表示一個原子的M電子層上有10個電子，可以寫成


  1. A.
    3s23p63d2
  2. B.
    3d10
  3. C.
    3s23p64s2
  4. D.
    3s23p33d5
A
B項中，若3d上有10個電子，則3s、3p上必須排滿電子，因此M電子層上電子數(shù)應(yīng)大于18；C項中有8個，D項中3d上有5個電子，則3p上應(yīng)該充滿為3p6，故A正確
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

位于元素周期表前四周期的五種元素A、B、C、D、E，原子序數(shù)依次增大．A元素原子的最外層電子排布可表示為：asaap2a，B元素在地殼中含量居第二位，C與B位于同一周期，且是該周期元素中電負(fù)性最大的元素，D元素的+3價離子的3d亞層為半充滿，E元素基態(tài)原子的M層全充滿，N層沒有成對電子，只有一個未成對電子．
根據(jù)以上信息回答下列問題：
（1）E的元素符號為
Cu
Cu
，其基態(tài)原子的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1
1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1
．
（2）A的氫化物比下周期同族元素的氫化物沸點還要高，其原因是
H2O分子間形成氫鍵
H2O分子間形成氫鍵
．
（3）B元素可分別與A元素、C元素形成兩種常見化合物，這兩種化合物的熔沸點高低順序為
SiO2＞SiCl4
SiO2＞SiCl4
（用化學(xué)式表示），原因是
二氧化硅為原子晶體，而四氯化硅為分子晶體
二氧化硅為原子晶體，而四氯化硅為分子晶體
．
（4）D元素的單質(zhì)晶體在不同溫度下有兩種堆積方式，晶胞分別如下圖所示．面心立方晶胞和體心立方晶胞中實際含有的D原子個數(shù)之比為
2：1
2：1
，兩種堆積模型中與該元素一個原子等距離且最近的原子數(shù)之比為：
3：2
3：2
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

表示一個原子的 M 電子層上有 10 個電子，可以寫成（   ）

A．3s23p63d2      B．3d10      C．3s23p64s2   D．3s23p33d5  

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

表示一個原子的M電子層上有10個電子，可以寫成(    )

A.3s23p63d2               B.3d10               C.3s23p64s2             D.3s23p33d5

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表示一個原子的M電子層上有10個電子，可以寫成(    )

A.3s23p63d2          B.3d10               C.3s23p64s2         D.3s23p33d5

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