16.按要求完成下列問(wèn)題:
(1)含有一個(gè)手性碳原子且式量最小的烷烴的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式是CH3CH2CH(CH3)CH2CH2CH3;
(2)“辛烷值”用來(lái)表示汽油的質(zhì)量,汽油中異辛烷的爆震程度最小,將其辛烷值標(biāo)定為100,如圖是異辛烷的球棍模型,系統(tǒng)命名:2,2,4-三甲基戊烷,鍵線式:;
(3)寫出符合C4H8要求的異構(gòu)體,各舉出一例,
位置異構(gòu):H2C=CHCH2CH3;順?lè)串悩?gòu):CH3CH=CHCH3;類別異構(gòu):

分析 (1)根據(jù)手性碳原子指連有四個(gè)不同基團(tuán)的碳原子,手性碳原子判斷注意①手性碳原子一定是飽和碳原子②手性碳原子所連接的四個(gè)基團(tuán)要是不同的;
(2)最長(zhǎng)的碳鏈有5個(gè)碳原子,給碳原子編號(hào),三個(gè)甲基有2個(gè)都連在2號(hào)碳上,一個(gè)連在4號(hào)碳上;
(3)組成相同而分子中的取代基或官能團(tuán)(包括碳碳雙鍵和三鍵)在碳架(碳鏈或碳環(huán))上的位置不同,這些化合物叫位置異構(gòu)體;烯烴具有順?lè)串悩?gòu),C=C雙鍵不飽和的同一C原子上連接2個(gè)不同的原子或原子團(tuán);組成相同而分子中的各種原子結(jié)合方式或順序不同,因此有不同的官能團(tuán),這些化合物叫類別異構(gòu).

解答 解:(1)手性碳原子指連有四個(gè)不同基團(tuán)的碳原子,所以含有一個(gè)手性碳原子且式量最小的烷烴的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式是:CH3CH2CH(CH3)CH2CH2CH3,故答案為:CH3CH2CH(CH3)CH2CH2CH3;
(2)最長(zhǎng)的碳鏈有5個(gè)碳原子,給碳原子編號(hào),三個(gè)甲基有2個(gè)都連在2號(hào)碳上,一個(gè)連在4號(hào)碳上,故名稱為2,2,4-三甲基戊烷,鍵線式:,故答案為:2,2,4-三甲基戊烷;;
(3)C4H8的異構(gòu)體,位置異構(gòu):H2C=CHCH2CH3;順?lè)串悩?gòu):CH3CH=CHCH3;類別異構(gòu):,故答案為:H2C=CHCH2CH3;CH3CH=CHCH3;

點(diǎn)評(píng) 本題考查了有機(jī)物結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式的確定,題目難度中等,試題側(cè)重對(duì)學(xué)生基礎(chǔ)知識(shí)的鞏固和訓(xùn)練,旨在培養(yǎng)學(xué)生的邏輯推理能力和發(fā)散思維能力,該題的關(guān)鍵是明確碳碳雙鍵的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性質(zhì),然后靈活運(yùn)用即可.

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題

8.三氟化氮(NF3)氣體在潮濕的環(huán)境中能發(fā)生如下反應(yīng):3NF+5H2O═2NO+HNO3+9HF.下列有關(guān)該反應(yīng)的說(shuō)法錯(cuò)誤的是(  )
A.NF3既是氧化劑,又是還原劑
B.還原劑與氧化劑的物質(zhì)的量之比為1:2
C.若生成2molHNO3,則轉(zhuǎn)移2mol電子
D.NF3中氮元素的化合價(jià)為+3

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題

8.硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料.鋅還原四氯化硅是一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法,該制備過(guò)程示意如圖:

(1)焦炭在過(guò)程Ⅰ中作還原劑.
(2)過(guò)程Ⅱ中的Cl2用電解飽和食鹽水制備,制備Cl2的化學(xué)方程式是2NaCl+2H2O通電$\frac{\underline{\;通電\;}}{\;}$2NaOH+Cl2↑+H2↑.
(3)整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水.
①SiCl4遇水劇烈水解生成SiO2和一種酸,反應(yīng)的化學(xué)方程式是SiCl4+2H2O═SiO2+4HCl.
②干燥Cl2時(shí),從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮,需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃,然后再通入到濃H2SO4中.冷卻的作用是使水蒸氣冷凝,減少進(jìn)入濃硫酸的水量,保持持續(xù)的吸水性,并降低放出的熱量.
(4)Zn還原SiCl4的反應(yīng)如下:
反應(yīng)1:400℃~756℃,SiCl4(g)+2Zn(l)?Si(s)+2ZnCl2(l)△H1<0
反應(yīng)2:756℃~907℃,SiCl4(g)+2Zn(l)?Si(s)+2ZnCl2(g)△H2<0
反應(yīng)3:907℃~1410℃,SiCl4(g)+2Zn(g)?Si(s)+2ZnCl2(g)△H3<0
①對(duì)于上述三個(gè)反應(yīng),下列說(shuō)法合理的是b c d.
a.升高溫度會(huì)提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率      b.還原過(guò)程需在無(wú)氧的氣氛中進(jìn)行
c.增大壓強(qiáng)能提高反應(yīng)的速率         d.Na、Mg可以代替Zn還原SiCl4
②實(shí)際制備過(guò)程選擇“反應(yīng)3”,選擇的理由是溫度高,反應(yīng)速率快;與前兩個(gè)反應(yīng)比較,更易于使硅分離,使化學(xué)平衡向右移動(dòng),提高轉(zhuǎn)化率.
③已知Zn(l)═Zn(g)△H=+116KJ/mol.若SiCl4的轉(zhuǎn)化率均為90%,每投入1mol SiCl4,“反應(yīng)3”比“反應(yīng)2”多放出208.8kJ的熱量.
(5)用硅制作太陽(yáng)能電池時(shí),為減弱光在硅表面的反射,采用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層.腐蝕劑常用稀HNO3和HF的混合液.硅表面首先形成SiO2,最后轉(zhuǎn)化為H2SiF6.用化學(xué)方程式表示SiO2轉(zhuǎn)化為H2SiF6的過(guò)程SiO2+6HF═H2SiF6+2H2O.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題

4.現(xiàn)有十種物質(zhì):①水  ②石墨  ③氯氣  ④硫酸鋇晶體   ⑤醋酸   ⑥二氧化碳   ⑦氨水   ⑧氯化鈉固體   ⑨熔化的氯化鈉   ⑩氯化鈉溶液.
請(qǐng)用序號(hào)按要求填空:
(1)其中能導(dǎo)電的是②⑦⑨⑩;
(2)屬于強(qiáng)電解質(zhì)的是④⑧⑨,屬于弱電解質(zhì)的是①⑤;
(3)屬于非電解質(zhì)的是⑥;
(4)既不是電解質(zhì)也不是非電解質(zhì)的是②③⑦⑩.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題

11.如圖中X、Y分別是直流電源的兩極,通電后發(fā)現(xiàn)a極板的質(zhì)量增加,b極板上有無(wú)色無(wú)味的氣體產(chǎn)生.下列符合此現(xiàn)象的是( 。
a極板b極板Y電極c溶液
A石墨負(fù)極CuSO4
B石墨石墨負(fù)極NaOH
C正極AgNO3
D石墨石墨負(fù)極CuCl2
A.AB.BC.CD.D

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題

1.下列化學(xué)反應(yīng)的離子方程式正確的是( 。
A.氯氣溶于水:Cl2+H2O═2H++Cl-+ClO-
B.明礬溶于水產(chǎn)生Al(OH)3膠體:Al3++3H2O═Al(OH)3↓+3H+
C.用CH3COOH溶解CaCO3:CaCO3+2H+═Ca2++H2O+CO2
D.NaHCO3溶液中加足量Ba(OH)2溶液:HCO3-+Ba2++OH-═BaCO3↓+H2O

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題

8.室溫下向10mL0.1mol•L-1NaOH溶液中加入0.1mol•L-1的一元酸HA,溶液pH的變化曲線如圖所示.下列說(shuō)法正確的是( 。
A.HA為強(qiáng)酸
B.a、b兩點(diǎn)所示溶液中水的電離程度相同
C.b點(diǎn)所示溶液中c(A-)>c(HA)
D.pH=7時(shí),c(Na+)=c(A-)+c(HA)

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2017屆廣東省高三月考二化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

X、Y、Z是3種短周期元素,其中X、Y位于同一主族,Y、Z處于同一周期。X原子的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,Z原子的核外電子數(shù)比Y原子少1。下列說(shuō)法正確的是

A. 元素非金屬性強(qiáng)弱:順序?yàn)閆>Y>X

B. Y元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的化學(xué)式可表示為H3YO4

C. 3種元素的氣態(tài)氫化物中,Z的氣態(tài)氫化物最穩(wěn)定

D. 原子半徑大小順序?yàn)椋篫>Y>X

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2016-2017學(xué)年山西省高二上10月月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

制造焊錫時(shí),在金屬鉛中加入錫的主要原因是

A.增加強(qiáng)度 B.降低熔點(diǎn)

C.增加硬度 D.增強(qiáng)抗腐蝕能力

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