電子排布式為[Ar]3d54s2的元素是（　�。�
分析：電子排布式為[Ar]3d54s2的元素，其質(zhì)子數(shù)為25，為Mn元素，處于周期表中第四周期ⅦB族．稀有氣體的外圍電子排布為1s2或ns2np6，主族元素的外圍電子排布為nsa或ns2npb，鹵族元素的外圍電子排布為ns2np5．
解答：解：電子排布式為[Ar]3d54s2的元素，其質(zhì)子數(shù)為25，為Mn元素，處于周期表中第四周期ⅦB族，屬于過渡元素．故ACD錯(cuò)誤，B正確．
故選：B
點(diǎn)評：考查原子結(jié)構(gòu)與位置關(guān)系、元素周期表等，難度不大，注意理解核外電子排布規(guī)律．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

有A、B、C、D四種元素，其中A、B、C屬于同一周期，A原子最外層p能級的電子數(shù)等于次外層的電子總數(shù)；B原子最外層中有三個(gè)不成對的電子；C元素可分別與A、B、D生成RC2型化合物，其中的DC2與C3互為等電子體．下列敘述中不正確的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

瑞典皇家科學(xué)院宣布，將2010年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)授予  英國曼徹斯特大學(xué)科學(xué)家安德烈?海姆和康斯坦丁?諾沃肖洛夫，以表彰他們在石墨烯材料方面的卓越研究．石墨烯是由碳原子構(gòu)成的單層片狀結(jié)構(gòu)的新材料．具有原子級的厚度、優(yōu)異的電學(xué)性能、出色的化學(xué)穩(wěn)定性和熱力學(xué)穩(wěn)定性．制備石墨烯方法有石墨剝離法、化學(xué)氣相沉積法等．石墨烯的球棍模型及分子結(jié)構(gòu)如圖1所示．
（1）下列有關(guān)石墨烯說法正確的是
BD
BD
．（填序號(hào)）
A．石墨烯中的C原子雜化方式均為sp3
B．石墨烯分子中所有原子可以處于同一平面
C．石墨烯與石墨互為同位素
D．12g石墨烯含σ鍵數(shù)為1.5NA
（2）化學(xué)氣相沉積法是制備石墨烯的方法之一，該方法包括如下步驟：將帶有催化劑的襯底放入無氧的反應(yīng)器中，使襯底的溫度達(dá)到500～1200℃，然后向所述反應(yīng)器中通入含碳物質(zhì)，得到石墨烯．其中，催化劑為金、銅或鈷等金屬或合金，含碳物質(zhì)可以是甲烷、乙炔、苯、乙醇或酞菁等中的一種或任意組合．
①基態(tài)鈷原子的外圍電子排布式為
[Ar]3d74s2
[Ar]3d74s2
．
②乙醇沸點(diǎn)比氯乙烷高，主要原因是
乙醇分子間可形成氫鍵，而氯乙烷分子間無氫鍵
乙醇分子間可形成氫鍵，而氯乙烷分子間無氫鍵
．
③如圖2是金與銅形成的合金的一個(gè)晶胞，晶體中Au與Cu的原子個(gè)數(shù)比為
1：3
1：3
．每個(gè)Au原子周圍等距離且最近的Cu原子數(shù)為
12
12
．
④乙炔可由CaC2與水反應(yīng)制得，與CaC2中C22-互為等電子體的有
N2
N2
、
O22+
O22+
．（寫出符合條件的一種分子和一種離子的化學(xué)式）

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

[化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
研究物質(zhì)結(jié)構(gòu)是為更好的掌握物質(zhì)的性質(zhì)．
（1）第四周期過渡元素在性質(zhì)上存在一些特殊性，在前沿科技中應(yīng)用廣泛．
①銅為第四周期過渡元素，其基態(tài)原子電子排布式為
[Ar]3d104s1
[Ar]3d104s1
，請解釋金屬銅能導(dǎo)電的原因
銅是由自由電子和金屬陽離子通過金屬鍵形成，自由電子在外電場中可以定向移動(dòng)，所以能導(dǎo)電．
銅是由自由電子和金屬陽離子通過金屬鍵形成，自由電子在外電場中可以定向移動(dòng)，所以能導(dǎo)電．
．
②金屬鎳粉在CO氣流中輕微加熱，生成液態(tài)Ni（CO）4分子．423K時(shí)，Ni（CO）4分解為Ni和CO，從而制得高純度的Ni粉．試推測Ni（CO）4易溶于下列
bc
bc
．
a．水       b．四氯化碳       c．苯       d．硫酸鎳溶液
③在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到深藍(lán)色的[Cu（NH3）4]SO4晶體，晶體中含有的化學(xué)鍵除普通共價(jià)鍵外，還有
離子鍵、配位鍵
離子鍵、配位鍵
．
（2）已知：下表是14種元素的電負(fù)性的數(shù)值（用X表示）．
元素 Al B Be C Cl F Li
X 1.5 2.0 1.5 2.5 2.8 4.0 1.0
元素 Mg Na O P S Si Fe
X 1.2 0.9 3.5 2.1 2.5 1.7 1.8
①經(jīng)驗(yàn)規(guī)律告訴我們：當(dāng)形成化學(xué)鍵的兩原子相應(yīng)元素的X差值大于1.7時(shí)，所形成的一般為離子鍵，如NaCl；當(dāng)小于1.7時(shí)，一般為共價(jià)鍵，如AlCl3．請寫出鐵元素和表中非金屬元素形成的常見共價(jià)化合物：
FeCl3或FeS
FeCl3或FeS
．
②氣態(tài)氯化鋁通常以二聚分子形式存在，分子式為Al2Cl6，分子中所有原子均達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則Al2Cl6的結(jié)構(gòu)式為
．
③由表中兩種元素形成的化合物中，分子中既含有σ鍵又含有π鍵，且二者數(shù)目相同的有（寫一個(gè)即可）
CO2或CS2
CO2或CS2
，其分子空間構(gòu)型為
直線型
直線型
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

（2013?青島一模）[化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代．第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池．完成下列填空：
（1）亞銅離子（Cu+）基態(tài)時(shí)的電子排布式為
[Ar]3d10
[Ar]3d10
；
（2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?!--BA-->
Br＞As＞Se
Br＞As＞Se
 （用元素符號(hào)表示），用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋
As、Se、Br原子半徑依次減小，原子核對外層電子的吸引力依次增強(qiáng)，元素的第一電離能依次增大；Se原子最外層電子排布為4s24p4，而As原子最外層電子排布為4s24p3，p電子排布處于半充滿狀態(tài)，根據(jù)洪特規(guī)則特例可知，半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大
As、Se、Br原子半徑依次減小，原子核對外層電子的吸引力依次增強(qiáng)，元素的第一電離能依次增大；Se原子最外層電子排布為4s24p4，而As原子最外層電子排布為4s24p3，p電子排布處于半充滿狀態(tài)，根據(jù)洪特規(guī)則特例可知，半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大
；
（3）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性（價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù)），其化合物可與具有孤對電子的分子或離子生成加合物，如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3?NH3． BF3?NH3中B原子的雜化軌道類型為
sp3
sp3
，B與N之間形成
配位
配位
鍵；
（4）單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂（SiC）結(jié)構(gòu)；在SiC中，每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目為
12
12
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2010?揚(yáng)州模擬）工業(yè)上以氯化鉀和鈦白廠的副產(chǎn)品硫酸亞鐵為原料可得到硫酸鉀、過二硫酸鈉和鐵紅顏料等產(chǎn)品，該方法原料的綜合利用率較高．
（1）基態(tài)鈦原子的核外電子排布式為
[Ar]3d24s2
[Ar]3d24s2
．
（2）TiCl4在常溫下是一種無色液體，而FeCl3可用升華法提純，則兩種氯化物均屬于
分子
分子
晶體．
（3）SO42-和 S2O82-（過二硫酸根）結(jié)構(gòu)中，硫原子均位于由氧原子組成的四面體的中心，且所有原子的最外層電子均滿足8電子結(jié)構(gòu)．下列說法正確的是
B
B
．
A．SO42-中存在σ鍵和π鍵且與PO43-離子互為等電子體
B．S2O82-中存在非極性鍵且有強(qiáng)氧化性
C．S2O82-比SO42-穩(wěn)定且兩者的氧元素的化合價(jià)相同
（4）KCl與MgO的晶體結(jié)構(gòu)跟NaCl的晶體結(jié)構(gòu)相似，則KCl與MgO兩者中熔點(diǎn)高的是
MgO
MgO
，原因是
均為離子晶體，而Mg2+與O2-半徑和小于K+與Cl-半徑和且MgO中陰陽離子所帶電荷均比KCl中陰陽離子所帶電荷多，故MgO晶格能比KCl大，熔點(diǎn)高
均為離子晶體，而Mg2+與O2-半徑和小于K+與Cl-半徑和且MgO中陰陽離子所帶電荷均比KCl中陰陽離子所帶電荷多，故MgO晶格能比KCl大，熔點(diǎn)高
．
（5）硫與氯可形成化合物SCl2，則該分子中硫原子的雜化方式為
sp3
sp3
，分子的空間構(gòu)型為
V形（折線形）
V形（折線形）
．
（6）在一定條件下鐵形成的晶體的基本結(jié)構(gòu)單元如圖1和圖2所示，則圖1和圖2的結(jié)構(gòu)中鐵原子的配位數(shù)之比為
2：3
2：3
．

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