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【化學——選修：物質結構與性質】( 15分)
原子序數依次增加的A、B、C、D、E、F六種常見元素中，A、B、C、D是短周期非金屬元素，B、C、D同周期，E、F是第四周期的金屬元素，F＋的三個能層電子全充滿。下表是主要化合價及原子半徑數據：

 
A
B
C
D
E
F
主要化合價
－1
－3　＋5
－2 ＋6
－1 ＋7
＋2
＋1 ＋2
原子半徑nm
0.071
0.11
0.102
0.099
0.197
0.117
請回答下列問題：
（1）B、C、D三種元素第一電離能數值由小到大的順序是               (填元素符號)；
（2）B的氫化物中心原子采取       雜化，空間構型是       形，是         分子
(填“極性”或“非極性”)；
（3）F2＋與NH3 形成配離子的化學式為         ，F單質晶體晶胞是下圖的           
(填①、②、③或④)；
（4）A 、E兩種元素形成晶體晶胞是下圖中的       (填①、②、③或④)，A離子的配位數是        ；

（5）右圖四條折線分別表示ⅣA族、ⅤA族、ⅥA族、ⅦA族元素氣態(tài)氫化物沸點變化，
請選出C的氫化物所在的折線    (填n、m、x或y)。

（1）S＜P＜Cl     （2分）
（2）Sp3  （1分）    三角錐（1分）    極性（1分）
（3）[Cu(NH3)4]2＋（2分） ③ （2分）
（4）②（2分）    4  （2分）
（5） n   （（2分）

解析

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

精英家教網【化學--選修3物質結構與性質】
下表是元素周期表的一部分，其中A-G分別代表一種元素．
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請根據表中所列元素，回答下列問題：
（1）所列元素中第一電離能最小的是
 
（填元素符號）；D元素原子核外有
 
種不同運動狀態(tài)的電子；基態(tài)原子的價電子層中，未成對電子數最多的元素是
 
（填元素符號）．
（2）AC2分子的空間構型是
 
，該分子中A原子的雜化方式為
 
．
（3）B的氣態(tài)氫化物在水中的溶解度遠大于A、C的氣態(tài)氫化物的溶解度，原因是
 
．
（4）基態(tài)G2+的核外電子排布式是
 
，乙二胺（結構簡式為H2N-CH2一CH2-NH2）分子中的碳原子的雜化方式為
 
，G2+與乙二胺可形成配離子精英家教網該配離子中含有的化學鍵類型有
 
（填字母編號）．
a．配位鍵  b．極性鍵  c．離子鍵  d．非極性鍵
（5）化合物EF[F（AB）6]是一種常見的藍笆晶體，其中的AB-與B2為等電子體，則AB-的電子式為
 
．如圖為該藍色晶體晶胞的
18
（E+未畫出），該藍色晶體的一個晶胞中E+的個數為
 
個．

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科目：高中化學 來源： 題型：

【化學--選修3物質結構與性質】
W、Y、Z、Q、R是周期表中前四周期的元素，且原子序數依次增大．W原子核外有2個未成對電子，Q是電負性最大的元素，R元素的原子核外的未成對電子數是W原子核外未成對電子數的2倍．請回答下列問題（答題時，W、Y、Z、Q、R用所對應的元素符號表示）：
（l）W、Y、Z 三種元素的第一電離能由大到小的順序為
 
．在上述三種元素的原子中，寫出與WZ2互為等電子體的分子式
 
．
（2）已知Y2Q2分子存在如下所示的兩種結構（球棍模型，短線不一定代表單鍵）
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該分子中Y原子的雜化方式是
 
雜化．
（3）W2-2陰離子的電子式為
 
，Z原子最外層電子排布式為
 
．
（4）YQ3分子的空間構型為
 
，Y和Q兩元素的氫化物的沸點相比較，高者是
 
 （寫分子式）．往硫酸銅溶液中通入過量的YH3（Y的氫化物分子式），可生成配離子[Cu（YH3）4]2+，但YQ3不易與Cu2+形成配離子，其原因是
 
．
（5）科學家通過X射線探明RZ的晶體結構與NaCl晶體結構相似．那么在RZ晶體中距離R2+最近且等距離的R2+有
 
個．若在RZ晶體中陰陽離子間最近距離為a cm，晶體密度為ρg/cm3，則阿伏伽德羅常數NA的表達式為
 
mol-1．
（6）已知非整數比化合物R0.95Z，其晶體結構與NaCI相似，但由于R、Z離子個數比小于1：1，故晶體存在缺陷．R0.95Z可表示為
 

A、R
 
2+
0.45
R
 
3+
0.5
Z      B、R
 
2+
0.25
R
 
3+
0.70
Z     C、R
 
2+
0.15
R
 
3+
0.80
Z      D、Fe2+0.85Fe3+0.1O．

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科目：高中化學 來源： 題型：

【化學選修3物質結構與性質】已知X、Y和Z三種元素的原子序數之和等于42．X元素原子的4p軌道上有3個未成對電子，Y元素原子的最外層2p軌道上有2個未成對電子．X跟Y可形成化合物X2Y3，Z元素可以形成負一價離子．請回答下列問題：
（1）X元素原子基態(tài)時的電子排布式為
 
，該元素的符號是
 
．
（2）Y元素原子的電子軌道表示式為
 
，元素X與Y的電負性比較：X
 
Y（填“＞”或“＜”）．
（3）X與Z可形成化合物XZ3，該化合物的空間構型為
 
．
（4）由元素X與鎵元素組成的化合物A為第三代半導體．
已知化合物A的晶胞結構如圖所示．（黑球位于立方體內，白球位于立方體頂點和面心）
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請寫出化合物A的化學式
 
：化合物A可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反應制得，反應的化學方程式為
 

（5）已知（CH3）3Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為
 
．

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科目：高中化學 來源： 題型：

【化學--選修3物質結構與性質】
X、Y、Z、W、R為前四周期原予序數依次增大的五種元素，X、Y、Z、W為同一周期相鄰元素，Z元素原子核外電子的運動狀態(tài)共有8種；R元素與比它核電荷數大的另外兩種元素位于第四周期同一族．
（l）X的一種核素用于鑒定文物年代，該核素的符號為
 
．
（2）X、Y、Z、W四種元素第一電離能由大到小的順序為
 
（用元素符號表示）．
（3）用氫鍵表示式寫出W的氣態(tài)氫化物水溶液中不同種分子間存在的氫鍵
 
．
（4）Y的一種氫化物分子中共有18個電子，該分子中存在的共價鍵類型有
 
（填選項字母）．
A．非極性鍵 B．極性鍵C．S-SO- 鍵D．S-PO-鍵E．p-p鍵 F．s-sP3O-鍵 G．SP3-sP3O-鍵H．SP3-3P3π鍵
（5）R的基態(tài)原子的價層電子排布式為
 
，R元素位于周期表的
 
區(qū)．精英家教網
（6）R單質的晶體在不同溫度下有兩種原子堆積方式，晶胞分別如圖所示．圖A中原子堆積方式為
 
，A、B中實際含有的R原子個數之比
 
．A、B晶胞的棱長分別為a cm和b cm，則A、B兩種晶體的密度之比為
 
．

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科目：高中化學 來源： 題型：

【化學-選修3物質結構與性質】
A、B、C、D、E、F是原子序數依次增大的前四周期元素．A、B、C三種元素的基態(tài)原子具有相同的能級和能層，且第一電離能的順序為A＜C＜B，其中C原子基態(tài)時2p軌道有兩個未成對電子；D與A同族，其單質為常用的半導體材料；E為前四周期由負性最小的元素；F原子內層無空軌道，最外層電子數與E相同．請回答：
（1）F的價層電子排布為
 
；化合物F2C與稀硫酸反應的產物之一為紅色固體，且反應中只有F元素的化合價發(fā)生了變化，該反應的離子方程為
 
．
（2）比較A、D的氫化物．穩(wěn)定性：前者
 
后者；沸點：前者
 
后者（填“＜”或“＞”）．
（3）C與氫元素形成的正一價離子含有10電子，該離子中C原子的雜化方式為
 
；該離子的空間構型為
 
．C與氫元素形成的一種分子M的電子總數與E離子核外電子數相等，M分子為
 
分子（填“極性”或“非極性”）．
（4）1molAC2分子中π鍵的數目為
 
個；B、C形成的正一價離子N與AC2互為等電子體，N的電子式為
 
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（5）AC2分子構成的晶體結構如圖，已知最近的兩個分子間距離為
2
acm阿伏伽德羅常數為NA，則該晶體的密度為
 
g/cm3．

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