Question

無(wú)機(jī)非金屬材料的主角--硅是地殼中含量居第二位的元素．信息技術(shù)依賴的計(jì)算機(jī)芯片主要是晶體硅，而光纖材料的主要成分是二氧化硅．
（1）在元素周期表中，硅和碳處于同一縱行，它們的最高價(jià)氧化物性質(zhì)迥異．SiO₂的熔點(diǎn)高、硬度大，而干冰熔點(diǎn)低硬度小易升華，其原因是

SiO₂是原子晶體，干冰是分子晶體，原子晶體的熔點(diǎn)高于分子晶體．

．
（2）寫出SiO₂與NaOH反應(yīng)的離子方程式：

SiO₂+2OH^-=SiO₃^2-+H₂O

．
（3）寫出SiO₂與Na₂CO₃高溫下反應(yīng)的化學(xué)方程式：

Na₂CO₃+SiO₂

高溫  .

Na₂SiO₃+CO₂↑

．
（4）H₂CO₃的酸性強(qiáng)于H₂SiO₃的酸性．在Na₂SiO₃溶液中，通入CO₂或SO₂都可以得到H₂SiO₃
沉淀，同時(shí)生成Na₂CO₃或Na₂SO₃．CO2-3的空間構(gòu)型是

平面三角形

，SO2-3的空間構(gòu)型是

三角錐形

．
（5）硅酸鹽是一些結(jié)構(gòu)復(fù)雜的固態(tài)物質(zhì)，通常用氧化物的形式表示其組成．某硅酸鹽可表示為：Mg_a（Si₄O₁₀）（OH）_b（其中a、b為正整數(shù)）．
①a能不能等于2？

不能

（填“能”、“不能”或“無(wú)法確定”）．
②a與b應(yīng)滿足的關(guān)系是（寫表達(dá)式）

2a=b+4

．
③a=3時(shí)，此硅酸鹽的表達(dá)式是（以氧化物的形式表示）

3MgO?4SiO₂?H₂O

．

Answer 1

分析：（1）根據(jù)原子晶體的熔點(diǎn)高于分子晶體；
（2）根據(jù)二氧化硅能與氫氧化鈉反應(yīng)生成硅酸鈉和水；
（3）碳酸鈉與二氧化硅在高溫條件下反應(yīng)生成硅酸鈉和二氧化碳；
（4）根據(jù)碳原子和硫原子的雜化方式來(lái)分析；
（5）①硅酸鹽的化學(xué)式可寫成氧化物的形式，根據(jù)原子守恒從而找出a與b應(yīng)滿足的關(guān)系，根據(jù)a與b的取值范圍判斷
②硅酸鹽的化學(xué)式可寫成氧化物的形式，根據(jù)原子守恒從而找出a與b應(yīng)滿足的關(guān)系
③根據(jù)a、b的關(guān)系計(jì)算b值，從而確定該化學(xué)式；

解答：解：（1）SiO₂是原子晶體，干冰是分子晶體，而原子晶體的熔點(diǎn)高于分子晶體，故答案為：SiO₂是原子晶體，干冰是分子晶體；
（2）二氧化硅能與氫氧化鈉反應(yīng)生成硅酸鈉和水，反應(yīng)的化學(xué)方程式為：SiO₂+2NaOH═Na₂SiO₃+H₂0，離子方程式：SiO₂+2OH^-=SiO₃^2-+H₂O；故答案為：SiO₂+2OH^-=SiO₃^2-+H₂O；
（3）碳酸鈉與二氧化硅在高溫條件下反應(yīng)生成硅酸鈉和二氧化碳：Na₂CO₃+SiO₂

高溫  .

Na₂SiO₃+CO₂↑，故答案為：
Na₂CO₃+SiO₂

高溫  .

Na₂SiO₃+CO₂↑；
（4）CO₃ ^2-中碳原子的雜化方式為SP²，離子的空間構(gòu)型為平面三角形，SO₃^2-中硫原子的雜化方式SP²，離子的空間構(gòu)型為三角錐形，故答案為：平面三角形、三角錐形；
（5）①硅酸鹽Mg _a（Si₄O₁₀）（OH）_b以氧化物的形式表示為aMgO?4SiO₂?b/2H₂O，根據(jù)O原子守恒得：
a+8+b/2=10+b，化簡(jiǎn)后得2a=b+4，且a、b都大于0，當(dāng)a=2時(shí)，b=0，a能不能等于2，故答案為：不能；
②硅酸鹽Mg _a（Si₄O₁₀）（OH）_b以氧化物的形式表示為aMgO?4SiO₂?b/2H₂O，共用O原子守恒得：
a+8+b/2=10+b，化簡(jiǎn)后得2a=b+4，故答案為：2a=b+4；
（3）當(dāng)a=3時(shí)，b=2，所以該硅酸鹽的化學(xué)式為3MgO?4SiO₂?H₂O，故答案為：3MgO?4SiO₂?H₂O．

點(diǎn)評(píng)：本題考查了化學(xué)方程式的書(shū)寫、硅酸鹽中硅酸鹽與氧化物的相互書(shū)寫換算，在書(shū)寫時(shí)要注意原子守恒．