已知:A、B、C、D、E、F、G七種元素的核電荷數(shù)依次增大,屬于元素周期表中前四周期的元素。其中A原子在基態(tài)時(shí)p軌道半充滿且電負(fù)性是同族元素中最大的;D、E原子核外的M層中均有兩個(gè)未成對電子;G原子核外最外層電子數(shù)與B相同,其余各層均充滿。B、E兩元素組成化合物B2E的晶體為離子晶體。C、F的原子均有三個(gè)能層,C原子的第一至第四電離能(kJ/mol)分別為:578、1817、2745、ll575;C與F能形成原子數(shù)目比為1:3、熔點(diǎn)為190℃的化合物Q。
(1)B的單質(zhì)晶體為體心立方堆積模型,其配位數(shù)為 ;E元素的最高價(jià)氧化物分子的立體構(gòu)型是 。F元素原子的核外電子排布式是 ,F(xiàn)的高價(jià)離子與A的簡單氫化物形成的配離子的化學(xué)式為 .
(2)試比較B、D分別與F形成的化合物的熔點(diǎn)高低并說明理由 。
(3)A、G形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。若阿伏伽德羅常數(shù)為NA,該化合物晶體的密度為 a g/cm3,其晶胞的邊長為 cm。
(4)在1.0l×105 Pa、t1℃時(shí),氣體摩爾體積為53.4 L/mol,實(shí)驗(yàn)測得Q的氣態(tài)密度為5.00g/L,則此時(shí)Q的組成為(寫化學(xué)式) 。
(共14分)(1)8(2分) 平面三角形(2分) 1s22s22p63s23p5(2分) [Cu(NH3)4]2+(2分)
(2)NaCl的熔點(diǎn)高于SiCl4,因?yàn)镹aCl是離子晶體,SiCl4是分子晶體。(2分)
(3)(2分) (4)Al2Cl6(2分)
【解析】
試題分析:A、B、C、D、E、F、G七種元素的核電荷數(shù)依次增大,屬于元素周期表中前四周期的元素。其中A原子在基態(tài)時(shí)p軌道半充滿且電負(fù)性是同族元素中最大的,因此A是N。D、E原子核外的M層中均有兩個(gè)未成對電子,則D的M層為3s2 3p2, 是Si。E的M層為3s2 3p4,是S。B、E兩元素組成化合物B2E的晶體為離子晶體,所以B為IA族的金屬,B應(yīng)該是鈉元素。G原子核外最外層電子數(shù)與B相同,其余各層均充滿,且G的原子序數(shù)最大,因此G是銅。C、F的原子均有三個(gè)能層,因此C、F在第三周期。C的逐級電離能前三個(gè)數(shù)據(jù)接近,第四電離能突變,所以易失去三個(gè)電子,為第ⅢA族元素,C是鋁。C與F能形成原子數(shù)目比為1:3、熔點(diǎn)為190℃的化合物Q ,說明F為-1價(jià),即F為Cl元素,Q是AlCl3。
(1)金屬鈉的單質(zhì)晶體為體心立方堆積模型,其配位數(shù)為8;E元素的最高價(jià)氧化物分子是三氧化硫,其中心原子S原子含有的孤對電子對數(shù)=(6-3×2)÷2=0,所以三氧化硫分子的立體構(gòu)型是平面三角形。根據(jù)構(gòu)造原理可知,Cl元素原子的核外電子排布式是1s22s22p63s23p5;G的高價(jià)離子Cu2+與A的簡單氫化物NH3形成的配離子的化學(xué)式為[Cu(NH3)4]2+。
(2)B、D分別與F形成的化合物分別是氯化鈉和四氯化硅。因?yàn)镹aCl是離子晶體,SiCl4是分子晶體,所以NaCl的熔點(diǎn)高于SiCl4。
(3)根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)可知,N原子在頂點(diǎn),含有的個(gè)數(shù)=8×=1個(gè)。銅在棱邊,含有的個(gè)數(shù)=12×=3個(gè),即化學(xué)式為Cu3N。設(shè)邊長為x cm,則×NA=1,解得x=。
(4)根據(jù)M=ρ×Vm=5.00g/L×53.4L/mol=267,是AlCl3相對分子質(zhì)量的267÷133.5=2倍,所以其化學(xué)式為Al2Cl6。
考點(diǎn):考查元素周期表的結(jié)構(gòu)以及元素原子的核外電子排布;配位健、晶體結(jié)構(gòu)、晶體熔點(diǎn)判斷以及晶體的有關(guān)計(jì)算等
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