硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料.鋅還原四氯化硅是一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法,該制備過程示意圖如下:
(1)焦炭在過程Ⅰ中做
劑.
(2)過程Ⅱ中Cl
2用電解飽和食鹽水制備,制備Cl
2的化學(xué)方程式為
.
(3)整過生產(chǎn)過程必須嚴(yán)格控制無水.
①SiCl
4遇水劇烈水解生成SiO
2和一種酸,反應(yīng)方程式為
.
②干燥Cl
2時(shí)從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮,需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃,然后再通入濃H
2SO
4中.
(4)Zn還原SiCl
4的反應(yīng)如下:
反應(yīng)①:400℃~756℃,SiCl
4(g)+2Zn
(l)═Si
(S)+2ZnCl
2(l)△H
1<0
反應(yīng)②:756℃~907℃,SiCl
4(g)+2Zn
(l)═Si
(S)+2ZnCl
2(g)△H
2<0
反應(yīng)③:907℃~1410℃,SiCl
4(g)+2Zn
(g)═Si
(S)+2ZnCl
2(g)△H
3<0
i.反應(yīng)②的平衡常數(shù)表達(dá)式為
.
ii.對(duì)于上述三個(gè)反應(yīng),下列說明合理的是
.
a.升高溫度會(huì)提高SiCl
4的轉(zhuǎn)化率
b.還原過程需在無氧的氣氛中進(jìn)行
c.增大壓強(qiáng)能提高反應(yīng)速率
d.Na、Mg可以代替Zn還原SiCl
4(5)用硅制作太陽能電池時(shí),為減弱光在硅表面的反射,可用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層.腐蝕劑常用稀HNO
3和HF的混合液.硅表面首先形成SiO
2,最后轉(zhuǎn)化成H
2SiF
6.用化學(xué)方程式表示SiO
2轉(zhuǎn)化為H
2SiF
6的過程
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