Question

參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn)，回答有關(guān)問題：

物質(zhì)	熔點(diǎn)/℃	物質(zhì)	熔點(diǎn)/℃
NaF	993	SiF4	-90.2
NaCl	801	SiCl4	-70.4
NaBr	747	SiBr4	5.2
NaI	662	SiI4	120.5
NaCl	801	SiCl4	-70.4
KCl	768	GeCl4	-49.5
RbCl	717	SnCl4	-36.2
CsCl	646	PbCl4	-15

（1）鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的

 

有關(guān)，隨著

 

的增大，熔點(diǎn)逐漸降低．
（2）硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與

 

有關(guān)，隨著

 

增大，

 

增強(qiáng)，故熔點(diǎn)逐漸升高．
（3）鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多，這與

 

有關(guān)，因?yàn)?!--BA-->

 

，故前者的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于后者．

Answer 1

分析：（1）根據(jù)表中數(shù)據(jù)分析；
（2）根據(jù)影響分子晶體熔點(diǎn)的因素分析；
（3）根據(jù)晶體類型分析．

解答：解：（1）離子晶體中離子的半徑越小，離子鍵強(qiáng)度越大，熔點(diǎn)越高，所以鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的半徑有關(guān)，隨著半徑的增大，熔點(diǎn)逐漸降低；故答案為：半徑，半徑；
（2）分子晶體的熔點(diǎn)與分子間作用力有關(guān)，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高，所以硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與相對分子質(zhì)量有關(guān)，隨著相對分子質(zhì)量增大，分子間作用力增強(qiáng)，故熔點(diǎn)逐漸升高，故答案為：相對分子質(zhì)量；相對分子質(zhì)量；分子間作用力．
（3）一般離子晶體的熔點(diǎn)比分子晶體的熔點(diǎn)高，因?yàn)殁c的鹵化物為離子晶體，硅的鹵化物為分子晶體，所以故前者的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于后者，故答案為：晶體類型；鈉的鹵化物為離子晶體，硅的鹵化物為分子晶體．

點(diǎn)評：本題考查了晶體類型與晶體熔點(diǎn)的關(guān)系，根據(jù)影響晶體熔點(diǎn)的因素分析，題目難度不大．