工業(yè)上制備純硅反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下:
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g);ΔH=+Q kJ·mol1(Q>0)
某溫度、壓強(qiáng)下,將一定量的反應(yīng)物通入密閉容器進(jìn)行該反應(yīng),下列敘述正確的是

A.反應(yīng)過(guò)程中,若增大壓強(qiáng)因?yàn)榉磻?yīng)速率增大,所以能提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率
B.已知,一定溫度下,反應(yīng)的平衡常數(shù)(k)為定值,若向已經(jīng)達(dá)到平衡狀態(tài)的容器中再次加入四種物質(zhì),若>k,平衡就要向正反應(yīng)方向移動(dòng)
C.反應(yīng)至4 min時(shí),若HCl的濃度為0.12 mol·L1,則H2的反應(yīng)速率為0.03 mol/(L·min)
D.當(dāng)反應(yīng)吸收熱量為0.025Q kJ時(shí),生成的HCl可被100 mL 1 mol·L1的NaOH溶液恰好完全吸收

D

解析試題分析:正反應(yīng)是體積減小的可逆反應(yīng),所以增大壓強(qiáng)平衡平衡向逆反應(yīng)方向移動(dòng),反應(yīng)物的轉(zhuǎn)化率降低,A不正確;B不正確,應(yīng)該是向逆反應(yīng)方向移動(dòng);C不正確,氫氣的濃度變化量是0.12mol/L÷2=0.06mol/L,所以氫氣的反應(yīng)速率是0.06mol/L÷4min=0.015 mol/(L·min);反應(yīng)吸收熱量為0.025Q kJ時(shí),生成的HCl是0.1mol,恰好和0.1mol氫氧化鈉反應(yīng),D正確,答案選D。
考點(diǎn):考查外界條件對(duì)反應(yīng)速率和平衡狀態(tài)的影響以及反應(yīng)熱的有關(guān)計(jì)算等
點(diǎn)評(píng):在判斷外界條件對(duì)反應(yīng)速率的影響時(shí),應(yīng)該利用勒夏特列原理進(jìn)行分析和判斷。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

工業(yè)上制備純硅反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下:
SiCl4(g)+2H2(g)?Si(s)+4HCl(g);△H=+QKJ/mol(Q>0),某溫度、壓強(qiáng)下,將一定量反應(yīng)物通入密閉容器進(jìn)行以上反應(yīng),下列敘述正確的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2010?南開(kāi)區(qū)二模)工業(yè)上制備純硅反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下:
SiCl4(g)+2H2(g)?Si(s)+4HCl(g);△H=+Q kJ?mol-1(Q>0)
某溫度、壓強(qiáng)下,將一定量反應(yīng)物通入密閉容器進(jìn)行以上反應(yīng)(此條件下為可逆反應(yīng)),下列敘述正確的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

工業(yè)上制備純硅反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下:SiCl4(g)+2H2(g)?Si(g)+4HCl(g);△H=+Q kJ?mol-1(Q>0),某溫度、壓強(qiáng)下,將一定量反應(yīng)物通入密閉容器進(jìn)行以上反應(yīng),下列敘述正確的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

工業(yè)上制備純硅反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:SiCl4(g)+2H2(g)?Si(s)+4HCl(g)△H=+QkJ/mol(Q>0),一定溫度、壓強(qiáng)下,將一定量的反應(yīng)物通入密閉容器中進(jìn)行以上反應(yīng),下列敘述正確的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2008?北京)工業(yè)上制備純硅反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下:SiCl4(g)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g);△H=+QkJ/mol(Q>0)某溫度、壓強(qiáng)下,將一定量反應(yīng)物通入密閉容器進(jìn)行以上反應(yīng)(此條件下為可逆反應(yīng)),下列敘述正確的是( 。

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