2010年上海世博會(huì)的主題是“城市，讓生活更美好”．下列敘述中不正確的是


  1. A.
    世博會(huì)中國(guó)館--“東方之冠”使用的鋼筋混凝土不屬于復(fù)合材料
  2. B.
    世博會(huì)前期，處理廢水時(shí)加入明礬可作為凈水劑以吸附水中的雜質(zhì)
  3. C.
    世博會(huì)期間，利用可降解的“玉米塑料”替代一次性飯盒，可減少白色污染的產(chǎn)生
  4. D.
    世博會(huì)停車(chē)場(chǎng)安裝催化光反應(yīng)設(shè)施，可將汽車(chē)尾氣中CO和NOx反應(yīng)生成無(wú)毒氣體
A
分析：A、鋼筋混凝土屬于復(fù)合材料；
B、明礬能夠吸附水中的懸浮物；
C、利用可降解的“玉米塑料”替代一次性飯盒可以減緩環(huán)境污染；
D、處理汽車(chē)尾氣時(shí)需要用到催化劑，把污染氣體轉(zhuǎn)化為無(wú)毒氣體．
解答：A、鋼筋混凝土是由膠凝材料水泥、砂子、石子和水，及摻和材料、外加劑等按一定的比例拌和而成．是配有鋼筋增強(qiáng)的混凝土制成的結(jié)構(gòu)屬于復(fù)合材料，故A錯(cuò)誤；
B、世博會(huì)前期，處理廢水時(shí)，利用明礬溶于水后生成的膠狀物對(duì)雜質(zhì)吸附、沉淀，故B正確；
C、世博會(huì)期間，利用可降解的“玉米塑料”替代一次性飯盒，可防止產(chǎn)生白色污染；故C正確；
D、世博停車(chē)場(chǎng)安裝催化光解設(shè)施，可將汽車(chē)尾氣中CO和NOx反應(yīng)生成無(wú)毒氣體N2和CO2，防止了對(duì)大氣的污染．故D正確；
故選A．
點(diǎn)評(píng)：本題考查了能源、材料、環(huán)境、信息材料，關(guān)于能源的分類(lèi)、優(yōu)缺點(diǎn)、應(yīng)用及對(duì)環(huán)境的影響問(wèn)題，在考查中出現(xiàn)的頻度極高，要引起高度重視．
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、lnGaN（氮化銦鎵）為主．已知鎵是鋁同族下一周期的元素．砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答：
（1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1
．
（2）砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個(gè)數(shù)為
4
4
，與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
．
（3）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3＞AsH3＞PH3
NH3＞AsH3＞PH3
． （用氫化物分子式表示）
（4）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時(shí)制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2
．
（5）比較二者的第一電離能：As
＞
＞
Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
（6）下列說(shuō)法正確的是
BCD
BCD
（填字母）．
A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B．GaP與GaAs互為等電子體
C．電負(fù)性：As＞Ga       D．砷化鎵晶體中含有配位鍵．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED晶片材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、InGaN（氮化銦鎵）為主．已知鎵是鋁同族下一周期的元素．砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答：
（1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
1s22s22p63d104s24p1
1s22s22p63d104s24p1
．
（2）比較二者的第一電離能：As
＞
＞
Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
（3）砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個(gè)數(shù)為
4
4
，與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
．
（4）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時(shí)制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2
．
（5）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3＞AsH3＞PH3
NH3＞AsH3＞PH3
．（用氫化物分子式表示）
（6）下列說(shuō)法正確的是
BCD
BCD
（填字母）．
A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同       B．GaP與GaAs互為等電子體
C．電負(fù)性：As＞Ga                  D．砷化鎵晶體中含有配位鍵．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

2010年上海世博會(huì)主題是“城市，讓生活更美好”，下列有關(guān)世博會(huì)說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　　）

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（2011?南京模擬）2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、InGaN（氮化銦鎵）為主．砷化鎵的品胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答：
（1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
ls22s22p63s23p63d104s24p1（或[Ar]3d104s24p1）
ls22s22p63s23p63d104s24p1（或[Ar]3d104s24p1）
．
（2）砷化鎵品胞中所包含的砷原子（白色球）個(gè)數(shù)為
4
4
，與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
．
（3）下列說(shuō)法正確的是
BCDE
BCDE
（填字母）．
A．砷化鎵品胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B．第一電離能：As＞Ga
C．電負(fù)性：As＞Ga
D．砷化鎵晶體中含有配位鍵
E．GaP與GaAs互為等電子體
（4）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3＞AsH3＞PH3
NH3＞AsH3＞PH3
．
（5）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時(shí)制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（2011?石景山區(qū)一模）2010年上海世博會(huì)的主題是“城市，讓生活更美好”．下列敘述中不正確的是（　　）

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