下圖立方體中心的“●”表示金剛石晶體中的一個(gè)碳原子，立方體頂點(diǎn)的“●”表示與之緊鄰的碳原子，其中正確的是
[     ]
A．
B．
C．
D．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH)，化學(xué)反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵

Si-O

Si-Cl

H-H

H-Cl

Si-Si

Si-C

鍵能kJ·mol

460

360

436

431

176

347

請回答下列問題：

(1)比較下列物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“＞”或“＜”)SiC__________Si。

(2)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。�

SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=____________kJ/mol。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（13分）（1）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是__     ___(請用相應(yīng)的編號填寫)

（2）一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。則每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。 若A的核外電子排布與Ar相同，B的核外電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；

（3）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

（4）通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵

Si—Cl

H—H

H—Cl

Si—Si

鍵能/kJ·mol—1

360

436

431

176

已知:工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。�

SiCl4(g) + 2H2(g)高溫 Si(s) + 4 HCl(g)

則該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H =              kJ/mol.

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013年四川昭覺中學(xué)高二上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（帶解析） 題型：填空題

根據(jù)要求完成下列問題：
（1）有以下物質(zhì)：①SO2Cl2  ②C2H6  ③CS2  ④HClO  ⑤H2O2 
含有非極性鍵的非極性分子是___________；
以極性鍵相結(jié)合，具有直線型結(jié)構(gòu)的非極性分子是___________；
以極性鍵相結(jié)合，具有四面體形結(jié)構(gòu)的極性分子是___________；
以極性鍵相結(jié)合，具有V型結(jié)構(gòu)的極性分子是___________；
（2）在S8、SiC、NaCl、C2H5OH中，能形成分子晶體的化合物是         ，含有氫鍵的晶體的化學(xué)式是          ，屬于原子晶體的是             ，
四種物質(zhì)形成的晶體熔點(diǎn)由高到低的順序是   ＞   ＞   ＞   。
下圖立方體中心的“o”表示SiC晶體中的一個(gè)硅原子，請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的碳原子。

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科目：高中化學(xué) 來源：2010-2011學(xué)年湖北省孝感高中高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型：填空題

（13分）（1）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是__    ___(請用相應(yīng)的編號填寫)

（2）一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。則每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。若A的核外電子排布與Ar相同，B的核外電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；

（3）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

（4）通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵
Si—Cl
H—H
H—Cl
Si—Si
鍵能/kJ·mol—1
360
436
431
176
已知:工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取：
SiCl4(g) + 2H2(g) 高溫 Si(s) + 4 HCl(g)
則該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H =              kJ/mol.

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科目：高中化學(xué) 來源：2012屆湖北省高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型：填空題

（13分）（1）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是__     ___(請用相應(yīng)的編號填寫)

（2）一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。則每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。 若A的核外電子排布與Ar相同，B的核外電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；

（3）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

（4）通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵

Si—Cl

H—H

H—Cl

Si—Si

鍵能/kJ·mol—1

360

436

431

176

已知:工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。�

SiCl4(g) + 2H2(g) 高溫 Si(s) + 4 HCl(g)

則該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H =              kJ/mol.

 

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