Question

【題目】短周期主族元素X、Y、Z、M、W的原子序數(shù)依次遞增，X的簡單陰離子與He原子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)，Y基態(tài)原子未成對電子數(shù)在所處周期中最多，M是地殼中含量最多的金屬元素，W原子最外層電子數(shù)是K層電子數(shù)的3倍，Z、W同主族。

（1）下列說法正確的是______。

A.原子半徑：

B.X、Y、Z三種元素只能形成共價化合物

C.W的簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性比Z的強

D.M的單質(zhì)能溶于W的最高氧化物對應水化物的稀溶液

（2）X、Y、Z、M、W五種元素中：

①電負性最小的元素是______填元素的符號，下同，第一電離能最大的元素是______。

②Z原子的電子排布圖軌道表示式為______，W的電子排布式為______。

③如圖可以表示Y單質(zhì)分子中電子云重疊方式的是______。

A. B. C. D.

1molY單質(zhì)分子中含有鍵的數(shù)目為______。

④Y的簡單氣態(tài)氫化物極易溶于水，其原因是______；一種含碳元素的陰離子R與Y的簡單氣態(tài)氫化物互為等電子體，寫出R的電子式：______。

⑤向W的簡單氣態(tài)氫化物的水溶液中通入Z的單質(zhì)，有W的單質(zhì)析出，可以驗證Z的非金屬性強于W，該反應的離子方程式為______。

（3）向含有M簡單離子的溶液中加入過量NaOH溶液，可生成。

①不考慮空間構(gòu)型要標出配位鍵，M要用元素符號表示，的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為______。

②的空間構(gòu)型為______，其M原子軌道的雜化類型為______。

（4）鐵、銅和Y元素可生成晶胞結(jié)構(gòu)圖1所示的化合物，該化合物的化學式為______。

天然的和絕大部分人工制備的晶體都存在各種缺陷。如某過渡元素T的基態(tài)原子中的未成對電子數(shù)恰好等于最外層電子數(shù)；而其3d能級上的電子數(shù)等于最外層電子數(shù)的4倍。這種T的氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)就存在缺陷如圖2所示。

①基態(tài)的外圍電子排布式為______；若該T的氧化物晶體中每有1個空缺，則應有______個倍所取代，才能使晶體仍呈電中性。

②若某T的氧化物晶體樣品中與的離子數(shù)之比為1：11，則該晶體的化學式為______。

Answer 1

【答案】D Al N CD 氨氣能與水反應，氨氣與水分子之間形成氫氣，氨氣與水分子都是極性分子，相似相溶 正四面體 3

【解析】

由題意可知，X一定為H、Y一定為N、Z一定為O、M一定為Al、W一定為S，據(jù)此來解題即可。

同周期自左而右原子半徑減小，同主族自上而下原子半徑增大，Cl原子半徑大于第二周期除Li外的其它原子的，所有元素中H原子半徑最小，故原子半徑：，故A錯誤；

B.H、N、O三種元素可以形成硝酸、硝酸銨等，硝酸銨屬于離子化合物，故B錯誤；

C.元素的非金屬性，故氫化物穩(wěn)定性：，故C錯誤；

D.W的最高氧化物對應水化物為硫酸，Al能與硫酸稀溶液發(fā)生反應而溶解，故D正確。

答案選D；

金屬元素的電負性最小，五種元素中Al的電負性最小；同周期隨原子序數(shù)增大元素第一電離能呈增大趨勢，但IIA族、VA族的第一電離能高于相鄰元素的，同主族自上而下第一電離能減小，H元素的第一電離能僅小于O、N、F的，故五種元素中N元素的第一電離能最大；

原子核外電子排布式為，結(jié)合泡利原理、洪特規(guī)則，核外電子排布圖為；W為S，核外電子數(shù)為16，核外電子排布式為：；

單質(zhì)分子為，分子之間形成三鍵，存在鍵、與鍵，選項中C為鍵、D為鍵。分子含有1個鍵、2個鍵，故1mol分子中含有鍵的數(shù)目為；

的簡單氣態(tài)氫化物為，氨氣能與水反應，氨氣與水分子之間形成氫氣，氨氣與水分子都是極性分子，相似相溶，故氨氣極易溶于水；一種含碳元素的陰離子R與Y的簡單氣態(tài)氫化物互為等電子體，則R為，其電子式為：；

與反應生成S與水，反應離子方程式為：；

鋁原子與中O原子形成3個普通共價鍵，Al價電子層具有空軌道，可以與中具有孤對電子的氧原子之間形成形成1個配位鍵，的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為：；

中Al原子沒有孤電子對，雜化軌道數(shù)目為4，空間構(gòu)型為正四面體形，Al原子采取雜化；

晶胞單獨占有Fe原子數(shù)目、Cu原子數(shù)目、O原子數(shù)目，故化學式為；

過渡元素T的基態(tài)原子中的未成對電子數(shù)恰好等于最外層電子數(shù)，而其3d能級上的電子數(shù)等于最外層電子數(shù)的4倍，T原子價電子排布式為，故T為Ni。

原子先失去4s能級2個電子、再失去3d能級1個電子形成，的外圍電子排布式為；晶體中每有1個空缺使正電荷缺少3，而每個取代1個使正電荷增大1，晶體仍呈電中性，故有3個被取代；

樣品中與的離子數(shù)之比為1：11，設、分別為1mol、11mol，根據(jù)晶體呈電中性，離子為，故Ni、O原子數(shù)目之比：：25，故化學式表示為；