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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、一定溫度下,反應(yīng)Mg(1)+Cl2(g)=MgCl2(1)的△H<0,△S<0 | ||||||||||||
B、101 kPa時(shí),硫的標(biāo)準(zhǔn)燃燒熱與硫完全燃燒時(shí)物質(zhì)的量有關(guān) | ||||||||||||
C、通常人們把拆開(kāi)1 mol氣態(tài)物質(zhì)中某種共價(jià)鍵需要吸收的能量看成該共價(jià)鍵的鍵能
| ||||||||||||
D、已知:N2(g)+2O2(g)=2NO2(g)△H=+68kJ?mol-1 2C(s)+O2(g)=2CO(g)△H=-221kJ?mol-1 C(s)+O2(g)=CO2(g)△H=-393.5kJ?mol-1 則4CO(g)+2NO2(g)=4NO2(g)+N2(g)△H=+1200kJ?mol-1 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
化學(xué)鍵 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
鍵能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
請(qǐng)完成下列問(wèn)題:
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”)SiC_________Si;SiCl4_________SiO2。
(2)上圖立方體中心的“”表示硅晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“”表示出與之緊鄰的硅原子。
(3)工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制。
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)
該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=_________kJ·mol-1。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
化學(xué)鍵 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
鍵能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
請(qǐng)完成下列各題:
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”):?SiC_________Si;SiCl4_________SiO2。
(2)圖1-2-3所示立方體中心的“”表示硅晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“”表示出與之緊鄰的硅原子。
圖1-2-3
(3)工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制。
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)
該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=___________kJ·mol-1。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
化學(xué)鍵 | Si-O | Si-Cl | H-H | H-Cl | Si-Si | Si-C |
鍵能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
①比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”)SiCl4______SiO2;
②工業(yè)上用高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制取:
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)
該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=_______________kJ/mol。
(2)對(duì)于CO中毒、心肌梗塞、冠心病或小兒肺炎等危重患者都要采用吸氧治療。普通醫(yī)務(wù)室中沒(méi)有氧氣瓶,但一般都有消毒用的30%的H2O2溶液。同時(shí)還有可選用的試劑為:KMnO4、H2SO4、K2SO4、Mg、CuSO4、NaCl和葡萄糖。請(qǐng)利用上述試劑寫(xiě)出一種使H2O2中的氧完全釋放出來(lái)的理想反應(yīng)的離子方程式: _____________________________________________。
(3)將一定量的硫粉和鐵粉的混合物隔絕空氣加熱,充分反應(yīng)后冷卻,再加入足量的稀硫酸,得到標(biāo)準(zhǔn)狀況下的氣體
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012年人教版高中化學(xué)必修二2.1 化學(xué)能與熱能練習(xí)卷(解析版) 題型:填空題
通常人們把拆開(kāi)1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH),化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)已知Si、SiC、SiO2熔化時(shí)必須斷裂所含化學(xué)鍵, 比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”):
SiC_____Si,Si _____ SiO2
(2)工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制。 SiCl4(g)+2H2 (g) Si(s)+4HCl(g), 則2 mol H2生成高純硅需_____ (填“吸收”或“放出”)能量_____ kJ。
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