請(qǐng)參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問(wèn)題：

(1)熔點(diǎn)：白磷________紅磷硬度：CCl4________硅晶體(填“＞”或“＜”)

(2)能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷CCl4和SiCl4的熔點(diǎn)高低？________(填“能”或“不能”)，原因是________．

(3)白磷與氧氣可發(fā)生反應(yīng)：P4(s)＋5O2(g)＝P4O10(s)，請(qǐng)根據(jù)圖示的分子結(jié)構(gòu)和有關(guān)數(shù)據(jù)計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H＝________kJ/mol

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相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差．參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問(wèn)題：
化學(xué)鍵 Si-O Si-Cl H-H H-Cl Si-Si Si-C
鍵能/kJ?mol-1 460 360 436 431 176 347
（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“＞”或“＜”）
SiC
＞
＞
Si； SiCl4
＜
＜
SiO2
（2）能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si和化合物SiCl4的熔點(diǎn)高低？
不能
不能
（填“能”或“不能”），原因是
物質(zhì)熔點(diǎn)高低由構(gòu)成物質(zhì)的微粒間作用力決定，單質(zhì)Si屬于原子晶體，原子間作用力是共價(jià)鍵；SiCl4屬于分子晶體，分子間作用力是范德華力，比共價(jià)鍵弱得多．因此不能都根據(jù)鍵能來(lái)判斷物質(zhì)的熔點(diǎn)高低．
物質(zhì)熔點(diǎn)高低由構(gòu)成物質(zhì)的微粒間作用力決定，單質(zhì)Si屬于原子晶體，原子間作用力是共價(jià)鍵；SiCl4屬于分子晶體，分子間作用力是范德華力，比共價(jià)鍵弱得多．因此不能都根據(jù)鍵能來(lái)判斷物質(zhì)的熔點(diǎn)高低．

（3）如圖立方體中心的“?”表示金剛石晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“?”表示出與之緊鄰的碳原子

（4）工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制取：SiCl4（g）+2H2（g）
高溫
 Si（s）+4HCl（g）計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為
+236kJ/mol
+236kJ/mol
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2011-2012學(xué)年寧夏銀川一中高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試卷（帶解析） 題型：填空題

（每空2分，共12分）鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問(wèn)題：

化學(xué)鍵
Si—O
Si—Cl
H—H
H—Cl
Si—Si
Si—C
鍵能/kJ·mol-1
460
     360
436
431
176
347
 
（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“>”或“<”）
SiC       Si； SiCl4      SiO2
（2）能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si 和化合物SiCl4的熔點(diǎn)高低？       （填“能”或“不能”），原因是                                                            。
（3）如圖立方體中心的“· ”表示金剛石晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“· ”表示出與之緊鄰的碳原子

（4）工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制�。篠iCl4(g) + 2H2（g） 高溫   Si（s）+4HCl（g)
計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為_(kāi)_________________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2013屆寧夏高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

（每空2分，共12分）鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問(wèn)題：

化學(xué)鍵

Si—O

Si—Cl

H—H

H—Cl

Si—Si

Si—C

鍵能/kJ·mol-1

460

       360

436

431

176

347

 

（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“>”或“<”）

SiC       Si； SiCl4       SiO2

（2）能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si 和化合物SiCl4的熔點(diǎn)高低？        （填“能”或“不能”），原因是                                                             。

（3）如圖立方體中心的“· ”表示金剛石晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“· ”表示出與之緊鄰的碳原子

（4）工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制�。篠iCl4(g) + 2H2（g）  高溫    Si（s）+4HCl（g)

計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為_(kāi)_________________。

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：期中題 題型：填空題

請(qǐng)參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問(wèn)題：
（1）熔點(diǎn)：白磷_________ 紅磷     硬度：CCl4 __________硅晶體（填“>”或“<”）
（2）能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷CCl4和SiCl4的熔點(diǎn)高低？________（填“能”或“不能”），原因是  ______________。
（3）白磷與氧氣可發(fā)生反應(yīng)：P4(s) + 5O2(g) = P4O10(s)，請(qǐng)根據(jù)圖示的分子結(jié)構(gòu)和有關(guān)數(shù)據(jù)計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱 H =____________kJ/mol

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