氧族元素包括O、S、Se、Te等元素。下列關(guān)于硒及其化合物的敘述不正確的是(  )?

A.硒化鈉是以離子鍵形成的離子化合物?

B.硒難溶于水?

C.H2S劇毒,H2Se無(wú)毒?

D.硒與金屬、非金屬分界線相鄰,是良好的半導(dǎo)體材料?

解析:由Na2S類推可知Na2Se是離子化合物,A項(xiàng)正確。由S難溶于水類推,可知Se難溶于水,B項(xiàng)正確。由H2S劇毒類比,可知H2Se劇毒,C項(xiàng)不正確。D項(xiàng)正確。

答案:C

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:物理教研室 題型:013

氧族元素包括O、S、Se等元素.下列關(guān)于硒及其化合物的敘述不正確的是 ( 。

A.硒化鈉是以離子鍵形成的離子化合物

B.硒難溶于水

C.H2S劇毒,H2Se無(wú)毒

D.硒與金屬、非金屬分界線相鄰,是良好的半導(dǎo)體材料

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解

1.本題包括《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》和《有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)》兩個(gè)模塊的試題。2.考生只能從兩個(gè)模塊的試題中任選一個(gè)模塊做答,不能都做,也不能各選做一部分。

《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》模塊試題

1.下表是元素周期表的一部分。表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素。

試回答下列問(wèn)題:

(1)請(qǐng)寫出元素o的基態(tài)原子電子排布式    。

(2)d的氫化物的分子構(gòu)型為    ,中心原子的雜化形式為    ;k在空氣中燃燒產(chǎn)物的分子構(gòu)型為    ,中心原子的雜化形式為    ,該分子是    (填“極性”或“非極性”)分子。

(3)第三周期8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)高低的順序如下圖,其中序號(hào)“8”代表    (填元素符號(hào));其中電負(fù)性最大的是    (填下圖中的序號(hào))。

(4)由j原子跟c原子以1∶1相互交替結(jié)合而形成的晶體,晶型與晶體j相同。兩者相比熔點(diǎn)更高的是    ,試從結(jié)構(gòu)角度加以解釋:    。

(5)i單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如下圖甲所示,其晶胞特征如下圖乙所示,原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如下圖丙所示。

若已知i的原子半徑為d,NA代表阿伏加德羅常數(shù),i的相對(duì)原子質(zhì)量為M,請(qǐng)回答:

①晶胞中i原子的配位數(shù)為,一個(gè)晶胞中i原子的數(shù)目為。

②該晶體的密度為(用字母表示)。

2.有A、B、C、D、E、F、G七種元素,除E為第四周期元素外其余均為短周期元素。A、E、G位于元素周期表的s區(qū),其余元素位于p區(qū),A、E的原子外圍電子層排布相同,A的原子中沒(méi)有成對(duì)電子;B元素基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道且每種軌道中的電子總數(shù)相同;C元素原子的外圍電子層排布式為nsnnpn+1;D元素的第一電離能列同周期主族元素第三高;F的基態(tài)原子核外成對(duì)電子數(shù)是成單電子數(shù)的3倍;G的基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道,且兩種形狀軌道中的電子總數(shù)均相同。回答下列問(wèn)題:

(1)寫出下列元素的符號(hào):D    ,G   

(2)D的前一元素第一電離能高于D的原因:    。

(3)由A、B、C形成的ABC分子中,含有    個(gè)σ鍵,    個(gè)π鍵。

(3)由D、E、F、G形成的鹽E2DF4、GDF4的共熔體在冷卻時(shí)首先析出的物質(zhì)是    (寫化學(xué)式),原因是    。

《有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)》模塊試題

3.M5纖維是近年來(lái)開(kāi)發(fā)出的一種超高性能纖維,它比現(xiàn)有的防爆破材料輕35%,用它制成的頭盔、防彈背心和剛性前后防護(hù)板,在戰(zhàn)爭(zhēng)中保住了很多士兵的生命,M5纖維是線型結(jié)構(gòu)且又有分子間氫鍵的聚合物,在三維方向x、y、z上,當(dāng)方向z是聚合物主鏈方向時(shí),在x方向和y方向上的氫鍵是其晶體結(jié)構(gòu)的特征。下面是M5纖維的合成路線(部分反應(yīng)未注明條件):

請(qǐng)回答:

(1)合成M5的單體的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式:F    ,G   

(2)反應(yīng)類型:AB:    ,BC:    。

(3)生成A的同時(shí)可能生成的A的同分異構(gòu)體:           

(4)寫出化學(xué)反應(yīng)方程式:C對(duì)苯二甲酸:        ;DE:             。

(5)1 mol的F與NaHCO3溶液反應(yīng),最多耗NaHCO3    mol。

(6)M5纖維分子間為什么會(huì)有氫鍵?請(qǐng)分析說(shuō)明:                。

4.現(xiàn)有A、B、C、D四種有機(jī)物,已知:它們的相對(duì)分子質(zhì)量都是104;A是芳香烴,B、C、D均為烴的含氧衍生物,四種物質(zhì)分子內(nèi)均沒(méi)有甲基;A、B、C、D能發(fā)生如下反應(yīng)生成高分子化合物X、Y、Z(反應(yīng)方程式未注明條件):

①nAX  ②nBY(聚酯)+nH2O  ③nC+nDZ(聚酯)+2nH2O

請(qǐng)按要求填空:

(1)A的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式是    ,Z的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式是    。

(2)在A中加入少量溴水并振蕩,所發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式:                    。

(3)B的同分異構(gòu)體有多種,其中分子中含結(jié)構(gòu)的同分異構(gòu)體的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式分別是    。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

氧族元素包括O、S、Se、Te等元素。下列關(guān)于硒及其化合物的敘述不正確的是(  )?

A.硒化鈉是以離子鍵形成的離子化合物?

B.硒難溶于水?

C.H2S劇毒,H2Se無(wú)毒?

D.硒與金屬、非金屬分界線相鄰,是良好的半導(dǎo)體材料?

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:單選題

氧族元素包括O、S、Se、Te等元素。下列關(guān)于硒及其化合物的敘述不正確的是(  )


  1. A.
    硒化鈉是以離子鍵形成的離子化合物
  2. B.
    硒難溶于水
  3. C.
    H2S劇毒,H2Se無(wú)毒
  4. D.
    硒與金屬、非金屬分界線相鄰,是良好的半導(dǎo)體材料

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