Al和Ga及N和As分別是同主族的元素,請回答下列問題:
(1)砷化鎵是一種半導體材料,其化學式為______.
(2)寫出As原子處于基態(tài)時的核外電子排布式______.
(3)超高導熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應(yīng)用廣泛,氮化鋁晶體與金剛石類似,每個鋁原子與______個氮原子相連,氮化鋁晶體屬于______晶體.
(4)NH3是氮的氫化物,中心原子的雜化方式是______,存在化學鍵的類型是______,NH3的沸點比AsH3高的原因是______.
(1)砷元素位于第ⅤA族,所以最低負價是-3價,鎵元素元素處于第ⅢA族,最高正價是+3價,根據(jù)化合價規(guī)則,所以砷化鎵的化學式為:GaAs,故答案為:GaAs;
(2)根據(jù)基態(tài)電子排布規(guī)律,As原子的基態(tài)電子排布式為:1s22s22p63s23p63d104s24p3,故答案為:1s22s22p63s23p63d104s24p3;
(3)氮化鋁晶體與金剛石類似,均是正四面體結(jié)構(gòu),每個鋁原子與4個氮原子相連,是由原子構(gòu)成的原子晶體,故答案為:4;原子;
(4)氨氣是空間三角錐形結(jié)構(gòu),氮原子以sp3雜化成鍵,形成空間三角錐形結(jié)構(gòu),氮原子和氫原子間是共價鍵,在氨氣分子中,存在氫鍵,所以導致沸點高于同主族的其他氫化物,故答案為:sp3;共價鍵;氨氣分子間有氫鍵.
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相關(guān)習題

科目:高中化學 來源: 題型:

(2011?棗莊模擬)Al和Ga及N和As分別是同主族的元素,請回答下列問題:
(1)砷化鎵是一種半導體材料,其化學式為
GaAs
GaAs

(2)寫出As原子處于基態(tài)時的核外電子排布式
1s22s22p63s23p63d104s24p3
1s22s22p63s23p63d104s24p3

(3)超高導熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應(yīng)用廣泛,氮化鋁晶體與金剛石類似,每個鋁原子與
4
4
個氮原子相連,氮化鋁晶體屬于
原子
原子
晶體.
(4)NH3是氮的氫化物,中心原子的雜化方式是
sp3
sp3
,存在化學鍵的類型是
共價鍵
共價鍵
,NH3的沸點比AsH3高的原因是
氨氣分子間有氫鍵
氨氣分子間有氫鍵

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科目:高中化學 來源:2010-2011學年山東省棗莊市高三4月模擬考試(理綜)化學部分 題型:填空題

Al和Ga及N和As分別是同主族的元素,請回答下列問題:

   (1)砷化鎵是一種半導體材料,其化學式為               。

   (2)寫出As原子處于基態(tài)時的核外電子排布式             。

(3)超高導熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應(yīng)用廣泛,氮化鋁晶體與金剛石類似,每個鋁原子與       個氮原子相連,氮化鋁晶體屬于        晶體。

(4)NH3是氮的氫化物,中心原子的雜化方式是           ,存在化學鍵的類型是     ,NH3的沸點比AsH3高的原因是                 。

 

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科目:高中化學 來源: 題型:

Al和Ga及N和As分別是同主族的元素,請回答下列問題:

   (1)砷化鎵是一種半導體材料,其化學式為              。

   (2)寫出As原子處于基態(tài)時的核外電子排布式            。

(3)超高導熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應(yīng)用廣泛,氮化鋁晶體與金剛石類似,每個鋁原子與      個氮原子相連,氮化鋁晶體屬于        晶體。

(4)NH3是氮的氫化物,中心原子的雜化方式是          ,存在化學鍵的類型是    ,NH3的沸點比AsH3高的原因是                

 

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科目:高中化學 來源:2011屆山東省棗莊市高三4月模擬考試(理綜)化學部分 題型:填空題

Al和Ga及N和As分別是同主族的元素,請回答下列問題:
(1)砷化鎵是一種半導體材料,其化學式為              。
(2)寫出As原子處于基態(tài)時的核外電子排布式            
(3)超高導熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應(yīng)用廣泛,氮化鋁晶體與金剛石類似,每個鋁原子與      個氮原子相連,氮化鋁晶體屬于       晶體。
(4)NH3是氮的氫化物,中心原子的雜化方式是          ,存在化學鍵的類型是    ,NH3的沸點比AsH3高的原因是                。

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