下列原子中，易通過得電子或失電子形成像Ne原子一樣的電子層結(jié)構(gòu)的粒子是

[　　]

A．

Li

B．

Na

C．

S

D．

Cl

答案：B
解析：

Ne的原子結(jié)構(gòu)示意圖為．Li原子易失去電子變?yōu)長i+離子，Li+離子的結(jié)構(gòu)示意圖為．Na原子易失去電子變?yōu)镹a+離子，Na+離子的結(jié)構(gòu)示意圖為．S原子可得到電子形成S2－離子，S2－離子的結(jié)構(gòu)示意圖為．Cl原子易得到電子形成Cl－離子，Cl－離子的結(jié)構(gòu)示意圖為．


提示：

Ne的電子層結(jié)構(gòu)是穩(wěn)定的電子層結(jié)構(gòu)之一．電子層結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的粒子，性質(zhì)也穩(wěn)定．


練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

[化學(xué)-選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)．請回答下列問題：
（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為
M
M
，該能層具有的原子軌道數(shù)為
9
9
、電子數(shù)為
4
4
．
（2）硅主要以硅酸鹽、
二氧化硅
二氧化硅
等化合物的形式存在于地殼中．
（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以
共價鍵
共價鍵
相結(jié)合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)
3
3
個原子．
（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷（SiH4）分解反應(yīng)來制備．工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為
Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2
Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2
．
（5）碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關(guān)事實：
化學(xué)鍵 C-C C-H C-O Si-Si Si-H Si-O
鍵能/（kJ?mol-1） 356 413 336 226 318 452
①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多，原因是
C-C鍵和C-H鍵較強(qiáng)，所形成的烷烴穩(wěn)定．而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低，易斷裂，導(dǎo)致長鏈硅烷難以生成．
C-C鍵和C-H鍵較強(qiáng)，所形成的烷烴穩(wěn)定．而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低，易斷裂，導(dǎo)致長鏈硅烷難以生成．
．
②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是
C-H鍵的鍵能大于C-O鍵，C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定．而Si-H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si-O鍵，所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si-O鍵
C-H鍵的鍵能大于C-O鍵，C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定．而Si-H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si-O鍵，所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si-O鍵
．
（6）在硅酸鹽中，SiO
 
4-
4
四面體（如下圖（a））通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式．圖（b）為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為
sp3
sp3
，Si與O的原子數(shù)之比為
1：3
1：3
，化學(xué)式為
SiO32-
SiO32-
．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

配位鍵是一種特殊的共價鍵，即共用電子對由某原子單方面提供和另一提供空軌道的粒子結(jié)合．如NH
 
+
4
就是由NH3（氮原子提供電子對）和H+（提供空軌道）通過配位鍵形成的．據(jù)此，回答下列問題：
（1）下列粒子中可能存在配位鍵的是
BD
BD
．
A．CO2    B．H3O+   C．CH4   D．NH
 
+
4

（2）硼酸（H3BO3）溶液呈酸性，試寫出其電離方程式：
H3BO3+H2O=H++[B（OH）4]-
H3BO3+H2O=H++[B（OH）4]-
．
（3）科學(xué)家對H2O2結(jié)構(gòu)的認(rèn)識經(jīng)歷了較為漫長的過程，最初科學(xué)家提出了兩種觀點：
甲：（式中O→O表示配位鍵，在化學(xué)反應(yīng)中O→O鍵遇到還原劑時易斷裂）
乙：HOOH化學(xué)家Baeyer和Villiyer為研究H2O2的結(jié)構(gòu)，設(shè)計并完成了下列實驗：
a．將C2H5OH與濃H2SO4反應(yīng)生成（C2H5）2SO4和水；
b．將制得的（C2H5）2SO4與H2O2反應(yīng)，只生成A和H2SO4；
c．將生成的A與H2反應(yīng)（已知該反應(yīng)中H2作還原劑）．
①如果H2O2的結(jié)構(gòu)如甲所示，實驗c中化學(xué)反應(yīng)方程式為（A寫結(jié)構(gòu)簡式）
．
②為了進(jìn)一步確定H2O2的結(jié)構(gòu)，還需要在實驗c后添加一步實驗d，請設(shè)計d的實驗方案：
用無水硫酸銅檢驗c的反應(yīng)產(chǎn)物中有沒有水生成
用無水硫酸銅檢驗c的反應(yīng)產(chǎn)物中有沒有水生成
．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列原子中，易通過得電子或失電子形成像Ne原子一樣的電子層結(jié)構(gòu)的粒子是(    )

A.Li               B.Na                  C.S                 D.Cl

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源：2013年全國普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試?yán)砜凭C合能力測試化學(xué)（新課標(biāo)Ⅰ卷解析版） 題型：填空題

[化學(xué)—選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]（15分）

硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請回答下列問題：

（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為       ，該能層具有的原子軌道數(shù)為        、電子數(shù)為           。

（2）硅主要以硅酸鹽、           等化合物的形式存在于地殼中。

（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以           相結(jié)合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)          個原子。

（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷（SiH4）分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為                                     。

（5）碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關(guān)事實：

化學(xué)鍵

C—C

C—H

C—O

Si—Si

Si—H

Si—O

鍵能/(kJ?mol-1

356

413

336

226

318

452

 

①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多，原因是      。

②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是                           。

（6）在硅酸鹽中，SiO4- 4四面體（如下圖（a））通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖（b）為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為      ，Si與O的原子數(shù)之比為         ，化學(xué)式為                  。

 

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊答案