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2004年9月英國《自然》雜志報道，日本科學家攻克了碳化硅鍛造過程中的難關，可以用碳化硅來代替硅制成芯片。這種芯片不僅具有硬度高、抗高溫、抗輻射等特點，而且可靠性更強，它的運用可能在電腦、汽車甚至航天領域引發(fā)一次不小的“革命”。下列有關碳化硅(SiC)的說法不正確的是(    )

A.晶體硅和晶體碳化硅都是原子晶體

B.碳化硅是一種新型的無機非金屬材料

C.制取碳化硅的反應：SiO2+3CSiC+2CO↑中，SiO2是氧化劑，C是還原劑

D.碳化硅的熔點比晶體硅高

解析：這是一道有關新材料、新工藝的試題，選項A、B顯然正確；在合成反應中，硅的化合價沒有改變，所以碳既是氧化劑也是還原劑，故C不正確；由于共價鍵C—C比Si—C鍵長更短，鍵能更大，所以碳化硅熔點應比晶體硅高，D正確。

答案：C

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科目：高中化學 來源： 題型：

2004年9月3日英國《自然》雜志報道，碳化硅是已知最硬的物質之一，其單晶體可制作半導體材料。但正是由于它硬度高，熔化及鍛制的過程相當費勁，而且制成的晶片容易產生瑕疵，如雜質、氣泡等，這些物質會嚴重影響或削弱電流。因此，碳化硅一直無法被用來制造芯片。日本研究人員稱，他們找到了鍛制碳化硅晶體的新方法，使碳化硅晶片成本低、用途廣、性能更可靠。下列有關碳化硅（SiC）的有關說法錯誤的是

A. 晶體硅和晶體碳化硅都是原子晶體

B. 碳化硅是一種新型的無機非金屬材料

C. 碳化硅的熔點比晶體硅高

D. 制取碳化硅的反應：SiO2＋3CSiC＋2CO↑中，SiO2是氧化劑，C是還原劑

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