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(08年廣州卷)科學家一直致力研究常溫、常壓下“人工圍氮”的新方法。曾有實驗報道:在常溫、常壓、學照條件下,N2在催化劑(摻有少量Fe2O3的TiO2)表面與水發(fā)生反應,生成的主要產物為NH3。進一步研究NH3生成量與溫度的關系,部分實驗數據見下表(光照、N2壓力1.0×105Pa、反應時間3 h):

T/K

303

313

323

353

NH3生成量/(10-6mol)

4.8

5.9

6.0

2.0

相應的熱化學方程式如下:

N2(g)+3H2O(1)=2NH3(g)+O2(g)    ΔH=+765.2kJ?mol-1

回答下列問題:

(1)       請在答題卡的坐標圖中畫出上述反應在有催化劑與無催化劑兩種情況下反應過程中體系能量變化示意圖,并進行必要標注。

(2)       與目前廣泛使用的工業(yè)合成氨方法相比,該方法中固氮反應速率慢。請?zhí)岢隹商岣咂浞磻俾是以龃驨H3生成量的建議:    (3)       工業(yè)合成氨的反應為N2(g)+3H2(g)         2NH3(g)。設在容積為2.0L的密閉容器中充入0.60mol N2(g)和1.60 mol H2(g),.反應在一定條件下達到平衡時,NH3的物質的量分數(NH2的物質的量與反應體系中總的物質的量之比)為。計算:

①  該條件下N2的平衡轉化率;

②該條件下反應2NH3(g)            N2(g)+3H2(g)的平衡常數。

 

答案:(1)畫圖略,

 (2)請?zhí)岢隹商岣咂浞磻俾是以龃驨H3生成量的建議:升高溫度,增大反應物N2的濃度,不斷移出生成物脫離反應體系。

 

(3)平衡轉化率:66.7%  平衡常數為0.005

要點:

1.催化劑可降低反應的活化能,但對這各反應前后能量變化并不產生任何影響。

2.該反應為吸熱反應,所以反應物的總能量要低于生成物的總能量。

 

該反應正反應是吸熱反應,升高溫度,使化學平衡向正反應方向移動,從而增大NH3生成量,升高溫度也能提高反應速率;增大反應N2濃度,加快反應速率,并使化學平衡向右移動;不斷移出生成物脫離反應體系,使平衡向右移動,增大NH3生成量。 

練習冊系列答案
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(08年全國卷Ⅱ)右圖為直流電源電解稀Na2SO4水溶液的裝置。通電后在石墨電極a和b附近分別滴加一滴石蕊試液,下列實驗現象中正確的是()

   A. 逸出氣體的體積a電極的小于b電極的

   B. 一電極逸出無味氣體,另一電極逸出刺激性氣味氣體

   C. a電極附近呈紅色,b電極附近出現藍色

   D. a電極附近呈藍色,b電極附近出現紅色

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(08年上海卷)取一張用飽和的NaCl溶液浸濕的pH試紙,兩根鉛筆芯作電極,接通直流電源,一段時間后,發(fā)現a電極與試紙接觸處出現一個雙色同心圓,內圈為白色,外圈呈淺紅色。則下列說法錯誤的是 ( )                        

A.b電極是陰極                                                          B.a電極與電源的正極相連

C.電解過程中水是氧化劑                                      D.b電極附近溶液的pH變小

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(08年海南卷)(11分)如何防止鐵的銹蝕是工業(yè)上研究的重點內容。為研究鐵銹蝕的影響因素,某同學做了如下探究實驗:

序號

內容

實驗現象

1

常溫下將鐵絲放在干燥空氣中一個月

干燥的鐵絲表面依然光亮

2

常溫下將鐵絲放在潮濕空氣中一小時 

鐵絲表面依然光亮 

3

常溫下將鐵絲放在潮濕的空氣中一個月

鐵絲表面已變得灰暗

4

將潮濕的鐵絲放在常溫的氧氣流中一小時

鐵絲表面略顯灰暗

5

將潮濕的鐵絲放在高于常溫的氧氣流中一小時

鐵絲表面已變得灰暗

6

將浸過氯化鈉溶液的鐵絲放在高于常溫的氧氣流中一小時

鐵絲表面灰暗程度比實驗5嚴重

回答以下問題:                                                        

(1)上述實驗中發(fā)生了電化學腐蝕的是(填實驗序號) __________; 在電化學腐 蝕中,負極反應是________________; 正極反應是_______________________;                                                                                                         

(2)由該實驗可知,可以影響鐵銹蝕速率的因素是_________________________;                                                                                                     

 (3)為防止鐵的銹蝕,工業(yè)上普遍采用的方法是______________(答兩種方法)    

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(08年廣東卷)硅單質及其化合物應用范圍很廣。請回答下列問題:

制備硅半導體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當前制備高純硅的主要方法,生產過程示意圖如下:

①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學反應方程式________。

②整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應生成H2SiO3、HCl和另一種物質,寫出配平的化學反應方程式____;H2還原SihCl3過程中若混02,可能引起的后果是______     。

(2)下列有頭硅材料的詳法正確的是_____    (填字母)。

A.碳化硅化學性質穩(wěn)定,可用于生產耐高溫水混

B.氮化硅硬度大、熔點高,可用于制作高溫陶瓷和軸承

C.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂的,其熔點很高

D.鹽酸可以與硅反應,故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

E.鹽酸可以和硅反應,故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液,振蕩。寫出實驗現象并給予解釋_____。

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