Question

砷化鎵屬于第三代半導體，它能直接將電能轉變?yōu)楣饽�，砷化鎵壽命是普通燈泡�?00倍，而耗能只有其10%，推廣砷化鎵等發(fā)極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措，已知砷化鎵的晶胞結構如圖（砷原子為白色球）．試回答下列問題
（1）下列說法正確的是

 

（填序號）．
A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素   B．第一電離能：Ga＞As
C．電負性：As＞Ga       D．半導體GaP、SiC與砷化鎵互為等電子體
（2）下列有機分子中碳原子的雜化方式與（CH₃）₃Ga分子中Ga原子的雜化方式相同的是

 

．（填序號）
A．CH₄ B．CH₂=CH₂ C．CH≡CH      D．HCHO      E．
（3）Ga的基態(tài)原子的核外電子排布式為

 

（4）砷化鎵可由（CH₃）₃Ga和AsH₃反應得到，該反應在700℃進行，反應的化學方程式為

 

；
（5）預測砷化鎵可能的晶體類型為

 

，簡述理由

 

．

Answer 1

考點：晶胞的計算,原子核外電子排布,判斷簡單分子或離子的構型

專題：元素周期律與元素周期表專題,化學鍵與晶體結構

分析：（1）A．砷和鎵最后填充電子均為p電子；
B．同周期元素從左到右第一電離能逐漸增大；
C．同周期元素從左到右電負性逐漸增大；
D．等電子體的價層電子數(shù)相等；
（2）（CH₃）₃Ga中Ga形成3個δ鍵，沒有孤電子對，為sp²雜化，結合價層電子對互斥理論確定雜化方式；
（3）根據能量最低原理書寫電子排布式；
（4）根據反應物、生成物結合反應條件可書寫化學方程式；
（5）GaAs晶體中As分布于晶胞體心，Ga分布于頂點和面心，As與Ga以正四面體為結構單元形成空間網狀結構，與金剛石相似．

解答： 解：（1）A．砷和鎵的價層電子都為ns²np³電子，最后填充電子均為p電子，位于周期表p區(qū)，故A正確；
B．同周期元素從左到右第一電離能逐漸增大，則第一電離能：As＞Ga，故B錯誤；
C．同周期元素從左到右電負性逐漸增大，則電負性：As＞Ga，故C正確；
D．GaP的價層電子為3+5=8，SiC的價層電子為4+4=8，GaAs價層電子數(shù)為3+5=8，則為等電子體，故D正確；
故答案為：ACD；
（2）A．CH₄中碳原子含有4個σ鍵且不含孤電子對，所以采用sp³雜化，故不選；
B．CH₂=CH₂中碳原子含有3個σ鍵且不含孤電子對，所以采用sp²雜化，故選；
C．CH≡CH中碳原子含有2個σ鍵且不含孤電子對，所以采用sp雜化，故不選；      
D．HCHO 中碳原子含有3個σ鍵且不含孤電子對，所以采用sp²雜化，故選；     
E．中碳原子含有3個σ鍵且不含孤電子對，所以采用sp²雜化，故選；
故答案為：BDE；
（3）Ga的原子序數(shù)為31，核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹，
故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹；
（4）反應為（CH₃）₃Ga和AsH₃，生成為GaAs，根據質量守恒可知還應有和CH₄，反應的化學方程式為（CH₃）₃Ga+AsH₃

700℃

GaAs+3CH₄，
故答案為：（CH₃）₃Ga+AsH₃

700℃

GaAs+3CH₄；
（5）由圖可知，As與Ga以正四面體為結構單元形成空間網狀結構，與金剛石相似，則為原子晶體，
故答案為：原子晶體；As與Ga以正四面體為結構單元形成空間網狀結構．

點評：本題考查較為綜合，涉及元素周期律的遞變規(guī)律、分子空間構型以及雜化類型的判斷、電子排布式以及氫鍵等知識，題目難度較大，注意相關基礎的把握和方法的積累．