下列反應(yīng)中，屬于復(fù)分解反應(yīng)的是(    )

A.實(shí)驗(yàn)室制取氫氣的反應(yīng)                           B.曾青得鐵則化為銅

C.碳酸鈣受熱分解                                    D.硫酸銅溶液中滴加氫氧化鈉溶液出現(xiàn)藍(lán)色絮狀沉淀

解析:D符合復(fù)分解反應(yīng)的特點(diǎn)，故符合題意，A是金屬置換生成H2的反應(yīng)。B為金屬間的置換反應(yīng)，C為分解反應(yīng)。

答案：D

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

查閱有關(guān)資料知：金屬鋁與氫氧化鈉溶液反應(yīng)實(shí)際是分以下兩步進(jìn)行：
第一步：2Al+6H2O=2Al（OH）3+3H2↑
第二步：Al（OH）3+NaOH=NaAlO2+2H2O
試回答下列問(wèn)題：
（1）書(shū)寫(xiě)金屬鋁與氫氧化鈉溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式
2Al+2H2O+2NaOH=2NaAlO2+3H2↑
2Al+2H2O+2NaOH=2NaAlO2+3H2↑
．
（2）判斷兩步反應(yīng)的反應(yīng)類(lèi)型（用四種基本反應(yīng)類(lèi)型作答）
①第一步屬
置換反應(yīng)
置換反應(yīng)
，②第二步屬
復(fù)分解反應(yīng)
復(fù)分解反應(yīng)
．
（3）用雙線(xiàn)橋標(biāo)出以上兩步反應(yīng)中屬于氧化還原反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移的方向和總數(shù)
．
（4）根據(jù)你的分析，金屬鋁與氫氧化鈉溶液反應(yīng)中氧化劑是
水
水
，還原劑是
鋁
鋁
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（2009?上海一模）2005年諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)授予了三位科學(xué)家，以表彰他們?cè)谙N復(fù)分解反應(yīng)研究方面所取得的成績(jī)．已知烯烴的交叉復(fù)分解反應(yīng)機(jī)理為雙鍵斷裂，換位連接．如：CH2=CHR1+CH2=CHR2
 催化劑 
.
 
CH2=CH2+R1CH=CHR2；又已知：①R-CH2-CH=CH2+Cl2 
500℃
 R-CHCl-CH=CH2+HCl②F是油脂水解產(chǎn)物之一，能與水任意比互溶；K是一種塑料；I的分子式為C9H14O6

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）C4H8屬于烯烴的同分異構(gòu)體有
3
3
種；
（2）分子式為C4H8的所有烯烴通過(guò)烯烴復(fù)分解反應(yīng)后生成的C5H10有
2
2
種結(jié)構(gòu)；
（3）請(qǐng)寫(xiě)出物質(zhì)I的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式：
；
（4）寫(xiě)出下列反應(yīng)方程式：C→D：
CH3CH=CH2+Cl2
500℃
Cl-CH2CH=CH2+HCl
CH3CH=CH2+Cl2
500℃
Cl-CH2CH=CH2+HCl
；
（5）K中的鏈節(jié)是
；K屬于
線(xiàn)型
線(xiàn)型
（線(xiàn)型、體型）結(jié)構(gòu)．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料。科學(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：     ①SiO2 + 2C  Si+ 2CO     ②Si + 2Cl2SiCl4

③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl�；卮鹣铝袉�(wèn)題：

（1）上述反應(yīng)中，屬于氧化還原反應(yīng)的是            （填序號(hào)）。

（2）反應(yīng)①和③屬于           。

A．化合反應(yīng)      B．分解反應(yīng)      C．置換反應(yīng)      D．復(fù)分解反應(yīng)

（3）下列描述正確的是         。

A．氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)

B．判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降

C．化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D．復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2011-2012學(xué)年浙江省溫州市直六校協(xié)作體高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型：填空題

(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：    ①SiO2 + 2C Si + 2CO    ②Si + 2Cl2SiCl4
③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl�；卮鹣铝袉�(wèn)題：
（1）上述反應(yīng)中，屬于氧化還原反應(yīng)的是           （填序號(hào)）。
（2）反應(yīng)①和③屬于           。
A．化合反應(yīng)      B．分解反應(yīng)       C．置換反應(yīng)      D．復(fù)分解反應(yīng)
（3）下列描述正確的是         。
A．氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B．判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降
C．化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D．復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2014屆浙江省溫州市直六校協(xié)作體高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型：填空題

(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：     ①SiO2 + 2C  Si + 2CO     ②Si + 2Cl2SiCl4

③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl�；卮鹣铝袉�(wèn)題：

（1）上述反應(yīng)中，屬于氧化還原反應(yīng)的是            （填序號(hào)）。

（2）反應(yīng)①和③屬于            。

A．化合反應(yīng)      B．分解反應(yīng)       C．置換反應(yīng)      D．復(fù)分解反應(yīng)

（3）下列描述正確的是          。

A．氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)

B．判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降

C．化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D．復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

 

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