VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:

(1)S單質的常見形式為S8,其環(huán)狀結構如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;

(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為______;

(3)Se原子序數(shù)為______,其核外M層電子的排布式為______;

(4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構型為______平面三角形,SO32離子的立體構型為______三角錐形;

(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×103和2.5×108,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×102,請根據(jù)結構與性質的關系解釋:

①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:                    ;第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子;

②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因:______;

(6)ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛。立方ZnS晶體結構如圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為____________(列式并計算),a位置S2離子與b位置Zn2離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

 

 

【答案】

(1)sp3;

(2)O>S>Se;

(3)34;3s23p63d10;

(4)強;平面三角形;三角錐形;

(5)①H2SeO3和H2SeO4可表示為 (HO)SeO和 (HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價,而H2SeO4中Se為+6價,正電性更高.導致Se﹣O﹣H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+;

(6);

【解析】

試題分析:(1)由S8分子結構可知,在S8分子中S原子成鍵電子對數(shù)為2,孤電子對數(shù)為2,即價層電子對數(shù)為4,因此S原子采用的雜化軌道方式為sp3,故答案為:sp3;(2)同主族元素從上到下元素的第一電離能逐漸減小,則有O>S>Se,故答案為:O>S>Se;

(3)Se位于元素周期表第四周期第ⅥA族,原子序數(shù)為34,其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p4,則核外M層電子的排布式為3s23p63d10,故答案為:34;3s23p63d10;(4)同主族元素對應的氫化物中,元素的非金屬性越強,對應的氫化物的酸性越弱,則H2Se的酸性比H2S強,氣態(tài)SeO3分子中Se形成3個δ鍵,沒有孤電子對,為平面三角形分子,SO32中S形成3個δ鍵,孤電子對數(shù)為=1,則為三角錐形,

故答案為:強;平面三角形;三角錐形;(5)①酸第一步電離產(chǎn)生的酸根陰離子帶有負電荷,吸引H+,同時產(chǎn)生的H+抑制第二步電離,所以H2SeO4和H2SeO3第一步電離程度大于第二部電離程度,導致第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子,故答案為:第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子;

②H2SeO3的分子結構為,Se為+4價,而H2SeO4的分子結構為,Se為+6價,后者Se原子吸電子能力強,導致Se﹣O﹣H中的O原子更向Se偏移,則羥基上氫原子更容易電離出H+,故答案為:H2SeO3和H2SeO4可表示為 (HO)SeO和 (HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價,而H2SeO4中Se為+6價,正電性更高.導致Se﹣O﹣H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+;(6)晶胞中含有S離子位于頂點和面心,共含有+6×=4,Zn離子位于體心,共4個,則晶胞中平均含有4個ZnS,質量為,晶胞的體積為(540.0×1010cm)3,則密度為g•cm3,

四個Zn2+在體內(nèi)的四個小立方體的中心,不在同一平面上,過b向上面作垂線,構成直角三角形,兩邊分別為;a,即可求出斜邊為a(a 為晶胞邊長),則a位置S2離子與b位置Zn2+離子之間的距離為×540.0pm=135pm或 ,

故答案為:;

考點:本題綜合考查物質結構與性質相關知識,涉及雜化軌道、第一電離能、電負性、電子排布式、分子的立體構型、晶胞的計算等。

 

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科目:高中化學 來源: 題型:

    VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:

    (1)S單質的常見形式為S8,其環(huán)狀結構如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;

    (2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為______;

    (3)Se原子序數(shù)為______,其核外M層電子的排布式為______;

    (4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構型為______平面三角形,SO32離子的立體構型為______三角錐形;

    (5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×103和2.5×108,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×102,請根據(jù)結構與性質的關系解釋:

    ①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:__________;

    第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子;

    ②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因:______;

(6)ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛。立方ZnS晶體結構如下圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為____________(列式并計算),a位置S2離子與b位置Zn2離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

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