Question

2．下面關(guān)于 SiO₂晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是（　　）

• A． 存在四面體結(jié)構(gòu)單元，O 處于中心，Si 處于 4 個(gè)頂角
• B． 最小的環(huán)上，有 3 個(gè) Si 原子和 3 個(gè) O 原子
• C． 最小的環(huán)上，Si 和 O 原子數(shù)之比為 1：2
• D． 最小的環(huán)上，有 6 個(gè) Si 原子和 6 個(gè) O 原子

Answer 1

分析 根據(jù)二氧化硅晶體中結(jié)構(gòu)單元判斷硅、氧原子的位置關(guān)系，二氧化硅的最小環(huán)上含有6的氧原子和6個(gè)硅原子，據(jù)此分析解答．

解答 解：A．二氧化硅晶體中存在四面體結(jié)構(gòu)單元，每個(gè)硅原子能構(gòu)成四個(gè)共價(jià)鍵，每個(gè)氧原子能形成2個(gè)共價(jià)鍵，Si處于中心，O處于4個(gè)頂角，故A錯(cuò)誤；
B．最小的環(huán)上，有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子，故B錯(cuò)誤；
C．最小的環(huán)上，有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子，所以最小的環(huán)上硅氧原子數(shù)之比為1：1，故C錯(cuò)誤；
D．最小的環(huán)上，有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子，Si處于中心，O處于4個(gè)頂角，故D正確．
故選D．

點(diǎn)評 本題考查了二氧化硅的結(jié)構(gòu)單元，注意教材中基礎(chǔ)知識(shí)的掌握．本題難度不大，是基礎(chǔ)題．