下列實驗裝置圖和相關(guān)操作正確的是

      

C


解析:

在A項中，稱量氫氧化鈉固體時，氫氧化鈉是不能直接放在濾紙上進(jìn)行稱量，因為氫氧化鈉固體易潮解，應(yīng)放在小燒杯中進(jìn)行稱量。在B項中，將溶液轉(zhuǎn)移到容量瓶中時，應(yīng)用玻璃棒進(jìn)行引流，它沒有用玻璃棒進(jìn)行引流； C項，HCl氣體出口不和水接觸.可防止倒吸. 在D項中，分離硝酸鉀與氯化鈉不能用蒸餾法，應(yīng)用降溫結(jié)晶法。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

（2011?武漢模擬）某實驗小組欲制取氧化銅并證明氧化銅能加快氯酸鉀的分解，進(jìn)行了如下實驗：
（一）制取氧化銅
①稱取2gCuSO4?5H2O研細(xì)后倒入燒杯，加10mL蒸餾水溶解；
②向上述CuSO4溶液中逐滴加入NaOH溶液，直到不再產(chǎn)生沉淀，然后將所得混合物轉(zhuǎn)移到蒸發(fā)皿，加熱至沉淀全部變?yōu)楹谏?BR>③將步驟②所得混合物過濾、洗滌，晾干后研細(xì)備用．
回答下列問題：
（1）上述實驗步驟中需要使用玻璃棒的是
①②③
①②③
（填實驗序號），步驟①、③中研磨固體所用儀器的名稱是
研缽
研缽
；
（2）步驟③中洗滌沉淀的操作是
沿玻璃棒向漏斗中沉淀加蒸餾水至浸沒沉淀，待水自然流出后，重復(fù)2-3次，
沿玻璃棒向漏斗中沉淀加蒸餾水至浸沒沉淀，待水自然流出后，重復(fù)2-3次，
．
（二）證明氧化銅能加快氯酸鉀的分解并與二氧化錳的催化效果進(jìn)行比較，用右圖裝置進(jìn)行實驗，實驗時均以生成25mL氣體為準(zhǔn)，其它可能影響實驗的因素均已忽略，相關(guān)數(shù)據(jù)見表：
實驗序號 KClO3質(zhì)量 其它物質(zhì)質(zhì)量 待測數(shù)據(jù)
④ 1.2g 無其他物質(zhì)
⑤ 1.2g CuO  0.5g
⑥ 1.2g MnO2  0.5g
回答下列問題：
（3）上述實驗中的“待測數(shù)據(jù)”指
產(chǎn)生25mL氣體所需時間
產(chǎn)生25mL氣體所需時間
；
（4）本實驗裝置圖中量氣裝置B由干燥管、乳膠管和50mL滴定管改造后組裝而成，此處所用滴定管是
堿式
堿式
（填“酸式”或“堿式”）滴定管；
（5）若要證明實驗⑤中干燥管內(nèi)收集的氣體是O2，可待氣體收集結(jié)束后，用彈簧夾夾住B中乳膠管，拔去干燥管上單孔橡皮塞，
用帶火星的木條靠近，若復(fù)燃則證明收集的氣體是氧氣．
用帶火星的木條靠近，若復(fù)燃則證明收集的氣體是氧氣．
；
（6）為探究CuO在實驗⑤中是否起催化作用，需補(bǔ)做如下實驗（無需寫出具體操作）：
a．
檢測CuO反應(yīng)前后質(zhì)量是否改變
檢測CuO反應(yīng)前后質(zhì)量是否改變
，b．CuO的化學(xué)性質(zhì)有沒有改變．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

用下列實驗裝置進(jìn)行的相關(guān)實驗，能達(dá)到實驗?zāi)康氖牵ā　。?br />精英家教網(wǎng)
A、用圖1所示裝置除去Cl2中含有的少量HClB、用圖2所示裝置蒸干NH4HCO3飽和溶液制備NH4HCO3晶體C、用圖3所示裝置制取少量純凈的CO2氣體D、用圖4所示裝置分離CCl4萃取碘水后已分層的有機(jī)層和水層

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源：2013-2014學(xué)年云南省部分名校高三第一次聯(lián)考（11月）理綜化學(xué)試卷（解析版） 題型：實驗題

高純度單晶硅是典型的無機(jī)非金屬材料，是制備半導(dǎo)體的重要材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計算機(jī)的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備：用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度為450～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖。

相關(guān)信息：a．四氯化硅遇水極易水解；b．硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應(yīng)的氯化物；c．有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：

物質(zhì)

SiCl4

BCl3

AlCl3

FeCl3

PCl5

沸點/℃

57.7

12.8

—

315

—

熔點/℃

－70.0

－107.2

—

—

—

升華溫度/℃

—

—

180

300

162

 

請回答下列問題：

（1）儀器e的名稱為               ，裝置A中f管的作用是                           ，其中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為                                              。

（2）裝置B中的試劑是                      。

（3）某學(xué)習(xí)小組設(shè)計了以下兩種實驗方案：方案甲：g接裝置Ⅰ；方案乙：g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個方案中虛線內(nèi)裝置均有不足之處，請你評價后填寫下表。

方案

不足之處

甲

 

乙

 

 

（4）在上述（3）的評價基礎(chǔ)上，請設(shè)計一個合理方案：                                   。

（5）通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是            （填寫元素符號）。

 

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源：2014屆甘肅省高三上學(xué)期期中考試?yán)砭C化學(xué)試（解析版） 題型：實驗題

高純度單晶硅是典型的無機(jī)非金屬材料，是制備半導(dǎo)體的重要材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計算機(jī)的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備：用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度為450～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖。

相關(guān)信息：a．四氯化硅遇水極易水解；b．硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應(yīng)的氯化物；c．有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：

物質(zhì)

SiCl4

BCl3

AlCl3

FeCl3

PCl5

沸點/℃

57.7

12.8

—

315

—

熔點/℃

－70.0

－107.2

—

—

—

升華溫度/℃

—

—

180

300

162

 

請回答下列問題：

（1）儀器e的名稱為____________，裝置A中f管的作用是_______________________________________，其中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為_____        ____________________________________     _______。

（2）裝置B中的試劑是____________。

（3）某學(xué)習(xí)小組設(shè)計了以下兩種實驗方案：方案甲：g接裝置Ⅰ；方案乙：g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個方案中虛線內(nèi)裝置均有不足之處，請你評價后填寫下表。

方案

不足之處

甲

 

乙

 

 

（4）在上述（3）的評價基礎(chǔ)上，請設(shè)計一個合理方案：___________     ________                  。

（5）通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是    （填寫元素符號）。

 

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊答案