Question

7．短周期元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，X原子的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的3倍，Y原子的最外層只有2個電子，Z單質(zhì)可制成半導(dǎo)體材料，W與X屬于同一主族，完成下列有關(guān)問題：
（1）元素X的一種核素含10個中子，該核素可表示為¹⁸₈O，X的一種氫化物常用來消毒，該氫化物的電子式為，元素Z在周期表中的位置是第三周期ⅣA族．
（2）元素X和W的簡單氫化物中，沸點高的是H₂O（填化學(xué)式），理由是H₂O分子之間存在氫鍵；
（3）請列舉兩個事實說明元素W的非金屬性比Z強：硫酸的酸性比硅酸的酸性強，硫化氫比SiH₄穩(wěn)定；
（4）元素X、Y、Z、W形成的二元化合物（指含兩種不同元素的化合物）中，化學(xué)鍵的類型相同的一組化合物的化學(xué)式是MgO、MgS；
（5）四種元素的原子半徑由大到小的順序是Mg＞Si＞S＞O（填元素符號），X、Y、W三種元素的原子形成的簡單離子中，半徑最小的是S^2-＞O^2-＞Mg²⁺（填離子符號）．

Answer 1

分析 短周期元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，X原子的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子總數(shù)的3倍，X有2個電子層，最外層電子數(shù)為6，故X為O元素；W與X屬于同一主族，故W為S元素；Y原子的最外層只有2個電子，原子序數(shù)大于O元素，故Y處于第三周期，則Y為Mg元素；Z單質(zhì)可制成半導(dǎo)體材料，Z為Si元素，據(jù)此解答．

解答 解：短周期元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，X原子的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子總數(shù)的3倍，X有2個電子層，最外層電子數(shù)為6，故X為O元素；W與X屬于同一主族，故W為S元素；Y原子的最外層只有2個電子，原子序數(shù)大于O元素，故Y處于第三周期，則Y為Mg元素；Z單質(zhì)可制成半導(dǎo)體材料，Z為Si元素．
（1）元素O的一種核素含10個中子，質(zhì)量數(shù)為18，該核素可表示為¹⁸₈O，X的一種氫化物常用來消毒，該氫化物為H₂O₂，電子式為，元素Z為Si，在周期表中的位置是：第三周期ⅣA族，
故答案為：¹⁸₈O；；第三周期ⅣA族；
（2）由于H₂O分子之間存在氫鍵，沸點高于H₂S，
故答案為：H₂O；H₂O分子之間存在氫鍵；
（3）硫酸的酸性比硅酸的酸性強，硫化氫比SiH₄穩(wěn)定，可以說明S元素非金屬性比Si的強，
故答案為：硫酸的酸性比硅酸的酸性強，硫化氫比SiH₄穩(wěn)定；
（4）元素O、Mg、Si、S形成的二元化合物（指含兩種不同元素的化合物）中，化學(xué)鍵的類型相同的一組化合物的化學(xué)式為MgO、MgS等，
故答案為：MgO、MgS等；
（5）同周期自左而右原子半徑減小、同主族自上而下原子半徑增大，故原子半徑Mg＞Si＞S＞O，電子層結(jié)構(gòu)相同的離子，核電荷數(shù)越大離子半徑越小，電子層越多離子半徑越大，故離子半徑：S^2-＞O^2-＞Mg²⁺，
故答案為：Mg＞Si＞S＞O；S^2-＞O^2-＞Mg²⁺．

點評 本題考查結(jié)構(gòu)性質(zhì)位置關(guān)系應(yīng)用，難度不大，推斷元素是解題的關(guān)鍵，注意對基礎(chǔ)知識的全面掌握．