【題目】用鐵片與稀硫酸反應(yīng)制取氫氣時，下列措施不能使氫氣生成速率加大的是

A. 加熱

B. 不用稀硫酸，改用98％的硫酸

C. 滴加少量CuSO4溶液

D. 不用鐵片，改用鐵粉

【答案】B

【解析】

試題分析：A、加熱溫度升高，反應(yīng)速率加快，A正確；B、濃硫酸與鐵在常溫下鈍化，得不到氫氣，B錯誤；C、滴加少量CuSO4溶液鐵能置換出銅，構(gòu)成原電池，加快反應(yīng)速率，C正確；D. 不用鐵片，改用鐵粉，增大反應(yīng)物的接觸面積，反應(yīng)速率加快，D正確，答案選B。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】如圖是MgSO4、NaCl的溶解度曲線。下列說法正確的是（ ）

A．MgSO4的溶解度隨溫度升高而升高

B．NaCl的溶解度比MgSO4的溶解度大

C．在t2℃時，MgSO4飽和溶液的溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)最大

D．把MgSO4飽和溶液的溫度從t3℃降至t2℃時，有晶體析出

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】某研究性學(xué)習(xí)小組將甲、乙、丙裝置連接如圖，除G、H外所有電極均為惰性電極。電解一段時間后，D電極質(zhì)量增加。試回答下列問題：

（1）電源A極是____極（填“正”或“負(fù)”）；乙裝置F電極附近的現(xiàn)象是____。

（2）欲用丙裝置給銅鍍銀。G應(yīng)該是____（填“Ag”或“Cu”）。

（3）如用甲醇燃料電池（如圖）充當(dāng)電源，寫出負(fù)極的電極反應(yīng)方程式：____；若用丁裝置（如圖）代替乙裝置，寫出丁裝置中反應(yīng)的總化學(xué)方程式是____。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】下列離子方程式，正確的是

A. 澄清石灰水中通入過量二氧化碳：Ca2+ +2OH +CO2 ＝CaCO3↓+H2O

B. 碳酸鈉溶液中加入二氧化硅：CO32 +SiO2＝SiO32 +CO2↑

C. 二氧化硅與燒堿溶液反應(yīng)：SiO2 +2OH ＝SiO32+H2↑

D. 硅酸與燒堿溶液中和：H2SiO3 +2OH ＝ SiO32+2H2O

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】下列事實(shí)不能作為判斷非金屬性強(qiáng)弱依據(jù)的是

A. 單質(zhì)的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)高低

B. 非金屬之間發(fā)生的置換反應(yīng)

C. 非金屬與氫氣生成氣態(tài)氫化物的難易程度

D. 非金屬元素的最高價氧化物對應(yīng)的水化物的酸性強(qiáng)弱

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】Ⅰ己知1 mol NO2和1mol CO反應(yīng)生成CO2和NO過程中能量變化如下圖所示。

（1）請寫出NO2和CO反應(yīng)的熱化學(xué)方程式________________________。

Ⅱ某溫度時，在0.5L密閉容器中，某一反應(yīng)的A、B氣體物質(zhì)的量隨時間變化的曲線如圖所示，由圖中數(shù)據(jù)分析求得：

（2）該反應(yīng)的化學(xué)方程式為_________________。

（3）反應(yīng)開始至4min時，B的平均反應(yīng)速率為___________。

（4）第4min時，正、逆反應(yīng)速率的大小關(guān)系為：v（正）_______v（逆）（填“＞”、“<”或“=”，下同）。

（5）第8min時，v（正）______v（逆）。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】對于反應(yīng)A(g)+3B(g）2C(g)+2D(g)來說，下列四種不同情況下的反應(yīng)速率最快的是

A．v (A）=0.15 mol/(Ls）

B．v(B）=0.6 mol/(Ls)

C．v(C）=0.4 mol/(Ls）

D．v(D）=0.45 mol/(Ls)

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】某媒體以《中國醬油遭遇歐盟高門檻》為題，報(bào)道了我國廣東某地生產(chǎn)的醬油很可能在歐洲市場被判死刑，從而失去幾百萬美元的份額一事，其原因是醬油中的氯丙醇嚴(yán)重超標(biāo)．三氯丙醇（分子中只含一個羥基）的同分異構(gòu)體有（—OH和—Cl不在同一個C原子上）（ ）

A. 3種 B. 4種 C. 5種 D. 6種

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】元素單質(zhì)及其化合物有廣泛用途，請根據(jù)周期表中第三周期元素相關(guān)知識回答下列問題：

（1）按原子序數(shù)遞增的順序(稀有氣體除外)，以下說法正確的是

a．原子半徑和離子半徑均減小

b．金屬性減弱，非金屬性增強(qiáng)

c．氧化物對應(yīng)的水化物堿性減弱，酸性增強(qiáng)

d．單質(zhì)的熔點(diǎn)降低

（2）原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素名稱為 ，氧化性最弱的簡單陽離子是 。

（3）已知：

化合物

MgO

Al2O3

MgCl2

AlCl3

類型

離子化合物

離子化合物

離子化合物

共價化合物

熔點(diǎn)/℃

2800

2050

714

191

工業(yè)制鎂時，電解MgCl2而不電解MgO的原因是 ；

制鋁時，電解Al2O3而不電解AlCl3的原因是 。

（4）晶體硅(熔點(diǎn)1410 ℃)是良好的半導(dǎo)體材料。由粗硅制純硅過程如下：

寫出SiCl4的電子式： ；在上述由SiCl4制純硅的反應(yīng)中，測得每生成1.12 kg純硅需吸收a kJ熱量，寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：

（5）P2O5是非氧化性干燥劑，下列氣體不能用濃硫酸干燥，可用P2O5干燥的是

a．NH3 b．HI c．SO2 d．CO2

（6）KClO3可用于實(shí)驗(yàn)室制O2，若不加催化劑，400 ℃時分解只生成兩種鹽，其中一種是無氧酸鹽，另一種鹽的陰陽離子個數(shù)比為1∶1。寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式：

（7）工業(yè)上，通過如下轉(zhuǎn)化可制得KClO3晶體：

完成Ⅰ中反應(yīng)的總化學(xué)方程式：

Ⅱ該反應(yīng)過程能析出KClO3晶體而無其他晶體析出的原因是 。

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