A.SiCl4 B. C. D.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年山西省高三10月月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
(15分)原子序數(shù)依次遞增的A、B、C、D、E是周期表中前30號(hào)元素。已知A的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍;A與C形成的常見化合物之一是主要的溫室氣體;D與A同主族,其單質(zhì)在同周期元素所形成的單質(zhì)中熔點(diǎn)最高;E原子M能層為全充滿狀態(tài),且核外的未成對(duì)電子只有一個(gè)。請(qǐng)回答下列問題:
(1)B在周期表中的位置是: ,該主族元素的氣態(tài)氫化物中,沸點(diǎn)最低的是 (填化學(xué)式)。
(2)根據(jù)等電子原理分析,BC2 + 中B原子的軌道雜化類型是 。
(3)五種元素中,電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的化合物在常溫下是晶體,其晶體類型是 。
(4)+1價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子再失去一個(gè)電子形成+2價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子所需要的能量稱為第二電離能I2,依次還有I3、I4、I5…,推測(cè)D元素的電離能突增應(yīng)出現(xiàn)在第 電離能。
(5)A的一種相對(duì)分子質(zhì)量為28的氫化物,其分子中σ鍵與π鍵的個(gè)數(shù)之比為 ;;
(6)E的基態(tài)原子有 種形狀不同的原子軌道;E2+ 的價(jià)電子排布式為 ;下
圖(填甲、乙或丙) 表示的是E晶體中微粒的堆積方式。
甲 乙 丙
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科目:高中化學(xué) 來源:模擬題 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源:吉林省模擬題 題型:推斷題
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科目:高中化學(xué) 來源:吉林省期中題 題型:推斷題
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