(化學-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì))www.7caiedu.cn
C和Si元素在化學中占有極其重要的地位。
(1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式 。
從電負性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為 。
(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為 ,微粒間存在的作用力是 。
(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為 (填元素符號)。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點比CaO的高,其原因是 。
(4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述鍵 。
(1)1s22s22p63s23p2 O>C>Si (2) sp3 共價鍵 (3)Mg Mg2+半徑比Ca2+小,MgO晶格能大 (4)Si的原子半徑較大,Si、O原子間距離較大,p-p軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
解析:(1)C、Si和O的電負性大小順序為:O>C>Si。(2)晶體硅中一個硅原子周圍與4個硅原子相連,呈正四面體結(jié)構(gòu),所以雜化方式是sp3 。(3)SiC電子總數(shù)是20個,則氧化物為MgO;晶格能與所組成離子所帶電荷成正比,與離子半徑成反比,MgO與CaO的離子電荷數(shù)相同,Mg2+半徑比Ca2+小,MgO晶格能大,熔點高。(4) Si的原子半徑較大,Si、O原子間距離較大,p-p軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
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