(1)如圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖。電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是____________;NaOH溶液的出口為_(kāi)__________(填字母);精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_(kāi)__________(填字母);干燥塔中應(yīng)使用的液體是___________。
(2)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注。
①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為_(kāi)___________________________________________。
②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下,在
3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g)
達(dá)平衡后,H2和SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140 mol/L和0.020 mol/L,若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為_(kāi)__________kg。
(3)采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水,可制取氯酸鈉,同時(shí)生成氫氣,F(xiàn)制得氯酸鈉
(1)氯氣 a d 濃硫酸
(2)①SiCl4+2H2+O2SiO2+4HCl ②0.35
(3)134.4
解析:本題分三部分,綜合考查氯堿工業(yè)、原料的綜合利用及有關(guān)計(jì)算。
(1)根據(jù)電解原理,陽(yáng)極產(chǎn)生氯氣,用濃硫酸干燥;陰極區(qū)產(chǎn)生氫氣和氫氧化鈉。結(jié)合圖示可知,a口為氫氧化鈉溶液出口;而陰離子不允許透過(guò)隔膜,故精制飽和食鹽水應(yīng)從d口進(jìn)入。(2)①根據(jù)題意,SiCl4與H2和O2反應(yīng)的產(chǎn)物之一為SiO2,則另一產(chǎn)物應(yīng)為HCl,不難寫(xiě)出化學(xué)方程式;②計(jì)算時(shí)要考慮參加反應(yīng)的氫氣和未參加反應(yīng)的氫氣:根據(jù)平衡時(shí)H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度0.140 mol/L和0.020 mol/L可求出共需氫氣(0.140 mol/L+0.020 mol/L×1/2)×
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、反應(yīng)CO2(g)+C(s)=2CO(g)在高溫下可自發(fā)進(jìn)行,則該反應(yīng)的△H>0 | B、工業(yè)上電解飽和食鹽水時(shí),以石墨作陰極,鐵棒作陽(yáng)極 | C、常溫下,0.1mol?L-1 CH3COOH溶液pH=1 | D、常溫下,在AgCl懸濁液中加入少量NaCl飽和溶液,c(Ag+)減小,Ksp(AgCl) 減小 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年江蘇省南通市海安縣高二上學(xué)期期末考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:單選題
下列有關(guān)實(shí)驗(yàn)原理或?qū)嶒?yàn)操作正確的是
A.利用右圖1裝置定量測(cè)定H2O2的分解速率 |
B.利用右圖2裝置模擬工業(yè)上電解飽和食鹽水 |
C.配制FeCl3溶液時(shí)加入少量鹽酸,以防止溶液渾濁 |
D.用HNO2溶液做導(dǎo)電性實(shí)驗(yàn),燈光較暗,說(shuō)明HNO2是弱電解質(zhì) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013-2014學(xué)年福建省四地六校高三上學(xué)期第三次月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
下列敘述不正確的是( )
A.鐵表面鍍鋅,鋅作陽(yáng)極
B.船底鑲嵌鋅塊,鋅作正極,以防船體被腐蝕
C.鋼鐵吸氧腐蝕的正極反應(yīng):O2+2H2O+4e-=4OH-
D.工業(yè)上電解飽和食鹽水的
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2014屆江蘇省鹽城市高三上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
下列有關(guān)說(shuō)法正確的是
A.反應(yīng)CO2(g)+C(s)=2CO(g)在高溫下可自發(fā)進(jìn)行,則該反應(yīng)的△H > 0
B.工業(yè)上電解飽和食鹽水時(shí),以石墨作陰極,鐵棒作陽(yáng)極
C.常溫下,0.1mol·L-1 CH3COOH溶液pH=1
D.常溫下,在AgCl懸濁液中加入少量NaCl飽和溶液,c(Ag+)減小,Ksp(AgCl) 減小
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