chǎn)金屬鋁的基本流程圖，結(jié)合鋁生產(chǎn)的流程圖解答下列各題：

（1）工業(yè)冶煉金屬鋁用的是鋁土礦，鋁土礦的主要成分是(填化學(xué)式)。石油煉制和煤的干餾產(chǎn)品(填物質(zhì)名稱(chēng))作電解鋁的陰極和陽(yáng)極材料。
（2）氧化鋁熔點(diǎn)高達(dá)2050℃，工業(yè)上為了降低能量消耗，在金屬鋁的冶煉中采取的措施是。
（3）在冶煉過(guò)程中，陽(yáng)極材料需要定期地進(jìn)行更換，原因是該極材料不斷被消耗，產(chǎn)生這種現(xiàn)象的原因是：(用化學(xué)方程式表示)。
（4）工業(yè)上制取金屬鎂時(shí)是電解熔融MgCl2 ， 電解反應(yīng)方程式為 ， 鎂和鋁都是活潑金屬，為什么在電解冶煉過(guò)程中，一個(gè)用氯化物，一個(gè)用氧化物。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】在“HI(s) → HI(g) → H2和I2”的變化過(guò)程中，被破壞的作用力依次是

A. 分子間作用力、分子間作用力B. 分子間作用力、共價(jià)鍵

C. 共價(jià)鍵、離子鍵D. 共價(jià)鍵、共價(jià)鍵

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】防止鋼鐵的腐蝕是世界級(jí)難題，每年全世界鋼產(chǎn)量的四分之一因腐蝕而損失

（1）鋼鐵腐蝕主要是吸氧腐蝕，該腐蝕過(guò)程中的電極反應(yīng)式為、。
（2）為降低某水庫(kù)的鐵閘門(mén)的被腐蝕速率，可以采用圖甲方案，其中焊接在鐵閘門(mén)上的固體材料R可以采用________。
A.銅
B.鈉
C.鋅
D.石墨
（3）圖乙所示方案也可降低鐵閘門(mén)的被腐蝕速率，其中鐵閘門(mén)應(yīng)該連接在直流電源的極。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】相等物質(zhì)的量的CO和CO2的下列比較中正確的是（）

所含的分子數(shù)目之比為1：1

所含的氧原子數(shù)目之比為1：1

所含的原子總數(shù)目之比為2：3

所含的碳原子數(shù)目之比為1：1

A. B. C. D.

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用焦炭在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì))，粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450～500℃)，四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下：
a．四氯化硅遇水極易水解；
b．硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物；
c．有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表：

物 質(zhì)

SiCl4

BCl3

AlCl3

FeCl3

PCl5

沸點(diǎn)/℃

57.7

12.8

－

315

－

熔點(diǎn)/℃

－70.0

－107.2

－

－

－

升華溫度/℃

－

－

180

300

162


請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）寫(xiě)出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式。
（2）裝置A中g(shù)管的作用是；裝置C中的試劑是；裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是。
（3）裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾(類(lèi)似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是(填寫(xiě)元素符號(hào))。
（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預(yù)處理，使鐵元素還原成
Fe2＋ ， 再用KMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定，反應(yīng)的離子方程式是：5Fe2＋＋MnO4－＋8H＋=5Fe3＋＋Mn2＋＋4H2O
①滴定前是否要滴加指示劑？(填“是”或“否”)，請(qǐng)說(shuō)明理由。
②某同學(xué)稱(chēng)取5.000g殘留物，經(jīng)預(yù)處理后在容量瓶中配制成100mL溶液，移取25.00mL試樣溶液，用1.000×10－2mol·L－1KMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)，消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00mL，則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】在[Cu(NH3)4]2＋離子中NH3與中心離子Cu2＋結(jié)合的化學(xué)鍵是(　　)

A.離子鍵B.非極性鍵C.極性鍵D.配位鍵

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽(yáng)能電池，第二代為多晶硅、非晶硅等太陽(yáng)能電池，第三代就是銅銦鎵硒CIGS(CIS中摻入Ga)等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池。亞銅離子(Cu+)基態(tài)時(shí)的價(jià)電子排布式表示為________。

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