C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。
(1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式__________ 從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)開______________
(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為______________,微粒間存在的作用力是____________。
(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為_______(填元素符號(hào))。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是__________________。
(4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述π 鍵。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述π鍵。_____________________________________

(1)1s22s22p63s23p2;O>C>Si
(2)sp3;共價(jià)鍵
(3)Mg;Mg2+半徑比Ca2+小,MgO晶格能大
(4)C的原子半徑較小,C、O原子能充分接近,p-p軌道肩并肩重疊程度較大,形成較穩(wěn)定的π鍵,Si的原子半徑較大,Si、O原子間距離較大,p-p軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
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    科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

    (2011?松江區(qū)模擬)C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位.
    (1)寫出Si原子核外最外層電子排布式
    3s23p2
    3s23p2
    . C、Si和O元素的原子半徑由小到大的順序?yàn)?!--BA-->
    O<C<Si
    O<C<Si

    (2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,微粒間存在的作用力是
    共價(jià)鍵
    共價(jià)鍵
    .SiC晶體熔點(diǎn)
     晶體硅(填<、>、=).
    (3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則MCl2水溶液顯
    酸性
    酸性
    性,相關(guān)的離子方程式
    Mg2++2H2O?Mg(OH)2+2H+
    Mg2++2H2O?Mg(OH)2+2H+

    (4)C、Si為同一主族的元素,證明兩者非金屬性強(qiáng)弱的事實(shí)有
    將二氧化碳通入硅酸鈉溶液中,有硅酸鈉沉淀析出,根據(jù)強(qiáng)酸制取弱酸知,碳酸的酸性大于硅酸的酸性,所以碳的非金屬性大于硅的非金屬性.
    將二氧化碳通入硅酸鈉溶液中,有硅酸鈉沉淀析出,根據(jù)強(qiáng)酸制取弱酸知,碳酸的酸性大于硅酸的酸性,所以碳的非金屬性大于硅的非金屬性.
    .(舉一例說(shuō)明)

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    科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

    (2009?山東)(化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì))C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位.
    (1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式
    1s22s22p63s23p2
    1s22s22p63s23p2

    從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?!--BA-->
    O>C>Si
    O>C>Si

    (2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為
    sp3
    sp3
    ,微粒間存在的作用力是
    共價(jià)鍵
    共價(jià)鍵

    (3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為
    Mg
    Mg
    (填元素符號(hào)).MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似.MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是
    Mg2+半徑比Ca2+小,MgO晶格能大
    Mg2+半徑比Ca2+小,MgO晶格能大

    (4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同.CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述π健.從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述π鍵
    Si的原子半徑較大,Si、O原子間距離較大,p-p軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
    Si的原子半徑較大,Si、O原子間距離較大,p-p軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成上述穩(wěn)定的π鍵

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    科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解

    C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位.
    (1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式
    1s22s22p63s23p2
    1s22s22p63s23p2
    .從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?!--BA-->
    O>C>Si
    O>C>Si

    (2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為
    sp3
    sp3
    ,微粒間存在的作用力是
    共價(jià)鍵
    共價(jià)鍵

    (3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為
    Mg
    Mg
    (填元素符號(hào)),MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似,MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是
    Ca2+的離子半徑大于Mg2+,MgO的晶格能大
    Ca2+的離子半徑大于Mg2+,MgO的晶格能大

    (4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同.CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述π。畯脑影霃酱笮〉慕嵌确治,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述π健
    Si、O原子間距離較大,p-p軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
    Si、O原子間距離較大,p-p軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成上述穩(wěn)定的π鍵

    (5)有A、B、C三種物質(zhì),每個(gè)分子中都各有14個(gè)電子,其中A的分子屬于非極性分子,且只有非極性鍵;B的分子也屬于非極性分子,但既有非極性鍵,又有極性鍵;C的分子屬于極性分子.則可推出:A的電子式是
    ,B的結(jié)構(gòu)式是
    H-C≡C-H
    H-C≡C-H

    (6)已知Si-Si鍵能為176kJ/mol,Si-O鍵能為460kJ/mol,O=O鍵能為497.3kJ/mol.則可計(jì)算出1mol硅與足量氧氣反應(yīng)時(shí)將放出
    =-990.7
    =-990.7
    kJ的熱量.

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    科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

    (化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì))

    C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。

    (1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式    。

    從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?u>    。

    (2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為    ,微粒間存在的作用力是    。

    (3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為    (填元素符號(hào))。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是    。

    (4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述    。

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    科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2009年普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試?yán)砭C試題化學(xué)部分(山東卷) 題型:選擇題

    (化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì))www.7caiedu.cn

    C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。

    (1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式    。

    從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?u>    。

    (2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為    ,微粒間存在的作用力是    。

    (3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為    (填元素符號(hào))。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是    。

    (4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述    。

     

     

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