Question

太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池，第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池，第三代就是銅銦鎵硒CIGs（CIS中摻入Ga）等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。

（1）亞銅離子（Cu⁺）基態(tài)時的價電子排布式表示為                。

（2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序為    （用元素符號表示）。

（3）Cu晶體的堆積方式是          （填堆積名稱），其配位數(shù)為        ；往Cu的硫酸鹽溶液中加入過量氨水，可生成[Cu(NH₃)₄]SO₄，下列說法正確的是_____

A．[Cu (NH₃)₄]SO₄中所含的化學鍵有離子鍵、極性鍵和配位鍵

B．在[Cu(NH₃)₄ ]²⁺中Cu²⁺給出孤對電子，NH₃提供空軌道

C．[Cu (NH₃)₄]SO₄組成元素中第一電離能最大的是氧元素

D．SO₄^2-與PO₄^3-互為等電子體，空間構(gòu)型均為正四面體

（4）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H₃BO₃）溶于水顯弱酸性，但它卻只是一元酸，可以用硼酸在水溶液中的電離平衡解釋它只是一元弱酸的原因。

①H₃BO₃中B的原子雜化類型為          ；

②寫出硼酸在水溶液中的電離方程式          。

（5）硅與碳是同一主族元素，其中石墨為混合型晶體，已知石墨的層 間距為335pm,C-C鍵長為142pm,計算石墨晶體密度（要求寫出計算過程，得出結(jié)果保留三位有效數(shù)字,N_A為6.02×10²³mol^-1）

 

 

Answer 1

【答案】

（1）3d¹⁰（1分）

（2）Br〉As〉Se（2分）

（3）12 （2分）      面心立方最密堆積   AD（2分）

（4）①sp²（2分）②（2分）

（5）石墨的層間距為335pm，可以認為一層石墨的厚度是335pm。對某一層石墨中的一個六元環(huán)，正六邊形環(huán)的邊長是142pm，面積S=6×1/2×142×142sin(π/3)=52387.6pm²。環(huán)的厚度h=335pm那么一個環(huán)占有的體積V=Sh=52387.6×335=1.754×10⁷pm³=1.754×10^-23cm³。六元環(huán)中每個C原子都被3個環(huán)共用，一個環(huán)實際有2個C原子。一個環(huán)的質(zhì)量m=2M/N_A=2×12.01/(6.023×10²³)=3.988×10^-23g。

所以，石墨的密度ρ=m/V=3.988/1.754=2.27g/cm³。（4分）

【解析】

試題分析：（1）銅是29號元素，銅原子失去一個電子變成亞銅離子，所以亞銅離子核外有28個電子，根據(jù)構(gòu)造原理寫出其核外電子排布式基態(tài)銅離子（Cu⁺）的價電子排布式為：3d¹⁰

（2）同一周期中元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢，但第VA族元素最外層p軌道處于半充滿狀態(tài)較穩(wěn)定，第一電離能大于其相鄰元素；As、Se、Br屬于同一周期且原子序數(shù)逐漸增大，這三種元素依次屬于第IVA族、第VA族、第VIA族，3種元素的第一電離能從大到小順序為Br＞As＞Se；

（3）金屬銅為面心立方堆積，配位數(shù)為12；在[Cu(NH₃)₄]SO₄中含有離子鍵、極性鍵和配位鍵；配位鍵的形成：NH₃給出孤對電子，Cu²⁺提供空軌道；同一周期中元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢，但第VA族元素最外層p軌道處于半充滿狀態(tài)較穩(wěn)定，第一電離能大于其相鄰元素；同一族中元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈減小的趨勢，所以第一電離能最大的為氮元素；選A、D；

（4）①H₃BO₃中B原子和三個羥基相連，具有具有平面三角的構(gòu)形，B是sp²雜化；②H₃BO₃為缺電子化合物，溶于水后和水電離產(chǎn)生的OH^-通過配位鍵結(jié)合形成[B(OH)₄]^-，故H₃BO₃的電離方程式為

考點：考查核外電子排布、第一電離能大小的比較、雜化方式的判斷、配位數(shù)的判斷、晶胞結(jié)構(gòu)結(jié)合豐富想象力進行分析解答。．