[化學—物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](13分)
(1)元素的第一電離能:Al_Si(填“>”或“<”)。
(2)基態(tài)M礦+的核外電子排布式為 。
(3)硅烷(SinH2n+2)的沸點與其相對分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示,呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是 。
(4)硼砂是含結(jié)晶水的四硼酸鈉,其陰離子Xm-(含B、O、H三種元素)的球棍模型如圖所示
①在Xm-中,硼原子軌道的雜化類型有 ;配位鍵存在于 原子之間(填原子的數(shù)字標號);m= (填數(shù)字)。
②硼砂晶體由Na+、Xm-和H2O構(gòu)成,它們之間的作用力有 (填序號)。
A.離子鍵 B.共價鍵 C.金屬鍵 D.范德華力 E.氫鍵
(1)< (2)1s22s22p63s23p63d5 ([Ar]3d5) (3)硅烷的相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越強 (4)①sp2、sp3 4,5(或5,4) 2 ②ADE
【解析】(1)同一周期元素自左向右第一電離能有增大趨勢,故第一電離能Al<Si。
(2)Mn是25號元素,其電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s2,故Mn2+的電子排布式為1s22s22p63s23p63d5。
(3)硅烷形成的晶體是分子晶體,相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越強,沸點越高。
(4)①由球棍模型可以看出,黑球為B原子,灰球為O原子,小黑球為H原子。2號B原子形成3個鍵,采取sp2雜化,4號B原子形成4個鍵,采取sp3雜化;4號B原子三個sp3雜化軌道與除5號外三個O原子形成σ鍵后還有一個空軌道,而5號O原子能提供孤電子對而形成配位鍵;由圖示可以看出該結(jié)構(gòu)可以表示為[B4H4O9]m-,其中B為+3價,O為-2價,H為+1價,根據(jù)化合價可知m=2。
②在晶體中Na+與Xm+之間為離子鍵,H2O分子間存在范德華力,而該陰離子能與水分子形成氫鍵。
考點定位:本題綜合考查元素第一電離能的變化規(guī)律、基態(tài)離子核外電子排布、分子晶體熔沸點高低的決定因素、軌道雜化、配位鍵、微粒間的作用力等,同時考查學生思維能力、圖像處理能力、分析物質(zhì)結(jié)構(gòu)的能力。
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I1/kJ?mol-1 | I2/kJ?mol-1 |
I3/kJ?mol-1 |
I4/kJ?mol-1 |
I5/kJ?mol-1 |
738 | 1451 | 7733 | 10540 | 13630 |
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